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语速不快，没有莫名其妙的bgm，内容质量还很高，太喜欢这个风格了，加油多出内容
我對你下一部影片的期待有這~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~麼多感謝你的科普
哈哈哈哈哈
每一期的内容质量都很好👍
讲话跟我们的一位讲师一样XD “这么多~~~~” “呜哇~~太不可思议了同学们。”
影片的動畫做的超好，比大學上的課好上幾萬倍
期待推出ssd为什么会有寿命的原理。
通俗的说，为了导通浮栅晶体管的两个N极需要在控制极施加一个电压。最小导通电压随浮栅极中电子的数量增多而增大。以SLC为例，由于无法直接知道浮栅极中有多少电子，我们只能向控制极施加一个中间电压（即浮栅极中没有电子和充满电子时两个导通电压的平均值，多阶存储单元则为相邻两个状态的标准导通电压的平均值），如果导通意味着浮栅极电子较少记为1未导通记为0. 写入数据时则通过控制P极和控制极的电压，依靠量子隧穿效应使所有电子穿过绝缘层（二氧化硅，包裹在浮栅极外）离开浮栅极（此时为1，擦写时必须先经过这一步）后再注入电子（如果需要写入0）。问题就出在了这个二氧化硅绝缘层上，因为每次高能电子穿过绝缘层时会对二氧化硅造成结构损坏形成电子陷阱从而困住部分电子，而这部分电子会形成电场阻碍电子移动。随着被困住的电子数量增加，为了导通两个N极所需要的最小电压也逐渐升高，产生电压偏移。当为了导通低电子状态（原本中间电压可以导通）的电压超过中间电压时，我们就无法再区分这个浮栅晶体管的状态，晶体管也就失效了。因为MLC, TLC, QLC分别需要存储4，8，16种状态，不同状态间的分割非常狭窄，更容易受到电压偏移的影响，这也使得其擦写寿命呈现指数级下降。SLC大约可以擦写10万次，而QLC最多大约只能承受500～1000次。同时，绝缘层的结构损坏还可能会导致擦除时电子吸出不彻底或者热电子注入不完全，甚至绝缘失效。这个损耗的过程无法逆转，依靠现在的技术也无法真正解决。MLC, TLC, QLC的多阶存储状态是人为设定的，其晶体管结构与SLC完全一样。另外由于断电后电子会逐渐从浮栅极中泄漏，过长时间（大约2～3年）的持续断电可能会造成数据不可恢复的丢失。
簡單的說就是：有一個叫做floating gate 的東西，他前面有一個tunnel oxide，這個oxide（絕緣層）他要讓電子穿過，用來讀寫，又要把電子檔住，不然電腦關機（沒有refresh）資料就會不見，所以：這層oxide很尷尬，既不能太厚，導致無法讀寫（電子過不去），又不能太薄（不然電子一下就跑光了，資料沒幾天就消失）。而每一次的讀寫都會對這層oxide造成傷害（電子在中間穿來穿去，把裡面的結構損毀），所以，到一定程度之後，這個oxide就會關不住電子，讓資料跑掉。
固態硬碟放太久沒用資料有概率會消失
就是存二进制两个数字1和0，没电🪫代表0，满电代表1是吗
一个电容一个晶体管是DRAM，六个晶体管是SRAM
不错 讲得真好 直观易懂！
太喜欢你的视频了，天生科普圣体
感谢大佬
謝謝分享
其实应该先讲SRAM再讲DRAM，SRAM的那一套正反馈机制就正好是DRAM的那个放大电路了
不太一樣，dram的放大器，最簡單的，應該只有4個mos，而且沒有閂鎖的結構，vcc和gnd的放大是分開的兩個mos，各兩個，共四個。
4:27 妙啊
鎖存器.怎麼很像半H橋驅動電路
太喜欢了
在反復充放電的過程中，是不是有能量損耗呀？
当然，这是要用电的😂
於是就發熱了
@huoschen 好的！謝謝
@@xiaomingjohn8761 謝謝
對，所以你的電腦手機要充電
挺不错
05:08
应该是用AI TTS语音生成的，带有老外说中文的口音。
啊？！
已在bilibili看完。
好一个“zèn么多”😂
不明白wordline的翻译有什么问题
Wordline应该叫词线
其实因该有字节线的意思，但是字在中文里面都是单个字，容易误导有歧义
英文不行以單一字母代表"字"，所以中文翻譯後會以為只有"一個"字的代表意義，而在英文是"四個"組合成一個字。(同影片中的示範要由每個bit串成word才會有"字"意義，以電腦科學想法 bit、word 比較能跳脫中英解釋的分歧)
@@自我表达 字在中文里有不可分割的语义单位的意思，正好计算机里的word指的是一次读或写操作访问到的数据量，所以是对得上号的，受到接线方法限制，除了8位机之外，计算机通常很难单独读取一个字节。“字节”顾名思义是字的一部分。这里唯一会产生歧义的地方是，有些时候计算机里的一个字就是硬性规定的16个位，但是一般来说只要弄清楚语境就能区分正在说的字是哪个含义了。
夢迴大一學的邏輯設計
6:47 慢慢的 一就會變成0了
更新更新
语速不快，没有莫名其妙的bgm，内容质量还很高，太喜欢这个风格了，加油多出内容
我對你下一部影片的期待有這~
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~麼多
感謝你的科普
哈哈哈哈哈
每一期的内容质量都很好👍
讲话跟我们的一位讲师一样XD “这么多~~~~” “呜哇~~太不可思议了同学们。”
影片的動畫做的超好，比大學上的課好上幾萬倍
期待推出ssd为什么会有寿命的原理。
通俗的说，为了导通浮栅晶体管的两个N极需要在控制极施加一个电压。最小导通电压随浮栅极中电子的数量增多而增大。以SLC为例，由于无法直接知道浮栅极中有多少电子，我们只能向控制极施加一个中间电压（即浮栅极中没有电子和充满电子时两个导通电压的平均值，多阶存储单元则为相邻两个状态的标准导通电压的平均值），如果导通意味着浮栅极电子较少记为1未导通记为0. 写入数据时则通过控制P极和控制极的电压，依靠量子隧穿效应使所有电子穿过绝缘层（二氧化硅，包裹在浮栅极外）离开浮栅极（此时为1，擦写时必须先经过这一步）后再注入电子（如果需要写入0）。问题就出在了这个二氧化硅绝缘层上，因为每次高能电子穿过绝缘层时会对二氧化硅造成结构损坏形成电子陷阱从而困住部分电子，而这部分电子会形成电场阻碍电子移动。随着被困住的电子数量增加，为了导通两个N极所需要的最小电压也逐渐升高，产生电压偏移。当为了导通低电子状态（原本中间电压可以导通）的电压超过中间电压时，我们就无法再区分这个浮栅晶体管的状态，晶体管也就失效了。因为MLC, TLC, QLC分别需要存储4，8，16种状态，不同状态间的分割非常狭窄，更容易受到电压偏移的影响，这也使得其擦写寿命呈现指数级下降。SLC大约可以擦写10万次，而QLC最多大约只能承受500～1000次。同时，绝缘层的结构损坏还可能会导致擦除时电子吸出不彻底或者热电子注入不完全，甚至绝缘失效。这个损耗的过程无法逆转，依靠现在的技术也无法真正解决。MLC, TLC, QLC的多阶存储状态是人为设定的，其晶体管结构与SLC完全一样。另外由于断电后电子会逐渐从浮栅极中泄漏，过长时间（大约2～3年）的持续断电可能会造成数据不可恢复的丢失。
簡單的說就是：
有一個叫做floating gate 的東西，他前面有一個tunnel oxide，這個oxide（絕緣層）他要讓電子穿過，用來讀寫，又要把電子檔住，不然電腦關機（沒有refresh）資料就會不見，所以：
這層oxide很尷尬，既不能太厚，導致無法讀寫（電子過不去），又不能太薄（不然電子一下就跑光了，資料沒幾天就消失）。
而每一次的讀寫都會對這層oxide造成傷害（電子在中間穿來穿去，把裡面的結構損毀），所以，到一定程度之後，這個oxide就會關不住電子，讓資料跑掉。
固態硬碟放太久沒用資料有概率會消失
就是存二进制两个数字1和0，没电🪫代表0，满电代表1是吗
一个电容一个晶体管是DRAM，六个晶体管是SRAM
不错 讲得真好 直观易懂！
太喜欢你的视频了，天生科普圣体
感谢大佬
謝謝分享
其实应该先讲SRAM再讲DRAM，SRAM的那一套正反馈机制就正好是DRAM的那个放大电路了
不太一樣，dram的放大器，最簡單的，應該只有4個mos，而且沒有閂鎖的結構，vcc和gnd的放大是分開的兩個mos，各兩個，共四個。
4:27 妙啊
鎖存器.怎麼很像半H橋驅動電路
太喜欢了
在反復充放電的過程中，是不是有能量損耗呀？
当然，这是要用电的😂
於是就發熱了
@huoschen 好的！謝謝
@@xiaomingjohn8761 謝謝
對，所以你的電腦手機要充電
挺不错
05:08
应该是用AI TTS语音生成的，带有老外说中文的口音。
啊？！
已在bilibili看完。
好一个“zèn么多”😂
不明白wordline的翻译有什么问题
Wordline应该叫词线
其实因该有字节线的意思，但是字在中文里面都是单个字，容易误导有歧义
英文不行以單一字母代表"字"，所以中文翻譯後會以為只有"一個"字的代表意義，而在英文是"四個"組合成一個字。
(同影片中的示範要由每個bit串成word才會有"字"意義，以電腦科學想法 bit、word 比較能跳脫中英解釋的分歧)
@@自我表达 字在中文里有不可分割的语义单位的意思，正好计算机里的word指的是一次读或写操作访问到的数据量，所以是对得上号的，受到接线方法限制，除了8位机之外，计算机通常很难单独读取一个字节。“字节”顾名思义是字的一部分。
这里唯一会产生歧义的地方是，有些时候计算机里的一个字就是硬性规定的16个位，但是一般来说只要弄清楚语境就能区分正在说的字是哪个含义了。
夢迴大一學的邏輯設計
6:47 慢慢的 一就會變成0了
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