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你怎么跑来油管了还推荐到我这里了，我是b站那个等你开发光刻机一年了的精神康复师😁
这是我看过最清楚的解释，谢谢作者。
这么好的视频就应该放到大学课堂上，帮助大家进行理解。这才是教育应该花钱的地方。
這部影片比我們學校課本教得更有效率，謝謝大神
高三講到N跟P 就有點懵 現在回來看終於看懂了
PN結的建立過程，漂移與擴散的動態平衡是一步到位的，無需商討磨合，此視頻是facebook網友的推介，博主造的圖很贊，字幕雖算清晰卻不夠顯眼，閱讀費神，另外就是，解說到〖雪崩擊穿〗現像就止步了，二極管，不過是PN結的初階應用而矣。
好厲害的科普❤
超期待一系列講解影片
非常棒的科普，感谢你。
博主制作视频不易，辛苦了！主页大陆-香港商务模特经纪，各类资源应有尽有。优质、靠谱！终身服务！
谢谢你的科普！能否加点儿细节？比如 1. 电子之间应该互相排斥，怎么能形成稳定的共价键？2. 硅原子为什么在得到4个电子后会达到稳定状态？其核有14给带正电的质子，而现在它的外围有18给电子。
這些問題更接近化學的範疇，如果好奇細節的話，可以查查看原子殼層、八隅體、共價鍵等關鍵字，應該能找到一些資訊。首先以我淺薄的高中化學知識來解釋第二個問題：原子在最外層電子是「滿的」的時候會達到最穩定的狀態。以矽來講，他有14個電子，這些電子分布在不同的「殼層」，分別是最內層2、中間8、最外層4；以碳來講，有6個電子，內層2、外層4。總之，對比較前面週期的原子來說，最內層可以放2個電子，第二層8個，第三層8個，滿了就往上排。原子如果要達到穩定的狀態，就是最外層「滿」，也就是以矽的(2, 8, 4)來說，他想得四個電子變成(2, 8, 8)或失四個變成(2, 8)；以氧的(2, 6)來說，一般是得兩個電子變成(2, 8)。關於為什麼是這個規則，其實是非常複雜的事情，我也偷偷省略了一些部分，或許原子軌域和量子力學相關的影片可以給出更詳細的解釋。現在矽原子希望獲得4個電子變成滿的狀態，其中一種方法就是形成共價鍵，共價鍵的概念基本上可以想成：兩個原子各自拿出一個電子之後共用，各自假裝自己多了一個，所以矽只要拿出四個電子和別人共享另外四個，他就能當成自己有八個。電子雖然會因為負價相互排斥，但行成鍵結的「位能」依然比不形成還小（位能有點難解釋，總之物理上是位能低更穩定）。而且實際上的鍵結和影片長得並不一樣，只是影片那種畫法比較好理解。總之只能說，這一切深聊到最後會變成很深的物理∠( ᐛ 」∠)＿
真好看
这个视频有帮到我理解，谢谢
你适合做超级教授，真的
謝謝作者, 之後可以做一期視頻講解芯片之上的第一層代碼是怎樣寫進去的嗎?一直很好奇硬件與軟件之間的橋樑是怎麼運作的
这么多年，终于知道二极管的原理了
太硬核了！❤
PN 结反向偏置的时候，又没击穿的情况下，为啥搞成三极管就导电了（为啥 NPN 三极管的 P 薄一点就能让其中反向偏置的 PN 结导电）静态时 N 往 P 扩散的电子，为啥没有在外部反向偏置电场的影响下，反方向飘回来形成电流静态时 0.7V 电压对应的电场就能阻止电子的扩散，为啥反向偏置电压远大于这个值却不会让电子从 PN 结 P 区空穴出来往 N 区移动，从而也导电
二極體 有分 0.7偏壓和 0.3偏壓...須要低損耗時 可以使用 0.3的
可真有意思！
算是真正讲明白了
利用雪崩擊穿可以做穩壓二極管
稳压二极管的击穿和视频里的雪崩击穿还是不太一样的
@redknot-miaomiao 不是嗎？我以為是一樣的呢，穩壓原理不是反向擊穿嗎？
@@天罡 你可以去查一下齐纳二极管，齐纳击穿和雪崩击穿原理不太一样
@redknot-miaomiao 齊納二極管是不是沒有Pn節啊？
@@redknot-miaomiao 應該是擊穿吧，達到反向擊穿電壓的時候就會擊穿，這個值就是穩壓值了呀，因為反向擊穿的電流達不到，所以不會燒毀，視頻中說過，濟川不一定會損壞二極管
曾經有用鍺做基質的半導體，導通電壓在0.3V左右
额，矽应该就是硅吧，你说的是锗吧
@redknot-miaomiao 我了個去，打錯了，對對，我忘了
@redknot-miaomiao 謝謝更正
下期造光刻机？那么这期怎么不讲下怎么造单晶硅和掺杂呢？😅
不是說參雜會帶電嗎？為什麼在擴散前是電中和，不該是電子填補後才從帶電變成不帶電？
掺杂本身并不会导致半导体带电。你想想，怎么可能存在一种东西不靠外力支持就带电。
@@redknot-miaomiao 但晶硅所有原子的外層電子是滿的，這時候可以說是電中和，但是參雜了磷，多了一個自由電子，爲什麼還是電中和？擴散是參雜後自由電子填空穴的運動過程，不是應該擴散後電中和，爲什麼是參雜後，擴散前，算是電中和。
@@ww3icing476 試想磷本身是不是電中性的? 那麼把電中性的磷參雜到電中性的矽內，不應該要是電中性的嗎? 之所以會有自由電子，是因為要跟矽形成共價鍵，只需要4個電子，那麼當有5個電子(跟5個質子)的磷要和矽形成共價鍵的話，勢必有一個電子要落單，應而形成自由電子。"整體"來看，參雜後的區域的總電子數(形成共價鍵的4個電子+游離的1個自由電子)，和總質子數(5個質子)是一樣的，故是電中性的。
疑問，電子不是一直光速運動嗎？那怎麼還能互相湊數？
電子不是以光速運動的哦
我想大家可以把大學的學費交到youtube了
绝了，下集就能造光刻机了。以后自己的电脑自己造，让Intel颤抖吧！🤡
如果早一點看到這篇，我應該也上台大了吧？
比我大学老师讲的好多了..
我不懂... 明明原文是 SILICON... 但大陸總習慣稱做 硅
因为有锡元素同音啊
台灣稱 矽 是 四聲... 錫 是二聲
因為一開始SI的中文是硅(ㄒㄧˋ)但是一般人容易叫成硅(ㄍㄨㄟ)，而後來1933年中華民國把SI的中文改成矽以防大家叫錯，而到1953年中華人民共和國科學院又把矽改回硅並且稱為(ㄍㄨㄟ)，因為矽(ㄒㄧˋ)和硒、烯、醯、錫不好分辨。以上是我剛剛從網路上查的，我猜也有一部份是因為大陸那邊叫硅叫習慣的原因在吧。
哪有啥不好分辨... 看其他讀音相近的那些元素並沒換字
@@tere722 所以我個人覺得原因可能是在於習慣，當然這只是我自己推測的
谢谢youtuber得辛苦制作！这世道笑贫不笑娼，主页商务资源洋马/学生/空姐，靠谱经营，1.8k RMB起，见人再付！
学校也就图一乐,真学知识还得是油管
學校是滯後了些也算打基礎也可起個頭 油管用了新技術重新闡述以往的知識是讓人回味無窮也啟發了新意 更能預知機器學習可能發生的麻煩^_*謝謝
卧槽牛逼
教育是一门学问。对此视频我给65分，基本及格。讲到PN结只能单向导电就可以了，其它絮絮叨叨的细节不应该作为相同权重平铺在视频中，可以在最后讲一下半导体发生的条件即可。不然把人搞糊涂了。
還好這期沒有硬又要扯上黑神話悟空，一堆科普節目標題無關結果硬要扯上讓我感到很反胃
你怎么跑来油管了还推荐到我这里了，我是b站那个等你开发光刻机一年了的精神康复师😁
这是我看过最清楚的解释，谢谢作者。
这么好的视频就应该放到大学课堂上，帮助大家进行理解。这才是教育应该花钱的地方。
這部影片比我們學校課本教得更有效率，謝謝大神
高三講到N跟P 就有點懵 現在回來看終於看懂了
PN結的建立過程，漂移與擴散的動態平衡是一步到位的，無需商討磨合，
此視頻是facebook網友的推介，博主造的圖很贊，字幕雖算清晰卻不夠顯眼，閱讀費神，另外就是，解說到〖雪崩擊穿〗現像就止步了，二極管，不過是PN結的初階應用而矣。
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非常棒的科普，感谢你。
博主制作视频不易，辛苦了！主页大陆-香港商务模特经纪，各类资源应有尽有。优质、靠谱！终身服务！
谢谢你的科普！能否加点儿细节？比如 1. 电子之间应该互相排斥，怎么能形成稳定的共价键？2. 硅原子为什么在得到4个电子后会达到稳定状态？其核有14给带正电的质子，而现在它的外围有18给电子。
這些問題更接近化學的範疇，如果好奇細節的話，可以查查看原子殼層、八隅體、共價鍵等關鍵字，應該能找到一些資訊。
首先以我淺薄的高中化學知識來解釋第二個問題：
原子在最外層電子是「滿的」的時候會達到最穩定的狀態。以矽來講，他有14個電子，這些電子分布在不同的「殼層」，分別是最內層2、中間8、最外層4；以碳來講，有6個電子，內層2、外層4。總之，對比較前面週期的原子來說，最內層可以放2個電子，第二層8個，第三層8個，滿了就往上排。
原子如果要達到穩定的狀態，就是最外層「滿」，也就是以矽的(2, 8, 4)來說，他想得四個電子變成(2, 8, 8)或失四個變成(2, 8)；以氧的(2, 6)來說，一般是得兩個電子變成(2, 8)。
關於為什麼是這個規則，其實是非常複雜的事情，我也偷偷省略了一些部分，或許原子軌域和量子力學相關的影片可以給出更詳細的解釋。
現在矽原子希望獲得4個電子變成滿的狀態，其中一種方法就是形成共價鍵，共價鍵的概念基本上可以想成：兩個原子各自拿出一個電子之後共用，各自假裝自己多了一個，所以矽只要拿出四個電子和別人共享另外四個，他就能當成自己有八個。
電子雖然會因為負價相互排斥，但行成鍵結的「位能」依然比不形成還小（位能有點難解釋，總之物理上是位能低更穩定）。而且實際上的鍵結和影片長得並不一樣，只是影片那種畫法比較好理解。
總之只能說，這一切深聊到最後會變成很深的物理∠( ᐛ 」∠)＿
真好看
这个视频有帮到我理解，谢谢
你适合做超级教授，真的
謝謝作者, 之後可以做一期視頻講解芯片之上的第一層代碼是怎樣寫進去的嗎?一直很好奇硬件與軟件之間的橋樑是怎麼運作的
这么多年，终于知道二极管的原理了
太硬核了！❤
PN 结反向偏置的时候，又没击穿的情况下，为啥搞成三极管就导电了
（为啥 NPN 三极管的 P 薄一点就能让其中反向偏置的 PN 结导电）
静态时 N 往 P 扩散的电子，为啥没有在外部反向偏置电场的影响下，反方向飘回来形成电流
静态时 0.7V 电压对应的电场就能阻止电子的扩散，为啥反向偏置电压远大于这个值却不会让电子从 PN 结 P 区空穴出来往 N 区移动，从而也导电
二極體 有分 0.7偏壓和 0.3偏壓...須要低損耗時 可以使用 0.3的
可真有意思！
算是真正讲明白了
利用雪崩擊穿可以做穩壓二極管
稳压二极管的击穿和视频里的雪崩击穿还是不太一样的
@redknot-miaomiao 不是嗎？我以為是一樣的呢，穩壓原理不是反向擊穿嗎？
@@天罡 你可以去查一下齐纳二极管，齐纳击穿和雪崩击穿原理不太一样
@redknot-miaomiao 齊納二極管是不是沒有Pn節啊？
@@redknot-miaomiao 應該是擊穿吧，達到反向擊穿電壓的時候就會擊穿，這個值就是穩壓值了呀，因為反向擊穿的電流達不到，所以不會燒毀，視頻中說過，濟川不一定會損壞二極管
曾經有用鍺做基質的半導體，導通電壓在0.3V左右
额，矽应该就是硅吧，你说的是锗吧
@redknot-miaomiao 我了個去，打錯了，對對，我忘了
@redknot-miaomiao 謝謝更正
下期造光刻机？那么这期怎么不讲下怎么造单晶硅和掺杂呢？😅
不是說參雜會帶電嗎？為什麼在擴散前是電中和，不該是電子填補後才從帶電變成不帶電？
掺杂本身并不会导致半导体带电。你想想，怎么可能存在一种东西不靠外力支持就带电。
@@redknot-miaomiao 但晶硅所有原子的外層電子是滿的，這時候可以說是電中和，但是參雜了磷，多了一個自由電子，爲什麼還是電中和？
擴散是參雜後自由電子填空穴的運動過程，
不是應該擴散後電中和，爲什麼是參雜後，擴散前，算是電中和。
@@ww3icing476 試想磷本身是不是電中性的? 那麼把電中性的磷參雜到電中性的矽內，不應該要是電中性的嗎? 之所以會有自由電子，是因為要跟矽形成共價鍵，只需要4個電子，那麼當有5個電子(跟5個質子)的磷要和矽形成共價鍵的話，勢必有一個電子要落單，應而形成自由電子。"整體"來看，參雜後的區域的總電子數(形成共價鍵的4個電子+游離的1個自由電子)，和總質子數(5個質子)是一樣的，故是電中性的。
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電子不是以光速運動的哦
我想大家可以把大學的學費交到youtube了
绝了，下集就能造光刻机了。以后自己的电脑自己造，让Intel颤抖吧！🤡
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我不懂... 明明原文是 SILICON... 但大陸總習慣稱做 硅
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因為一開始SI的中文是硅(ㄒㄧˋ)但是一般人容易叫成硅(ㄍㄨㄟ)，而後來1933年中華民國把SI的中文改成矽以防大家叫錯，而到1953年中華人民共和國科學院又把矽改回硅並且稱為(ㄍㄨㄟ)，因為矽(ㄒㄧˋ)和硒、烯、醯、錫不好分辨。
以上是我剛剛從網路上查的，我猜也有一部份是因為大陸那邊叫硅叫習慣的原因在吧。
哪有啥不好分辨... 看其他讀音相近的那些元素並沒換字
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学校也就图一乐,真学知识还得是油管
學校是滯後了些也算打基礎也可起個頭 油管用了新技術重新闡述以往的知識是讓人回味無窮也啟發了新意 更能預知機器學習可能發生的麻煩^_*謝謝
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還好這期沒有硬又要扯上黑神話悟空，一堆科普節目標題無關結果硬要扯上讓我感到很反胃