[보충설명 _ 첫 예제의 법선벡터가 왜 (2,3,6) 일까?] : 사실 간단합니다 :) 면의 두 대각선에 나란한 벡터 두개를 외적해주면 얻을 수 있는데, 그 방향은 오른손법칙으로 결정되며 아래 링크에서 이미 설명을 드렸습니다 ua-cam.com/video/9mis_WA-Sy4/v-deo.html 풀이과정을 자세하게 써드려 볼게요! (1) 밑 대각선 벡터는 벡터 뺄셈(ua-cam.com/video/I8kbvaZFNg8/v-deo.html )을 이용하면 구할 수 있으며, 그 연산은 다음과 같습니다 (3,0,0) - (0,2,0) = (3,-2,0) (2) 오른쪽 윗 대각선 벡터도 마찬가지로 (다음의 과정으로) 구합니다 (0,0,1)-(0,2,0) = (0,-2,1) (3,중요) 이때 외적하는 순서가 중요하며, 그는 다시한번 강조 드리지만 오른손법칙을 생각해주셔야 합니다 :) axb 의 순서로 a와 b의 벡터외적일 때 a에서 b방향으로 오른손으로 감아쥐게 되면 오른손 엄지가 "면 바깥방향으로 수직한" 방향이면 됩니다 즉, 이 경우는 (2)에서 구한 벡터가 a가 되고 오히려 (1)에서 구한 벡터가 b가 되겠죠? (axb 라면) 결국 그 둘의 외적을 아래에서 설명드린 (ua-cam.com/video/xevLvi3kRDI/v-deo.html) 방법으로 계산해주면 (2,3,6)이 실제로 나오게 됩니다 :)
안녕하세요 반도체공학 공부하다가 궁금한게 있어 질문드립니다 1. mosfet은 디지털 회로이고 BJT는 아날로그 회로인데 mosfet에서도 ohmic 영역은 선형적으로 증가하니 아날로그 특성이 있는 것 아닌가요? saturation 영역전까지의 전류는 0으로 출력하는 건가요 ? 2. DRAM에서 게이트에 +전압 인가했을 때 소스에 low level을 주면 손실이 없고 high level을 주면 Vth의 손실이 발생해서 Vdd-Vth가 출력된다고 하는데 여기서 low level은 소스와 드레인간의 전위차를 말하는 것이 맞나요? 왜 low level에서는 문턱전압의 손실이 없죠 ?
면적법선벡터로 이해하는게 확실히 실용적이고 좋네요. 이해하기도 쉽고요. 근데 원리가 뭘까요? 100, 111 같은 경우는 쉽게 이해갔는데 제가 방금 직접 외적해서 236면을 외적을 통해서 법선벡터 구해서 확인해보니 기저벡터 성분이 2, 3, 6 나오는걸 확인했는데 이게 왜 각 성분을 역수취해서 최소공배수곱한것과 같게 나오는걸까요?
![[양자역학 입문] 빛의 파동성 및 입자성 (광전효과)](http://i.ytimg.com/vi/C8iBzWlPo1I/mqdefault.jpg)
![[양자역학 입문] 빛의 파동성 및 입자성 (광전효과)](/img/tr.png)
![[물리전자] 밀러지수Miller indices로 결정면 그리기](http://i.ytimg.com/vi/5sAYUDtXMZQ/mqdefault.jpg)
[보충설명 _ 첫 예제의 법선벡터가 왜 (2,3,6) 일까?]
: 사실 간단합니다 :) 면의 두 대각선에 나란한 벡터 두개를
외적해주면 얻을 수 있는데, 그 방향은 오른손법칙으로 결정되며
아래 링크에서 이미 설명을 드렸습니다
ua-cam.com/video/9mis_WA-Sy4/v-deo.html
풀이과정을 자세하게 써드려 볼게요!
(1) 밑 대각선 벡터는 벡터 뺄셈(ua-cam.com/video/I8kbvaZFNg8/v-deo.html
)을 이용하면 구할 수 있으며, 그 연산은 다음과 같습니다
(3,0,0) - (0,2,0) = (3,-2,0)
(2) 오른쪽 윗 대각선 벡터도 마찬가지로 (다음의 과정으로) 구합니다
(0,0,1)-(0,2,0) = (0,-2,1)
(3,중요) 이때 외적하는 순서가 중요하며, 그는 다시한번 강조 드리지만
오른손법칙을 생각해주셔야 합니다 :)
axb 의 순서로 a와 b의 벡터외적일 때
a에서 b방향으로 오른손으로 감아쥐게 되면
오른손 엄지가 "면 바깥방향으로 수직한" 방향이면 됩니다
즉, 이 경우는
(2)에서 구한 벡터가 a가 되고
오히려 (1)에서 구한 벡터가 b가 되겠죠? (axb 라면)
결국 그 둘의 외적을 아래에서 설명드린
(ua-cam.com/video/xevLvi3kRDI/v-deo.html)
방법으로 계산해주면
(2,3,6)이 실제로 나오게 됩니다
:)
학교에서 진로 관련해서 기하와 백터의 원리를 이용한 것을 발표하라는 수행평가가 있었는데 반도체 공학자가 진로라서 막막 했는데 정말 도움이 되네요,,, 감사합니다 !! 그리고 혹시 영상 속에 설명을 위해 그리신 도형을 PPT에 사용해도 될까요?
네 :) 출처를 밝혀 주신다면 괜찮습니다
@@bosstudyroom 아 감사합니다!!
시험 5시간전 최고의ㅡ 선택!!
공대생인데 전공 공부 할때마다 많은 도움이되었습니다 감사합니다ㅜ
도움을 드리게 되어서 다행입니다 :)
감사드립니다 ㅎ_ㅎ
안녕하십니까 궁금한게 있어서 질문드립니다! 혹시 밀러지수를 표기할 때 ()와 를 두개의 괄호가 쓰이는 데 차이점을 알 수 있을까요?
혹시 하나의 같은 교재에서 그러한 두 가지의 표현을 사용한다는 말씀일까요? 표기법은 책마다 다를 수 있어서요.
안녕하세요 밀러지수 공부하다가 궁금하여 질문 합니다. 밀러지수가 (511)인 면심입방구조에서 단위 유닛에 몇개의 원자가 들어갈까요? 단순히 면심입방구조에서는 4개인데 GPT에 물어보니 어쩔땐 5개라고하고 어쩔땐 3개라고 하네요
직접 풀이해보시는 것을 추천드립니다.
학부연구생하면서 촉매 결정구조에 대해 공부중인데 도움이 많이 되었습니다!!!!
도움이 되셨다니 다행입니다!
댓글 남겨주셔서 감사합니다 :)
덕분에 쉽게 이해했습니다. 감사합니다.
좋은 댓글 감사드립니다 :)
감사합니다ㅎㅎㅎ 물리전자공학 수업을 듣고있어서 보러 왔어유 !
ㅎ_ㅎ 제 영상을 보러 와주셔서 감사합니당 :)
안녕하세요 기하과목을 고등학교 수업에서 배우고있는데 혹시 탐구발표때 이 자료를 사용해도 괜찮을까요..? 영상 잘보았습니당
넵, 출처를 밝혀주시면 언제든 가능합니다 : )
교재 설명이 하도 난해해서 열받았는데 그냥 법선벡터였네요... 감사합니다
댓글 감사드립니다 :)
안녕하세요 반도체공학 공부하다가 궁금한게 있어 질문드립니다
1. mosfet은 디지털 회로이고 BJT는 아날로그 회로인데 mosfet에서도 ohmic 영역은 선형적으로 증가하니 아날로그 특성이 있는 것 아닌가요? saturation 영역전까지의 전류는 0으로 출력하는 건가요 ?
2. DRAM에서 게이트에 +전압 인가했을 때 소스에 low level을 주면 손실이 없고 high level을 주면 Vth의 손실이 발생해서 Vdd-Vth가 출력된다고 하는데 여기서 low level은 소스와 드레인간의 전위차를 말하는 것이 맞나요? 왜 low level에서는 문턱전압의 손실이 없죠 ?
저는 물리학전공이라 전자회로 관련해서는 노트를 보고서 다시 복습해야 합니다.
요즘엔 업무로 많이 바쁘니 영상 내용에 대해서만 질문하세요.
면적법선벡터로 이해하는게 확실히 실용적이고 좋네요. 이해하기도 쉽고요. 근데 원리가 뭘까요? 100, 111 같은 경우는 쉽게 이해갔는데 제가 방금 직접 외적해서 236면을 외적을 통해서 법선벡터 구해서 확인해보니 기저벡터 성분이 2, 3, 6 나오는걸 확인했는데 이게 왜 각 성분을 역수취해서 최소공배수곱한것과 같게 나오는걸까요?
양자역학 영상에 남겨주신 댓글도 그렇고 제가 알림을 지금 봤네요 :)
이것도 중요한 포인트였던 것으로 기억하는데, 제가 최근에는 복잡계 연구주제를 공부하고 있어서 바로 답변 드리기엔 기억이 잘 안나네요
추후에 이 부분 확인해서 답변드리도록 할게요!