半導体ウェーハ研削盤 DXSG320/R631DF【JIMTOF2020 Online】

「シリコンウェーハ両面同時研削盤」は、①ラップ研磨 ②片面研削を集約。
イニシャルコスト・ランニングコストでラップ工程ラインより圧倒優位。
「パワー半導体ウェーハ研削盤」は、表面粗さ を動画で紹介しています。
AL₂O₃・SiC・GaN等に加えて、樹脂・金属・硬脆材の混合材料も研削可能。
結晶方位の補正研削も可能。
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