Merci ca fait 40 ans que je n'ai pas eu de formation en électronique et tu réveilles des souvenirs agréables bref de mémoire d'accord avec toi pour le MOSFET pour le transistor il est bien plus facile de travailler avec la relation iC/iB=gain... dans le cas de ce montage pour les mesures d'amplifications iB = le courant appliqué sur la base du transistor iC varie en fonction de la charge appliqué iE = pas important dans ce cas de figure car iE = iB + iC je prend l'exemple d'un transistor typique comme un 1n2222a sachant que 2ma sur Ib est le courant de charge minimum appliqué sur la base pour entrer dans la zone linéaire et que 10ma est le courant de saturation alors là on sait que la zone linéaire se situe entre 2 et 10ma Ici ce qui nous intéresse c'est la saturation de Vce rB = Vin - Vbe/10ma = (3.3v - 0.9v) /10ma= 240 ohms une 220 ohms fait bien le travaille avec un esp32 avec un MOSFET en théorie l'impédance est infinie entre la grille et la source.... donc qu'en la tension Ugs dépasse un certain seuil le MOSFET entre en saturation. je recommande l’utilisation de mosfet à cause de l'impédance presque qu'infinie sur la grille .... bonne continuité
Super ! Comme dab !! J’aimerais bien que tu continue ta série sur altium avec des exemples comme des barrières ir ou des intégrations de capteurs ;-) encore merci pour le boulot !
merci , mais j'aurais bien aimé que vous expliquez la diode intrinsèque du mosfet , est elle passante même si le mosfet est en état off ? son sens .? existe ils des éventuelles applications en électroniques ?
Merci ca fait 40 ans que je n'ai pas eu de formation en électronique et tu réveilles des souvenirs agréables
bref de mémoire d'accord avec toi pour le MOSFET
pour le transistor il est bien plus facile de travailler avec la relation iC/iB=gain... dans le cas de ce montage pour les mesures d'amplifications
iB = le courant appliqué sur la base du transistor
iC varie en fonction de la charge appliqué
iE = pas important dans ce cas de figure car iE = iB + iC
je prend l'exemple d'un transistor typique comme un 1n2222a
sachant que 2ma sur Ib est le courant de charge minimum appliqué sur la base pour entrer dans la zone linéaire et que 10ma est le courant de saturation alors là on sait que la zone linéaire se situe entre 2 et 10ma
Ici ce qui nous intéresse c'est la saturation de Vce
rB = Vin - Vbe/10ma = (3.3v - 0.9v) /10ma= 240 ohms
une 220 ohms fait bien le travaille avec un esp32
avec un MOSFET en théorie l'impédance est infinie entre la grille et la source.... donc qu'en la tension Ugs dépasse un certain seuil le MOSFET entre en saturation.
je recommande l’utilisation de mosfet à cause de l'impédance presque qu'infinie sur la grille ....
bonne continuité
Super ! Comme dab !! J’aimerais bien que tu continue ta série sur altium avec des exemples comme des barrières ir ou des intégrations de capteurs ;-) encore merci pour le boulot !
merci , mais j'aurais bien aimé que vous expliquez la diode intrinsèque du mosfet , est elle passante même si le mosfet est en état off ? son sens .? existe ils des éventuelles applications en électroniques ?
Bonjour professeur
Merci beaucoup pour votre aide et vos conseils.
Merci beaucoup pour cette vidéo
Merci beaucoup pour tous tes tuto !!!