N沟道MOSFET工作原理及伏安特性曲线

[@geamdjum09]

乾淨俐落，清楚明瞭！謝謝你🙏

[@Ruby-tg9ys]

很清楚 謝謝分享，希望可以多多出這樣的影片💪🏻

[@weekendlabs_cn]

感谢支持

[@froglegs4910]

老師真是高人 !

[@weekendlabs_cn]

互相学习

[@xiaoyuliu6741]

真棒👏🏻👏🏻👏🏻👏🏻

[@weekendlabs_cn]

谢谢支持

[@yi_huimeng1936]

大家好 今天我們繼續講(MOSFET841==count298
==incoming 663==A1==Isrel702==406B)==1206O==214B的結構

[@瑋呈洪]

講得超好

[@weekendlabs_cn]

感谢支持

[@yuanmi3910]

在6:15的时候，Vgs应该是大于Vt(threshold voltage)吧，如果Vgs=0，nmos是关闭的，不会有电流通过。

[@weekendlabs_cn]

这个讲的是N沟道“耗尽型”mosfet

[@yuanmi3910]

@@weekendlabs_cn 明白了，谢谢

[@davidwei2140]

P-well 不是應該少一些電子在通道嗎 怎麼是多一些電子在通道?

[@顧炬丹]

生產一個產品與使用那個產品是不同層次的問題，請多說說如何使用這個產品，一班都用在那些地方。

[@guoleli7627]

结构示意图的衬底和源极也要连在一起吧？😊

[@台灣飯筒]

能也介紹p沟道

[@szuchipan3649]

不錯，可以聽聽看大陸的教法，而且講的很清楚

[@weekendlabs_cn]

感谢支持，我是个初学者，不是老师，就是把自己理解的知识整理一下而已，如果有错误欢迎指正

[@kjyhh]

11:26 Vds应该等于0，因为它们连着导线

[@weekendlabs_cn]

我图片没有改，但是问题是，夹断时的Vds，不是针对图上说的。。。

[@QQC666]

為什麼你的inversion layer長在右邊？除了S跟D兩個N-well，其他都是Psub，inversion layer應該在gate端與N-well邊界形成才對。

[@weekendlabs_cn]

每有看懂您的意思，我的inversion layer是浅紫色的，标着1V 2V的那块区域，因为Gate电场的存在，电子是被吸引到这片区域的，并不是右侧粉红色的区域，粉红色是耗尽层，所以通道就是左边啊

[@QQC666]

@@weekendlabs_cn 不好意思看錯了，這是一個depletion mosfet，謝謝您的回覆。

[@李旭鹏-r4o]

这里的Idss也可以称之为漏电流，对吧。这个漏电流是非常微弱的。您能给一个漏电流大概的数量级么

[@weekendlabs_cn]

Idss是饱和电流，不是漏电流，饱和电流是大电流

[@LadytheKingsmother]

那为什么夹断之后电压增加电流还是保持最大值

[@weekendlabs_cn]

电压和电流会达到一个动态平衡，通道变窄和电流增加都是由于电压的变化，最后只会达到一个动态平衡，也就是通道会固定在一个最大电流能够通过的通道

[@pomo7496]

你的声音用什么好办法做到这么轻😂😂😂

[@digitalboyzone]

声音太小

[@weekendlabs_cn]

后面收音设备有所改善

[@yidangzhuanzheng]

声音太小太小。

[@weekendlabs_cn]

当时设备不太好