I believe that silicon carbide (SiC) technology is slowly coming to an end. For a long time, research has been conducted on the technology of metallic glasses and their application in power electronic devices. Of course, he cheers for Japan and any country that is serious about this technology. Over the last few years, I have repeatedly asked Scientists and Designers to undertake this research in the field of modern electrotechnical sheets for the production of armatures, especially synchronous motors. I think I have some input in this area as well. Greetings, Sir!
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半導体関連で取り上げてほしい内容がありましたらこのコメントに是非返信ください！
アメリカの半導体産業の本気度ですねw
@@kojiki-ninpoo
ざっくりだとシリコンに回路の作成が前工程
それを切ってパッケージまでが後工程ですね
前工程で投入から前工程終了まで最短で2ヶ月かかる
通常なら3,4ヶ月
鉄分ある人間としてはIGBT以前のGTOとかパワートランジスタ、IGBTで流行った？IPMとか、あと2レベルと3レベルの違いとかにも触れるかと期待してたりします。
ハムも嗜む勢としてはアンプ用のGaAsFETはロジックというよりパワー寄りと思ってたりしますがどうなんでしょう？
1.5kV線区における長編成でのインバーター制御の本格的な採用が世界初（自称）な新京成の8800形はGTOサイリスタからフルSiCに載せ替えてたりしますが、比較としてはN700のAとSより差が大きそうな気がします。
ちなみに分解して欲しいHVのインバーターはジャパンタクシーのですね。
25分まで見たよ( `･ω･´ )ゝ
電気科を出ていない自分でも動画を見ているだけで、なるほどと思えることがたくさんあり、大学講義レベルの話をyoutubeで見ることができていいのか！と感じることばかりです。ありがとうございます！電験がんばります。
パワー半導体を扱う会社に転職しましたが、教育など特にないため独学に苦労しています。イチケンさんの動画を足がかりに色々と学んでいきたいと思います。いつもありがとうございます。
TIがスポンサーのUA-camrはすごすぎる
そのうちアナデバも付けるでしょ、知らんけど
素晴らしい講義でした。パワー半導体のトレンド学ぶことができました。
大学、大学院とSiCパワーデバイスの研究をしていたので懐かしいです。実用レベルになり、新幹線やEV等に使用されているのを見ると感慨深いです。
日本が開発した酸化ガリウムパワー半導体に置き換わるでしょうｗ
@@高木正雄-g4y 窒化…((ﾎﾞｿｯ…
@@Cyan_pro04
ua-cam.com/video/jzRy9NESnms/v-deo.html
@@高木正雄-g4y酸化ガリウムは価電子帯オフセットの問題があって実用化は厳しいと思うんですが・・・
@@asuzuki3373
既に実用化され始めてるけど？
こちらの動画も
ua-cam.com/video/jzRy9NESnms/v-deo.html
「皆さんはテキサスインスツルメンツの半導体をお使いになるかと思いますが・・・」→「チーン」ですし、言葉が念仏のように聞こえてきますが、イチケンさんは鉱石ラジオを作ったりと、有意義な動画を作成されていると思います。頑張ってください。しかし、今日はこれまで以上に平易な言葉で説明してくださり、良かったです🤩ナイフスイッチを用意してくださり、ありがとうございました。ますます、理解が深まりました。そしてパワー半導体に詳しくなりました💦☺あんな細い端子や間隔で結構、高圧・大電流が流せるんですね！
こんなに一般受けしなそうな内容で30万人は本当にすごい
30万人の変態の皆様、おはようございます。
こんなに一般受けしそうな内容で30万人は本当に少ない？😎
本当ですネ。自分もなんで観てるかわかりません。
ほとんど理解できないし、利用なんてもってのほか。でもなんとなく、賢くなった気が、、、します（汗💦
それな！
なーんかわかった気になるのが不思議。
登録者数30万人おめでとうございます！
そしていつもわかりやすい解説ありがとうございます。アップをいつも楽しみにしてます！
ありがとうございます！
長時間の動画お疲れ様でした。PCのマザーボードのように低電圧大電流の用途はSi-MOSが性能・コスパの面でまだまだ有利かと思いますが、高電圧大電流となると、スピードに妥協しながらON損失がR*IのIGBTか、R*I2でありながらON抵抗が低く損失が低い＆速度の速い（ただし値段が高い）SiCが有利ですね。
（院生時代、テスラコイルのために出たばかりのSiCMOSとSBDを千石に買いに行ったのを覚えてます。未だに完成させてないですが）
それと超マニアックなリクエストになってしまいますが、ハイサイドドライブについて取り上げていただけるとありがたいです！
よどみなく流れる無駄を省いた簡潔明瞭な説明、プレゼン力に敬服します。
SiCといえば、かつてSiトランジスタの長時間高温処理に石英の代わりに
炉心管やボート（炉内用のウェハー立て）の素材として使われていました。
初めてSiC半導体と聞いた時には、え、あのSiC？となりました。
今回の動画で何故優れているのかが良く分かりました。
もうリタイアした身ですが、また新たな知識となりました。
ありがとうございます。
SiCパワー半導体について、今までこれほど分かりやすい動画は他になかったですっ！感謝します。「内容が難しくとも動画を楽しめる」って言うコメントがよくありますが、これがイチケン動画のスゴイところです。すごいわ。
今後とも動画楽しみにしています！
電気・電子クラスタではなくソフトウエア側の人材ですが、組み込み機器を専門にしていますのでハードウエア側の知識や事情を勉強すべくイチケンさんの動画を見ています。
一番気になっていたデバイスであるパワー半導体について、ここまで詳しく分かりやすく講義した動画は他にはなく、良質な動画の公開を有難うございました。
とても分かりやすかったです。
特に損失に関して、ターンオン/オン/テールの三種の損失の詳細についてきちんと理解できてとてもよかったです。
SiCに関してそんなに知識があったわけではなかったので、どういう理由でSiCが有利なのか仕組みから理解出来ました。
こんなニッチな尖がった分野のはずのチャンネルの登録者数が30万に到達するってことは、日本の電子関係の技術者や興味のある層がこれだけいるってことだと思います。
30万登録に到達、おめでとうございます。
日本の電子技術の発展にとても貢献していると思います、応援していますので頑張ってください。
I believe that silicon carbide (SiC) technology is slowly coming to an end. For a long time, research has been conducted on the technology of metallic glasses and their application in power electronic devices. Of course, he cheers for Japan and any country that is serious about this technology. Over the last few years, I have repeatedly asked Scientists and Designers to undertake this research in the field of modern electrotechnical sheets for the production of armatures, especially synchronous motors. I think I have some input in this area as well. Greetings, Sir!
いつも勉強させていただいています。応援してます！
謝謝！
メモリ、ロジックではすっかり日本メーカを聞く事が無くなったが、パワーデバイスでは主導権を維持し続けてほしい。
ありがとうございます！
ありがとうございます！
本格的な内容で無料なのが凄い。勉強になるので楽しいでーす。
お陰様で毎回楽しんでいます。私は今年80歳ですので中学の時期に真空管時代からトランジスタの時代に入れ替わりそれまで趣味で真空管アンプなど自作していました。その当時、1960年初期まで自動車ラジオB電源をバイブレーターを使っていたので故障、雑音で悩ませられました。イチケン様にその時代の歴史を聞かせて下されば嬉しいです。
SiCに携わっているので、解説動画うれしいです。
パワー系の専門業務ではないですが、とても分かりやすく拝見できました。また実験画像もとても分かりやすく、大学のパワーエレクトロニクスの講義よりもはるかにわかりやすかったです（もう20年前、IGBT全盛期の時代ですが）
20年ほど前にIGBTでPFN回路を設計しました。半導体でもこんなことができるようになったのだなぁと感激しましたが、大電流を扱う難しさも同時に痛感しました。懐かしい。
わかり易すぎて感動しました...！！
次回以降のパワー半導体の動画も楽しみにしています！！
凄く分かりやすい解説だなと思った一方
きなこ棒の当たりが頭を支配しました
いつになく、楽しそうなイチケンさん。
聞いている方も、なんとなく楽しくなる。
実際、パワー半導体って聞くけど、これほど詳しく解説してくれて面白かったのと、勉強になりました。
ありがとうございます。
SiCMOSFET拡販の某メーカーの海外営業マンです。非常に詳しいご説明有り難うございました。復習の意味で楽しく拝見させて頂きました。ただ、ゲート抵抗変えての波形は初めて見せて頂き、非常に興味深かったです！！！
今回はイチケンさんの本気が垣間見えた気がします。その代わり
・バイポーラデバイスとユニポーラデバイス
・ショットキーバリアダイオード
・少数キャリアの掃き出し時間
・不純物のドーピング濃度
・空乏層
なんかの用語がさらっと出てきて、これは皆ついて来れてるのかな？と思ってコメント見たら
「すごく分かりやすい！ありがとうございます」みたいなコメントばっかりですごい。
ここの人たち全員が半導体物性・バンド理論を履修している…？
日本の製造業の未来は、言うほど終わってなかったかもしれない
SiCって凄いですね！良い事尽くめですね。解りやすい解説ありがとうございます。秋月で590円で売っている様なので、使ってみたいと思います。
これでリレーから解放されそうです。
パワー半導体の解説待ってました。GaNの解説もぜひお願いします。
Texas Instruments!!!!! すごい。。。
大電流大電圧の制御をパワーMOS-FETでどう制御してるのか詳しく解りやすく説明していただきありがとうございます。
いつも有難うございます。楽しみにしています。
勉強なりました！素晴らしい動画いただきありがとうございます
大変参考になりました、ありがとうございます。学生時代のサボり気味だった授業を思い返し、懐かしく思いました。この動画が日本の若者たちに是非見てほしいですね。
大きい声では言えませんが、パワー半導体のチップを作ってる工場に勤務しています。毎日死ぬほどチップを見てますが、パワー半導体の理屈は詳しくは知らないので勉強になります。因みにウエハーはSiです。これ以上は詳しく言えないのでご了承下さい。因みにウエハー投入からチップ完成までに３ヶ月ほどかかるようです。
たまに視聴してます。どうしても電気（または電子）回路って、ブラックボックスなところがあって後に繋がらなくなるなるんだけど、イチケンさんの分かりやすい解説で楽しんで拝見しています
23:15 「耐圧を犠牲にせずにオン抵抗を低くできる」という表現は、高耐圧と低オン抵抗とが二律背反の関係ではなくなる、と誤解を生じさせるかも知れません。
Si-MOSFETもSiC-MOSFETも、耐圧はキャリア層の厚みに依存すると思います。同じ耐圧のものを想定した場合、Si-MOSFETよりもSiC-MOSFETの方が、ドリフト層を薄く設計できるので、低オン抵抗を実現しやすいということだと思います。
アマチュア無線家ですが、無線機器のパワーデバイスに興味が有りますが、今主流のデバイスの傾向を知りたいと思って居ますが、此の講義は大変参考に成りました。
パワー半導体ってよく耳にしますがこの動画内容が理解できる人が羨ましい。
大変、分かりやすい説明でした。
よくわからんが、日本の技術者は素晴らしい。というかこうゆう日本人がいるので日本は存在する。ありがと。
700s系の新幹線がパワー半導体をSiCに置き換える事で冷却機能を走行風に変更、モーターの羽根を増やして小型化により大幅な軽量化というのを見て見直しに来ました。
すごく勉強になりました！
流石イチケンさんすね👍
すごく勉強になりました！！
素晴らしい高品質な内容に感服いたしました。
実にわかりやすい説明でした。こちらがお金を払わずして、高度な技術の説明が無料で聴けるなんて夢のようだと思います。因みにフルSiC-VVVF(MOSFET-VVVF)ですが、在来線や多くの私鉄に活用されているみたいですね。音としては、遠くでジー…と蝉が鳴くような感じでしょうか。(^.^)
Excellent explanation, thank you very much 👍🏽
動画ありがとうございました。オシロが興味深かったです。面積損失も計測できるオシロ初めてでした。イチケンさんもこのようなオシロ検討されているのかな？
TIってSiCデバイス持ってないのにスポンサーするって凄いな
なんでだろ・・・・内容がサッパリわからんけどチャンネル登録してしまった😁
夏の疲れなど 十分に注意をして無理はせずに、がんばってほしいです。
イチケンさんの英語訛りのしゃべり方がエエなあ❗
むっちゃ勉強になりました。
ありがとうございます。
パワートランジスタとMOSFETの違いが曖昧にしか理解できてないので詳しく解説していただけると有り難いです
いちけんさんの過去ログにあったと思いますよ
解説ありがとうございます。
SiCの一番の利点はふたつある。
ひとつは、サージや熱の耐性が高いこと。
もうひとつは、Onに転移するためのゲート電圧が18v以上と高いこと。
単に同程度のOn性能を持つシリコンのPower MOS FET であれば、IXYS にもあるし、回路を変えずに使えるので、そちらの方が良いとも言える。
サージや熱の耐性が優れているのは ROHM に大量のカタログが公開されているので一読すれば良い。
一方で、ゲート電圧が高いことで利点は、誤点弧しにくいことがあり、扱いが楽になります。
ゲートをドライブするゲートドライバーは同じROHM にあるので、調べると良いです。
折角なので、ここではひとつの提案をします。
そもそもゲート電圧は18v以上にしなければならないので、このドライブは面倒です。で、イチケンさんも話している様に、一般に使われている74シリーズのデジタル IC は5v程度しか使えないので、話になりません。
これに代わるドライブ IC として、4000シリーズのデジタルIC を使うといいです。
この4000シリーズは18〜20v程度まで使えますので、この扱いには丁度いい感じですが、物によっては18vが上限なので、少し注意が必要です。
最も、ドライブIC は売られているので、そちらを使えば問題なくドライブできますので、そちらを使えばいいでしょう。
個人的に遊びで使う場合の話しですが、4000シリーズはアナログでも使えるので、皆様もぜひ購入して応用されてください。
いつもわかりやすい解説、すごいね。
（自分はやってないけれど）同じ研究室の友達がSiCの研究やってるので知ってるところ知らないところがあって楽しかったです
勉強になりましたー
…ただ、言葉を全部理解するには難しい
冷却設備を簡略化できるのは大きなメリットですね。製造コストが課題ですが。
SiとSiCの温特も併せて説明してほしいです♫
私は専門家ではありませんが、かなり分かりやすい解説ですね。
今回はパワー半導体だけにパワー(気合)入ってるな！
チャネルの趣旨からすると外れてしまうものの
本来なら有料でも十分なレベル。
提供の宣伝の仕方といい、内容のクオリティといい、海外のテック系UA-camrっぽいなw
IGBT 電車、三菱の電気自動車に使われてますね
昔、作ってた。
素晴らし すぎます。 ありがとうございます。
わかりやすい説明ありがとうございます。是非GANについてもお願いします。😊
SiC系かGaN系か…この辺も知りたいところですね。
TIから案件とってこれるってすごいですね
天下のTI案件とは…
1200vもの高圧をあんな薄くて小さい端子にかけて大丈夫なんですね、不思議。
他のWBG素子であるSiCとGaNとの違いが知りたいです。 SiCがGaNよりもっとたくさん使われる理由がありますか。
ティアックが作る「F1」というオーディオアンプにはシリコンカーバイトパワー半導体が使われていて、素晴らしい性能だそうです。
勉強になった。よかった。
昨今は量子物理的に物事考える
電子の質量はゼロではない、なので慣性の法則が働く
そんな観点から波形見てみるのも面白い
スイッチング損失を少なくするソフトスイッチングをやる為の
回路と制御方法も知りたいのです‼️
色々とリクエストして大変かもしれませんが気長にまっていますので
その気になったらお願いします❗️
成る程、電力素子や、測定機・シュミレーターの進歩で回路設計も寄り緻密に成って居るのですね、昔は精密な測定も出来無かったし、大雑把だったなーｗ。高速スイッチングには高周波設計技術が必須に成る等、今の技術者は面白くも大変ですね。
SiCのサージを下げるためにゲート抵抗を上げた時際のトレードオフってありますか？
ゲートスイッチングが遅くなることでしょうか？
そのとおりです。あと、ターンオフ時にボディ・ダイオードに逆電圧がかかるので逆回復特性が良いことも重要です。
SiC結晶は昇華法なんですね。やっぱレーザー光で溶融させてからの急速冷却では乱暴過ぎたか・・・ 。
SiCには凄く期待してて関連株買いました
SiCプロセス基本開発では、基礎研究開発部門へ依頼、高ドーズ量イオン注入、残留欠陥問題、イオン注入工程中
アモルファス層形成回避等です。反跳原子、残留欠陥生成メカニズムを福美ます。
イオン注入角度 チャネリング問題などです。チャネリング防止酸化膜堆積法、膜圧、膜質など実験的に最適化を
行っています。
電気の素人の私に解りやすい解説ありがとうございます。
スポンサーがTIってすげー！
電気工学科電車オタクとしては嬉しすぎる
大変詳しい解説ありがとうございます！ 私素人ながら、大変分かりやすく理解させて戴きました。
実は知り合いから2019年にSICMOSトランジスターのオーディオアンプを製作頂きました。先日代4世代の石に交換。なかなか石の使い方はシビアみたいですf(^_^;)
そういえば、DAコンバータで有名なバーブラウンって、今はTIなんでしたっけ?
ゲームソフト出身なんでTIというとホビーパソコンTI99/4Aとそれに使われていたCPUやビデオ、サウンドのLSIが最初に浮かぶ。後は音声合成LSIとか。時代は下るけどDSPや電卓も。
No English subtitles 😞
今度，LTSpiceの使い方をIGBTを使った、
正弦波単相インバータを例にとった動画を見たいです。
以前、PSpiceではやったことありますが，LTSpiceに
駆逐されてしまい、現在は本物部品を使える無料の
LTSpiceになっていて、ダウンロードしてやりかけました。
本も購入しましたが，イチケンさんのわかりやすい動画を
是非ともみたいです。
さきほどのTO3P型のリクエストもありますから、
さらに、その支援としてSuper Thanksをこの後
送ります。一部ですが寄付いたします。
知ってる方教えて下さい。私の認識だとMOSFETの横についてるダイオードはMOSFETの構造上仕方なくできるダイオード(ボディ/寄生ダイオード)かと思ってましたが、この動画内での「SiC-PiNダイオード」は別で付けてるダイオードですか？それともボディ/寄生ダイオードのことですか？
パワーMOSは材料の入手性とコスト次第よなー。もうしばらくはIGBTの時代
提供凄くて草
GaNもよろしく SiCとの得失&使い分けを知りたい
SiC半導体を使ってIH調理をしたら面白そうですね
パワー半導体の小さい方を見ても、パワーアンプに使ったらどんなかなという感想しか浮かんでこない。
大きいやつだと電車のインバーターかな。
勉強になりました 本日のテスラのSIC面積75%削減に関して 見解ありますか？理論的にまったく意味がわかりません。可能性でいいので、教えて頂ければ幸いです よろしくお願いいたします。
パワー半導体における熱抵抗は大切なのですね！熱抵抗０（ゼロ）であれば発熱はかなり少なくで済む？