I believe that silicon carbide (SiC) technology is slowly coming to an end. For a long time, research has been conducted on the technology of metallic glasses and their application in power electronic devices. Of course, he cheers for Japan and any country that is serious about this technology. Over the last few years, I have repeatedly asked Scientists and Designers to undertake this research in the field of modern electrotechnical sheets for the production of armatures, especially synchronous motors. I think I have some input in this area as well. Greetings, Sir!
SiC技術はもうすぐ終わります。金属ガラスに基づく半導体のテストを提案します。それらは、導体、抵抗器、磁気コアと同様に、その構造の驚くべき可能性により、長年にわたって支配的です。ごきげんよう、サー！ SiC gijutsu wa mōsugu owarimasu. Kinzoku garasu ni motodzuku handōtai no tesuto o teian shimasu. Sorera wa, dōtai, teikō-ki, jiki koa to dōyō ni, sono kōzō no odorokubeki kanōsei ni yori, naganen ni watatte shihai-tekidesu. Gokigen'yō, sā!
おっしゃる通り、SiC 技術はパワー半導体の構築に非常に適しています。ただし、金属ガラスをベースにした、より高度なものを探すべきだと思います！それらは、導電性、抵抗率、磁気および磁気ガイド特性、そして何よりも半導体特性などの驚くべき特性を持っています。ごきげんよう、サー！ Ossharu tōri, SiC gijutsu wa pawā handōtai no kōchiku ni hijō ni tekishite imasu. Tadashi, kinzoku garasu o bēsu ni shita, yori kōdona mono o sagasubekida to omoimasu! Sorera wa, dōden-sei, teikō-ritsu, jiki oyobi jiki gaido tokusei, soshite naniyori mo handōtai tokusei nado no odorokubeki tokusei o motte imasu. Gokigen'yō, sā!
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半導体関連で取り上げてほしい内容がありましたらこのコメントに是非返信ください！
アメリカの半導体産業の本気度ですねw
@@kojiki-ninpoo
ざっくりだとシリコンに回路の作成が前工程
それを切ってパッケージまでが後工程ですね
前工程で投入から前工程終了まで最短で2ヶ月かかる
通常なら3,4ヶ月
鉄分ある人間としてはIGBT以前のGTOとかパワートランジスタ、IGBTで流行った？IPMとか、あと2レベルと3レベルの違いとかにも触れるかと期待してたりします。
ハムも嗜む勢としてはアンプ用のGaAsFETはロジックというよりパワー寄りと思ってたりしますがどうなんでしょう？
1.5kV線区における長編成でのインバーター制御の本格的な採用が世界初（自称）な新京成の8800形はGTOサイリスタからフルSiCに載せ替えてたりしますが、比較としてはN700のAとSより差が大きそうな気がします。
ちなみに分解して欲しいHVのインバーターはジャパンタクシーのですね。
25分まで見たよ( `･ω･´ )ゝ
電気科を出ていない自分でも動画を見ているだけで、なるほどと思えることがたくさんあり、大学講義レベルの話をyoutubeで見ることができていいのか！と感じることばかりです。ありがとうございます！電験がんばります。
「皆さんはテキサスインスツルメンツの半導体をお使いになるかと思いますが・・・」→「チーン」ですし、言葉が念仏のように聞こえてきますが、イチケンさんは鉱石ラジオを作ったりと、有意義な動画を作成されていると思います。頑張ってください。しかし、今日はこれまで以上に平易な言葉で説明してくださり、良かったです🤩ナイフスイッチを用意してくださり、ありがとうございました。ますます、理解が深まりました。そしてパワー半導体に詳しくなりました💦☺あんな細い端子や間隔で結構、高圧・大電流が流せるんですね！
素晴らしい講義でした。パワー半導体のトレンド学ぶことができました。
長時間の動画お疲れ様でした。PCのマザーボードのように低電圧大電流の用途はSi-MOSが性能・コスパの面でまだまだ有利かと思いますが、高電圧大電流となると、スピードに妥協しながらON損失がR*IのIGBTか、R*I2でありながらON抵抗が低く損失が低い＆速度の速い（ただし値段が高い）SiCが有利ですね。
（院生時代、テスラコイルのために出たばかりのSiCMOSとSBDを千石に買いに行ったのを覚えてます。未だに完成させてないですが）
それと超マニアックなリクエストになってしまいますが、ハイサイドドライブについて取り上げていただけるとありがたいです！
登録者数30万人おめでとうございます！
そしていつもわかりやすい解説ありがとうございます。アップをいつも楽しみにしてます！
ありがとうございます！
パワー半導体を扱う会社に転職しましたが、教育など特にないため独学に苦労しています。イチケンさんの動画を足がかりに色々と学んでいきたいと思います。いつもありがとうございます。
TIがスポンサーのUA-camrはすごすぎる
そのうちアナデバも付けるでしょ、知らんけど
今後とも動画楽しみにしています！
大学、大学院とSiCパワーデバイスの研究をしていたので懐かしいです。実用レベルになり、新幹線やEV等に使用されているのを見ると感慨深いです。
日本が開発した酸化ガリウムパワー半導体に置き換わるでしょうｗ
@@高木正雄-g4y 窒化…((ﾎﾞｿｯ…
@@Cyan_pro04
ua-cam.com/video/jzRy9NESnms/v-deo.html
@@高木正雄-g4y酸化ガリウムは価電子帯オフセットの問題があって実用化は厳しいと思うんですが・・・
@@asuzuki3373
既に実用化され始めてるけど？
こちらの動画も
ua-cam.com/video/jzRy9NESnms/v-deo.html
こんなに一般受けしなそうな内容で30万人は本当にすごい
30万人の変態の皆様、おはようございます。
こんなに一般受けしそうな内容で30万人は本当に少ない？😎
本当ですネ。自分もなんで観てるかわかりません。
ほとんど理解できないし、利用なんてもってのほか。でもなんとなく、賢くなった気が、、、します（汗💦
それな！
なーんかわかった気になるのが不思議。
よどみなく流れる無駄を省いた簡潔明瞭な説明、プレゼン力に敬服します。
SiCといえば、かつてSiトランジスタの長時間高温処理に石英の代わりに
炉心管やボート（炉内用のウェハー立て）の素材として使われていました。
初めてSiC半導体と聞いた時には、え、あのSiC？となりました。
今回の動画で何故優れているのかが良く分かりました。
もうリタイアした身ですが、また新たな知識となりました。
ありがとうございます。
いつも勉強させていただいています。応援してます！
電気・電子クラスタではなくソフトウエア側の人材ですが、組み込み機器を専門にしていますのでハードウエア側の知識や事情を勉強すべくイチケンさんの動画を見ています。
一番気になっていたデバイスであるパワー半導体について、ここまで詳しく分かりやすく講義した動画は他にはなく、良質な動画の公開を有難うございました。
とても分かりやすかったです。
特に損失に関して、ターンオン/オン/テールの三種の損失の詳細についてきちんと理解できてとてもよかったです。
SiCに関してそんなに知識があったわけではなかったので、どういう理由でSiCが有利なのか仕組みから理解出来ました。
こんなニッチな尖がった分野のはずのチャンネルの登録者数が30万に到達するってことは、日本の電子関係の技術者や興味のある層がこれだけいるってことだと思います。
30万登録に到達、おめでとうございます。
日本の電子技術の発展にとても貢献していると思います、応援していますので頑張ってください。
I believe that silicon carbide (SiC) technology is slowly coming to an end. For a long time, research has been conducted on the technology of metallic glasses and their application in power electronic devices. Of course, he cheers for Japan and any country that is serious about this technology. Over the last few years, I have repeatedly asked Scientists and Designers to undertake this research in the field of modern electrotechnical sheets for the production of armatures, especially synchronous motors. I think I have some input in this area as well. Greetings, Sir!
SiCパワー半導体について、今までこれほど分かりやすい動画は他になかったですっ！感謝します。「内容が難しくとも動画を楽しめる」って言うコメントがよくありますが、これがイチケン動画のスゴイところです。すごいわ。
謝謝！
23:15 「耐圧を犠牲にせずにオン抵抗を低くできる」という表現は、高耐圧と低オン抵抗とが二律背反の関係ではなくなる、と誤解を生じさせるかも知れません。
Si-MOSFETもSiC-MOSFETも、耐圧はキャリア層の厚みに依存すると思います。同じ耐圧のものを想定した場合、Si-MOSFETよりもSiC-MOSFETの方が、ドリフト層を薄く設計できるので、低オン抵抗を実現しやすいということだと思います。
メモリ、ロジックではすっかり日本メーカを聞く事が無くなったが、パワーデバイスでは主導権を維持し続けてほしい。
お陰様で毎回楽しんでいます。私は今年80歳ですので中学の時期に真空管時代からトランジスタの時代に入れ替わりそれまで趣味で真空管アンプなど自作していました。その当時、1960年初期まで自動車ラジオB電源をバイブレーターを使っていたので故障、雑音で悩ませられました。イチケン様にその時代の歴史を聞かせて下されば嬉しいです。
本格的な内容で無料なのが凄い。勉強になるので楽しいでーす。
SiCに携わっているので、解説動画うれしいです。
20年ほど前にIGBTでPFN回路を設計しました。半導体でもこんなことができるようになったのだなぁと感激しましたが、大電流を扱う難しさも同時に痛感しました。懐かしい。
パワー系の専門業務ではないですが、とても分かりやすく拝見できました。また実験画像もとても分かりやすく、大学のパワーエレクトロニクスの講義よりもはるかにわかりやすかったです（もう20年前、IGBT全盛期の時代ですが）
実際、パワー半導体って聞くけど、これほど詳しく解説してくれて面白かったのと、勉強になりました。
ありがとうございます。
ありがとうございます！
ありがとうございます！
今回はイチケンさんの本気が垣間見えた気がします。その代わり
・バイポーラデバイスとユニポーラデバイス
・ショットキーバリアダイオード
・少数キャリアの掃き出し時間
・不純物のドーピング濃度
・空乏層
なんかの用語がさらっと出てきて、これは皆ついて来れてるのかな？と思ってコメント見たら
「すごく分かりやすい！ありがとうございます」みたいなコメントばっかりですごい。
ここの人たち全員が半導体物性・バンド理論を履修している…？
日本の製造業の未来は、言うほど終わってなかったかもしれない
凄く分かりやすい解説だなと思った一方
きなこ棒の当たりが頭を支配しました
いつになく、楽しそうなイチケンさん。
聞いている方も、なんとなく楽しくなる。
SiCMOSFET拡販の某メーカーの海外営業マンです。非常に詳しいご説明有り難うございました。復習の意味で楽しく拝見させて頂きました。ただ、ゲート抵抗変えての波形は初めて見せて頂き、非常に興味深かったです！！！
わかり易すぎて感動しました...！！
次回以降のパワー半導体の動画も楽しみにしています！！
パワー半導体の解説待ってました。GaNの解説もぜひお願いします。
SiCって凄いですね！良い事尽くめですね。解りやすい解説ありがとうございます。秋月で590円で売っている様なので、使ってみたいと思います。
これでリレーから解放されそうです。
Texas Instruments!!!!! すごい。。。
大きい声では言えませんが、パワー半導体のチップを作ってる工場に勤務しています。毎日死ぬほどチップを見てますが、パワー半導体の理屈は詳しくは知らないので勉強になります。因みにウエハーはSiです。これ以上は詳しく言えないのでご了承下さい。因みにウエハー投入からチップ完成までに３ヶ月ほどかかるようです。
パワー半導体ってよく耳にしますがこの動画内容が理解できる人が羨ましい。
大電流大電圧の制御をパワーMOS-FETでどう制御してるのか詳しく解りやすく説明していただきありがとうございます。
アマチュア無線家ですが、無線機器のパワーデバイスに興味が有りますが、今主流のデバイスの傾向を知りたいと思って居ますが、此の講義は大変参考に成りました。
勉強なりました！素晴らしい動画いただきありがとうございます
いつも有難うございます。楽しみにしています。
大変参考になりました、ありがとうございます。学生時代のサボり気味だった授業を思い返し、懐かしく思いました。この動画が日本の若者たちに是非見てほしいですね。
たまに視聴してます。どうしても電気（または電子）回路って、ブラックボックスなところがあって後に繋がらなくなるなるんだけど、イチケンさんの分かりやすい解説で楽しんで拝見しています
大変、分かりやすい説明でした。
すごく勉強になりました！
よくわからんが、日本の技術者は素晴らしい。というかこうゆう日本人がいるので日本は存在する。ありがと。
SiCの一番の利点はふたつある。
ひとつは、サージや熱の耐性が高いこと。
もうひとつは、Onに転移するためのゲート電圧が18v以上と高いこと。
単に同程度のOn性能を持つシリコンのPower MOS FET であれば、IXYS にもあるし、回路を変えずに使えるので、そちらの方が良いとも言える。
サージや熱の耐性が優れているのは ROHM に大量のカタログが公開されているので一読すれば良い。
一方で、ゲート電圧が高いことで利点は、誤点弧しにくいことがあり、扱いが楽になります。
ゲートをドライブするゲートドライバーは同じROHM にあるので、調べると良いです。
折角なので、ここではひとつの提案をします。
そもそもゲート電圧は18v以上にしなければならないので、このドライブは面倒です。で、イチケンさんも話している様に、一般に使われている74シリーズのデジタル IC は5v程度しか使えないので、話になりません。
これに代わるドライブ IC として、4000シリーズのデジタルIC を使うといいです。
この4000シリーズは18〜20v程度まで使えますので、この扱いには丁度いい感じですが、物によっては18vが上限なので、少し注意が必要です。
最も、ドライブIC は売られているので、そちらを使えば問題なくドライブできますので、そちらを使えばいいでしょう。
個人的に遊びで使う場合の話しですが、4000シリーズはアナログでも使えるので、皆様もぜひ購入して応用されてください。
夏の疲れなど 十分に注意をして無理はせずに、がんばってほしいです。
Excellent explanation, thank you very much 👍🏽
なんでだろ・・・・内容がサッパリわからんけどチャンネル登録してしまった😁
流石イチケンさんすね👍
イチケンさんの英語訛りのしゃべり方がエエなあ❗
すごく勉強になりました！！
700s系の新幹線がパワー半導体をSiCに置き換える事で冷却機能を走行風に変更、モーターの羽根を増やして小型化により大幅な軽量化というのを見て見直しに来ました。
素晴らしい高品質な内容に感服いたしました。
むっちゃ勉強になりました。
ありがとうございます。
実にわかりやすい説明でした。こちらがお金を払わずして、高度な技術の説明が無料で聴けるなんて夢のようだと思います。因みにフルSiC-VVVF(MOSFET-VVVF)ですが、在来線や多くの私鉄に活用されているみたいですね。音としては、遠くでジー…と蝉が鳴くような感じでしょうか。(^.^)
解説ありがとうございます。
TIってSiCデバイス持ってないのにスポンサーするって凄いな
（自分はやってないけれど）同じ研究室の友達がSiCの研究やってるので知ってるところ知らないところがあって楽しかったです
いつもわかりやすい解説、すごいね。
私は専門家ではありませんが、かなり分かりやすい解説ですね。
提供の宣伝の仕方といい、内容のクオリティといい、海外のテック系UA-camrっぽいなw
勉強になりましたー
…ただ、言葉を全部理解するには難しい
パワートランジスタとMOSFETの違いが曖昧にしか理解できてないので詳しく解説していただけると有り難いです
いちけんさんの過去ログにあったと思いますよ
SiとSiCの温特も併せて説明してほしいです♫
動画ありがとうございました。オシロが興味深かったです。面積損失も計測できるオシロ初めてでした。イチケンさんもこのようなオシロ検討されているのかな？
冷却設備を簡略化できるのは大きなメリットですね。製造コストが課題ですが。
素晴らし すぎます。 ありがとうございます。
電気の素人の私に解りやすい解説ありがとうございます。
わかりやすい説明ありがとうございます。是非GANについてもお願いします。😊
TIから案件とってこれるってすごいですね
勉強になった。よかった。
天下のTI案件とは…
今回はパワー半導体だけにパワー(気合)入ってるな！
チャネルの趣旨からすると外れてしまうものの
本来なら有料でも十分なレベル。
SiCプロセス基本開発では、基礎研究開発部門へ依頼、高ドーズ量イオン注入、残留欠陥問題、イオン注入工程中
アモルファス層形成回避等です。反跳原子、残留欠陥生成メカニズムを福美ます。
イオン注入角度 チャネリング問題などです。チャネリング防止酸化膜堆積法、膜圧、膜質など実験的に最適化を
行っています。
電気工学科電車オタクとしては嬉しすぎる
SiCには凄く期待してて関連株買いました
IGBT 電車、三菱の電気自動車に使われてますね
昔、作ってた。
SiC系かGaN系か…この辺も知りたいところですね。
ティアックが作る「F1」というオーディオアンプにはシリコンカーバイトパワー半導体が使われていて、素晴らしい性能だそうです。
スイッチング損失を少なくするソフトスイッチングをやる為の
回路と制御方法も知りたいのです‼️
色々とリクエストして大変かもしれませんが気長にまっていますので
その気になったらお願いします❗️
提供凄くて草
スポンサーがTIってすげー！
SiC結晶は昇華法なんですね。やっぱレーザー光で溶融させてからの急速冷却では乱暴過ぎたか・・・ 。
詳しい解説ありがとうございます。パワー半導体は日本の半導体復活のカギになる！
SiC技術はもうすぐ終わります。金属ガラスに基づく半導体のテストを提案します。それらは、導体、抵抗器、磁気コアと同様に、その構造の驚くべき可能性により、長年にわたって支配的です。ごきげんよう、サー！
SiC gijutsu wa mōsugu owarimasu. Kinzoku garasu ni motodzuku handōtai no tesuto o teian shimasu. Sorera wa, dōtai, teikō-ki, jiki koa to dōyō ni, sono kōzō no odorokubeki kanōsei ni yori, naganen ni watatte shihai-tekidesu. Gokigen'yō, sā!
SiC半導体を使ってIH調理をしたら面白そうですね
パワー半導体における熱抵抗は大切なのですね！熱抵抗０（ゼロ）であれば発熱はかなり少なくで済む？
他のWBG素子であるSiCとGaNとの違いが知りたいです。 SiCがGaNよりもっとたくさん使われる理由がありますか。
成る程、電力素子や、測定機・シュミレーターの進歩で回路設計も寄り緻密に成って居るのですね、昔は精密な測定も出来無かったし、大雑把だったなーｗ。高速スイッチングには高周波設計技術が必須に成る等、今の技術者は面白くも大変ですね。
SiCパワー半導体の研究開発には、京都大学名誉教授の松波先生（SiCアライアンス会長）など、日本の研究者が大きな貢献をしています。電気自動車での搭載が増え、これから大きく普及していくと思いますので、SiCインバータの解説も楽しみにしています。
おっしゃる通り、SiC 技術はパワー半導体の構築に非常に適しています。ただし、金属ガラスをベースにした、より高度なものを探すべきだと思います！それらは、導電性、抵抗率、磁気および磁気ガイド特性、そして何よりも半導体特性などの驚くべき特性を持っています。ごきげんよう、サー！
Ossharu tōri, SiC gijutsu wa pawā handōtai no kōchiku ni hijō ni tekishite imasu. Tadashi, kinzoku garasu o bēsu ni shita, yori kōdona mono o sagasubekida to omoimasu! Sorera wa, dōden-sei, teikō-ritsu, jiki oyobi jiki gaido tokusei, soshite naniyori mo handōtai tokusei nado no odorokubeki tokusei o motte imasu. Gokigen'yō, sā!
昨今は量子物理的に物事考える
電子の質量はゼロではない、なので慣性の法則が働く
そんな観点から波形見てみるのも面白い
No English subtitles 😞
MOSFET長袖シャツとかトレーナーがほしいですね。
ゲームソフト出身なんでTIというとホビーパソコンTI99/4Aとそれに使われていたCPUやビデオ、サウンドのLSIが最初に浮かぶ。後は音声合成LSIとか。時代は下るけどDSPや電卓も。
今度，LTSpiceの使い方をIGBTを使った、
正弦波単相インバータを例にとった動画を見たいです。
以前、PSpiceではやったことありますが，LTSpiceに
駆逐されてしまい、現在は本物部品を使える無料の
LTSpiceになっていて、ダウンロードしてやりかけました。
本も購入しましたが，イチケンさんのわかりやすい動画を
是非ともみたいです。
さきほどのTO3P型のリクエストもありますから、
さらに、その支援としてSuper Thanksをこの後
送ります。一部ですが寄付いたします。
なるほど、最新のAppleチップは放熱が問題になってるけど、SiCなら解決できるかもですねぇ
パワーMOSは材料の入手性とコスト次第よなー。もうしばらくはIGBTの時代
『プリウスのインバーターを分解したものですが…』と、まるでサンマを三枚に下ろしたかの如く説明している事に(笑)🤣🤣🤣
SiCの利点は、メタル接合と違って、閾値電圧を低下させられる事だけど逆に言えば、低下しているので、逆流をどう処理するかが問題になるね。今は、自励式が流行ってるから、結局ダイオード挟むので、問題になっていない。従来の素子が無くなると困るなぁ。
SiCのサージを下げるためにゲート抵抗を上げた時際のトレードオフってありますか？
ゲートスイッチングが遅くなることでしょうか？
そのとおりです。あと、ターンオフ時にボディ・ダイオードに逆電圧がかかるので逆回復特性が良いことも重要です。
パワー半導体の小さい方を見ても、パワーアンプに使ったらどんなかなという感想しか浮かんでこない。
大きいやつだと電車のインバーターかな。