2가지 질문이 있습니다. 1. CCP 대비 ICP의 장점은 유도된 자기장과 반대방향으로 전자가 원운동을하여 CCP와 달리 전자들이 챔버와 부딪히지않아서 High Density plasma를 형성하는 장점이 있다고 알고있습니다. 근데 DC Self bias 설명을 보면 전자의 질량이 가벼워 한쪽 전극 (RF 인가한곳, 특히 면적이 작은곳) 으로 몰려 상대적 - 전압을 유지한다고 말씀해주셨는데 앞 설명은 전자가 챔버와 부딪히지 않는다고 하셨으내 뒤에서는 전자가 한쪽으로 쏠림다고 하시는데 이부분 설명 부탁드려도 될까요? 2. RF를 켠 쪽으로 Self Bias가 형성된다고 하셨는데, 그럼 Source & Bias 둘 다 Self Bias가 형성되는건가요? 다만, 전극 크기에 기인하여, 또 크기를 작게 만든 전극 쪽으로 상대적으로 더 - 전압이 형성되는건가요?? 너무 궁금합니다 ㅠ
안녕하세요! 영상 잘 보고 있습니다 혹시 12:00 설명에서 self bias에 의해 전압이 강하되는 이유가 양이온과 전자의 모빌리티 차이로 양이온은 하이 프리퀀시에서 가만히 있는거 처럼 보이기 때문인걸로 아는데 그러면 양이온으로 인한 스퍼터링이 발생하지 못하지 않나요??
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ICP ETCH 설비 다루는 엔지니어인데 진짜 완벽한 설명이십니다
3년차인데 아직도 ICP 방식에 대한 이해가 부족한데 많이 배우고 갑니다 선배님
2가지 질문이 있습니다.
1. CCP 대비 ICP의 장점은 유도된 자기장과 반대방향으로 전자가 원운동을하여 CCP와 달리 전자들이 챔버와 부딪히지않아서 High Density plasma를 형성하는 장점이 있다고 알고있습니다. 근데 DC Self bias 설명을 보면 전자의 질량이 가벼워 한쪽 전극 (RF 인가한곳, 특히 면적이 작은곳) 으로 몰려 상대적 - 전압을 유지한다고 말씀해주셨는데 앞 설명은 전자가 챔버와 부딪히지 않는다고 하셨으내 뒤에서는 전자가 한쪽으로 쏠림다고 하시는데 이부분 설명 부탁드려도 될까요?
2. RF를 켠 쪽으로 Self Bias가 형성된다고 하셨는데, 그럼 Source & Bias 둘 다 Self Bias가 형성되는건가요? 다만, 전극 크기에 기인하여, 또 크기를 작게 만든 전극 쪽으로 상대적으로 더 - 전압이 형성되는건가요?? 너무 궁금합니다 ㅠ
안녕하세요! 영상 잘 보고 있습니다 혹시 12:00 설명에서 self bias에 의해 전압이 강하되는 이유가 양이온과 전자의 모빌리티 차이로 양이온은 하이 프리퀀시에서 가만히 있는거 처럼 보이기 때문인걸로 아는데 그러면 양이온으로 인한 스퍼터링이 발생하지 못하지 않나요??
양이온에 의한 스퍼터링을 유도를 위해서는 별도의 바이어스 파워가 필요 합니다.^^
@@mungineer1914 감사합니다!!
항상 영상 감사합니다. 8:00 부분에 대해 질문이 하나 있는데 MFP가 증가하면 충돌 확률이 떨어지는 것 아닌가요? 가속할 수 있는 구간이 늘어나서 플라즈마 밀도가 높아지는 것이라 이해하면 될까요?
공정 특성상 압력이 낮아서 충돌 확률이 낮은데... 자기장에 의한 전자의 회전 운동으로 전자이동 거리가 늘어나 낮은 밀도에도 충돌 확률을 올릴 수 있다는 내용을 이야기 하고 싶었습니다..