평소 궁금한 게 있어서 검색해 보면 반도체 관련은 전부 비메모리분야인 cpu 관련 정보만 있고 정작 반도체 강국인 한국의 주력 제품은 메모리 반도체 라는것을 알게 됬습니다 이 메모리 동작 방식중 실제적으로 메모리 반도체 내에서 전하를 저장하는 메카니즘에 대해서 알려 주는 유튜브 영상은 찾기가 힘들었는데 친절한 설명 감사합니다 궁금증의 일부가 풀렸습니다
V NAND Flash 공부하다가 궁금해진게 있어서 이 영상을 접하게 되었는데요. 위처럼 GAA구조로 ONO가 vertical하게 형성되어 있는 것을 볼 수 있습니다! 이때 contact metal(WL)이 되는 저 보라색이 실제 각 unit cell의 control gate에 전압을 가해주게 되잖아요? 그런데 WL 보라색을 보면 oxide로 층이 구분되어 있지만 GAA구조를 갖는 저 원기둥에서는 층의 분리가 없음을 볼 수 있습니다...! 해당 원기둥은 층 분리가 없어도 각각의 unit cell 처럼 작동이 가능한가요?? 이게 너무 궁금합니다....
![[EngSub] 하이닉스의 96단 4D 낸드 플래시 개발 (About Hynix`s 96-layer 4D Nand Flash Memory)](http://i.ytimg.com/vi/YiuotatIEXY/mqdefault.jpg)
평소 궁금한 게 있어서 검색해 보면 반도체 관련은 전부 비메모리분야인 cpu 관련 정보만 있고 정작 반도체 강국인 한국의 주력 제품은 메모리 반도체 라는것을 알게 됬습니다
이 메모리 동작 방식중 실제적으로 메모리 반도체 내에서 전하를 저장하는 메카니즘에 대해서 알려 주는 유튜브 영상은 찾기가 힘들었는데 친절한 설명 감사합니다 궁금증의 일부가 풀렸습니다
반---하
발전과정을 알기쉽게 알려주셔서 감사합니다
배경지식이 차곡차곡 쌓이는기분이에요ㅎㅎ
7번째 하트 드립니다~
감사합니다~
잘 보고있습니다 :)
감사합니다👍
1세대 : 24단 X -> 16단 O
V NAND Flash 공부하다가 궁금해진게 있어서 이 영상을 접하게 되었는데요.
위처럼 GAA구조로 ONO가 vertical하게 형성되어 있는 것을 볼 수 있습니다! 이때 contact metal(WL)이 되는 저 보라색이 실제 각 unit cell의 control gate에 전압을 가해주게 되잖아요? 그런데 WL 보라색을 보면 oxide로 층이 구분되어 있지만 GAA구조를 갖는 저 원기둥에서는 층의 분리가 없음을 볼 수 있습니다...! 해당 원기둥은 층 분리가 없어도 각각의 unit cell 처럼 작동이 가능한가요?? 이게 너무 궁금합니다....
플래시 메모리에 덮어쓰면 복구가 많이 힘든가요?