Маломощный импульсный источник на микросхеме TinySwitch. Рассчет в программе PIExpert.

Поділитися
Вставка
  • Опубліковано 17 вер 2024
  • В видео рассматривается построение маломощного импульсного блока питания обратноходовой топологии на микросхемах серии TinySwitch. Рассмотрен интерфейс программы и корректировки в зависимости от нужных характеристик. Это ознакомительное видео для быстрого построения блока питания без самостоятельного рассчёта параметром схемы.
    Детальна інструкція з побудови малопотужного імпульсного блока живлення Flyback топології на мікросхемах серії TinySwitch для домашніх любительских пристроїв. Розглянуто інтерфейс додатку і корегування значень в залежності від потрібних характеристик БЖ. Це лише ознайомлювальне відео для швидкої побудови блока живлення без самостійних розрахунків параметрів схеми.

КОМЕНТАРІ • 11

  • @Thesturmgever
    @Thesturmgever 2 роки тому

    Я благодарен за подробное видео как работать с этой программой. Очень долго, но ничего лишнего. Всё подробно. Спасибо. Ждём дальнейших видео с другими tny, часто там за звери такие 😊

  • @himik_nzt
    @himik_nzt 2 роки тому +2

    Очень информативно! Спасибо за труд!!!

    • @himik_nzt
      @himik_nzt 2 роки тому

      Программа станет на маломощный ноут?

    • @BREAKINGHEADLAB
      @BREAKINGHEADLAB  2 роки тому

      @@himik_nzt должна

  • @flyman1625
    @flyman1625 6 місяців тому +1

    Интересная програмуля.
    Вопрос, а она надо? Мож где в проектных на производстве? А дома лепим из того, что имеем, хотя из любопытства конечно скачал🙂👍

    • @BREAKINGHEADLAB
      @BREAKINGHEADLAB  6 місяців тому

      Можна ліпити з чого попало, але розрахунки будуть дуже довгі. Економиться час і підвищується якість та надійність за рахунок прорахунку всіх нюансів. Насправді в кожного виробника мікросхем має бути софт для використання

  • @1Real1
    @1Real1 10 місяців тому

    Первинну обмотку транса обов'язково ділити на дві рівні частини. Таким чином індуктивність розсіювання зменшується майже в 4 рази і відповідно викид на дрейні силового транзистора.

    • @BREAKINGHEADLAB
      @BREAKINGHEADLAB  10 місяців тому

      Так, але як правило досить важко намотати другу частину обмотки зверху на товсту вторинну, якщо це робиться вручну. І додаткова ізоляція добавляє проблем. На практиці пробував, робив заміри, але вручну так і не отримав сильно кращого результату. Точно не в 4 рази

    • @1Real1
      @1Real1 10 місяців тому +1

      @@BREAKINGHEADLAB
      Нічого там важкого немає. Звісно, 4 рази - це теоретично, впливають й інші параметри, зокрема додадкова ізоляція, яка підвищує індуктивність розсіювання і деякі інші, але сумарний ефект дуже суттєвий і БЖ починає працювати "правильно" :-)

    • @flyman1625
      @flyman1625 6 місяців тому

      ​@@1Real1добрый. Интересно конечно что вот так лучше чем иначе. А если конкретнее, чтобы в числах?

    • @1Real1
      @1Real1 6 місяців тому

      @@flyman1625
      Якщо в Гуглі ще не банили, то набираємо в пошуку "Індуктивність розсіювання формула" и дивимося, що вона обратно пропорційна квадрату кількості секцій. Чи ви пропонуєте мені вам тут у коментах формулу написати? 😂