1 1 半導體製程聚焦論壇 何者為上位，Si, Ge, GaN and cFET

[@xyliu701]

王老师，我对于si-cfet, pmos on top of nmos的原因还有些费解。是因为 pSiGe先长epi process更容易进行吗？这样长出来的pSiGe defects会更少？有文章对比p on n 和n on p 吗？谢谢~

[@王不老說半导]

以前是n first 因为Silane 制程所需温度較SiGe 的Germane 高一百多.但是后来發现pSiGe 先比较好.一场切要看你自己的制程.二者最好都试一下

[@xyliu701]

好的 谢谢王老师😊​@@王不老說半导

[@Sky94567]

哀...花了點時間聽完 但真的不知道你想表達甚麼 都是依照投影片念過...