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Tô aprendendo muito com esse canal muito profissional muito simples suas explicações e ótimas matérias obrigado e que Deus te abençoe sempre pra continuar nos ensinando
E aí meu amigo Eloi tudo bem com você ...uma aula ótima,emm parabéns pela aula,de hoje tbm ...um abração um ótimo final de semana tbm ..... é nois .....
Caraca como sempre uma aula Top. O nivel desse canal em didatica é bizarro de grande, comparado a outros. Parabeens Electrolab. 10% dos seus conhecimentos eu seria feliz demais heehe
parabéns pelo ensinamento com seu vídeo consegui compreender o funcionamento do mosfet melhor, e com isso fazer a aplicação correta em uma adaptação que estava precisando fazer e resolver meu problema. Deus abençoe
Obg pelo vídeo, bem legal, acho que para muita gente seria mais fácil utilizar um duplicador de tensão daqueles com 2 caps e 2 diodos, fácil de utilizar com mcus e permitem a condução always-on. De quebra pode até dispensar um dos caps se a mcu fizer saída open collector no lugar de push-pull. NOTA: Esse seria o caso para "drivear" um transistor de alta corrente em 5+5v, e não um transistor de 12v em 5, o que dá margem para outro vídeo mostrando o duplicador de tensão em cascata.
Acho incrível como você explica e eu consigo entender com a maior facilidade. Você é ou já foi professor em alguma instituição ? Tem curso de didática ou isso nasceu com você ?! De qualquer forma parabéns por tanto conhecimento e pela facilidade em ensinar👏
Agora eu entendi a importância do circuito bootstrap em modulos de potência classe D na etapa do amplificador em sistemas half bridge, boa aula professor parabéns.
Boa noite. Excelente explicação. Uma sugestão : Vamos tentar explicitar a relação entre a frequência de chaveamento de um Mosfet canal N e o circuito RC do bootstrap ? No exemplo, o capacitor de 2,2uF e o resistor de 10K formam uma constante de tempo de 22ms. . É um tempo muito grande para um chaveamento de, por exemplo, 50KHz. Vamos tentar discutir sobre frequência de operação de um PWM e a rede do bootstrap, para usarmos um mosfet de canal N, em circuito de potência? Para tensões maiores de alimentação, não seria necessário usar 1 zener entre gate e source no mosfet, para limitar a tensão entre gate e source.? Fica a sugestão.
Para acionar equipamentos de 24v a configuração low side já resolve(ON / OFF)? Utilizando um circuito driver com TBJ. A ideia é utilizar um ESP32 para realizar o acionamento, claro que utilizando acoplador ótico.
Usar um MOSFET como chave para acionar equipamentos de 24V é uma solução eficiente e comum, especialmente em configurações low-side, onde o MOSFET está conectado ao lado negativo (terra) do circuito. Isso significa que o dispositivo é conectado entre a fonte de alimentação e o dreno do MOSFET, enquanto o source do MOSFET é conectada ao terra. Pode ser necessário um resistor de pull-down no gate do MOSFET para garantir que ele permaneça desligado quando não está sendo acionado.
Eu gostei muito do circuito, e me ajudou a entender mais sobre chaveamento de mosfet, gostaria de ver um circuito com o mosfet trabalhando na região linear, como se faz por exemplo em carga ativa.
Professor, fiquei com uma dúvida. Na elevação de tensão com um inversor dc// com um driver push pull chaveado os canais n com uma frequência +/- 40 kHz seria necessário esse circuito? 24 dc no coletor e 12 no gate? Eu entendi que ele seria para canal p.
Eu vi um circuito parecido desses com 13007 e igbt pra gerar 60hz 220vac com 380vdc. Ele funciona, porém o turn on do mosfet é lento. Existe alguma maneira de aumentar a velocidade de comutação ?
A melhor prática é sempre escolher um MOSFET com baixa capacitância da saída (Coss), não sendo possível alterar o circuito essa é a melhor alternativa de ter uma comutação mais rápida.
E existe solução para utilizarmos um Mosfet canal N interrompendo o VCC da Carga em situações de liga/desliga (ao invés de chaveamentos rápidos)? Por exemplo: o Mosfet seria usado para funcionar como uma chave liga/desliga para alguma etapa do circuito (para alimentar uma fita LED, por exemplo).
Para cargas não dependentes de estarem permanentemente aterradas, o ideal é chavear o GND no canal N. Se colocar do outro lado, dependendo das tensões e do MOSFET, pode não ser possível acionar o gate, salvo com técnicas como a comentada neste vídeo.
Há certa influência, por isso comentei que o bootstrap não é uma solução se alta frequência de chaveamento for uma condição essencial, já que o Mosfet ficaria mais lento.
Entendi a idéia do bootstrap. Más, se levarmos em consideração que esse mesmo Mosfet vai trabalhar no amplificador de RF de um radio PX, por exemplo. lá tem um bootstrap projetado para RF ou é do mesmo que você demonstrou ?
Olá, sim é possível se usar os raros MOSFETs de depleção. Os MOSFETs comuns (de intensificação) não serviriam, salvo se você adicionar um circuito externo que mantenha o gate em um estado tal que o MOSFET conduza até que seja alimentado para "desligar" a condução.
Excelente Eloy.A explicação do circuito bootstrap foi muito boa.Pelo que entendi a topologia lowside só é usada no caso da comutação única(canal n e alta corrente).Certo?
Os FETs geralmente não têm uma frequência máxima de comutação definida. O mais próximo disso são os tempos de subida e descida da comutação, que são fornecidos no datasheet. O IRF740 apresenta tempos de comutação de 10ns. Então pode se estimar que uma operação até 500KHz poderia ser viável, mas a potência usada, o tipo de carga e outros fatores podem influenciar também reduzindoesse máximo. Você deve escolher uma frequência para que as perdas gerais sejam baixas e os benefícios superem os problemas. Precisa ter em mente a carga e a corrente do gate necessárias para acioná-lo na frequência escolhida.
Por favor, gostaria de mais uma informação sua: preciso alimentar um circuito indutivo com uma bateria de 12v 60a, qual desses dois mosfet seria o mais indicado. IRFP260 Dissipação máxima de corrente 300w Drenagem máxima de corrente 50A Tensão máxima da fonte de Drenagem 200 V. Ou IRFB3306 Dissipação máxima de corrente 230w Drenagem máxima de corrente 160A Tensão máxima da fonte de drenagem 60 V Os outros parâmetros são bem parecidos. O circuito consome 35 A de corrente . Agradeço desde já sua atenção.
Se o seu circuito é bem controlado e não há picos inesperados de corrente ou tensão, o IRFB3306 é a escolha ideal devido à sua maior capacidade de corrente, mesmo que tenha uma tensão de dreno-fonte mais baixa. Além disso, ele oferece uma margem de segurança em termos de capacidade de corrente. Se há a possibilidade de picos de tensão, especialmente devido à natureza indutiva do circuito, o IRFP260 seria uma escolha mais segura por sua maior tensão de dreno-fonte.
@@Electrolab-Eletronica Essa não foi a primeira vez que pude contar com você sanando dúvidas, com essa explicação fiz a escolha do mosfet. Muitíssimo obrigado, não só pela orientação, mas, também pela atenção dispensada.
Olá, amigo. Fiquei com uma dúvida em relação ao sistema bootstrap. Ele poderia interferir no controle PWM? Por exemplo, se eu tentar controlar o PWM de um motor e variar a sua velocidade, esse sistema faria com que o MOSFET permanecesse sempre em saturação, comprometendo o controle de velocidade?
O sistema bootstrap não deveria impedir o controle PWM adequado se projetado corretamente. O problema surge se o capacitor bootstrap não puder ser recarregado adequadamente, o que pode resultar em falhas no chaveamento do MOSFET e, portanto, comprometer o controle de velocidade do motor. Para evitar isso, é importante escolher corretamente a frequência PWM, o ciclo de trabalho e os componentes do circuito bootstrap.
Existem vários circuitos integrados (ICs) projetados especificamente para implementar um circuito de bootstrap, especialmente em aplicações de drivers de MOSFETs de alta e baixa tensão: IR2110: Um dos drivers de MOSFET mais comuns que suporta topologias half-bridge e full-bridge. Ele pode operar até 500V e tem capacidade de corrente de saída de até 2A. IRS2186: Um driver half-bridge com um intervalo de tensão de até 600V. É similar ao IR2110, mas com algumas diferenças em características específicas, como proteção contra curto-circuito. IR2184: Um driver half-bridge com um intervalo de tensão de até 600V e uma configuração de pulso de largura modulada (PWM). L6385E: Um driver half-bridge de alta tensão que pode operar até 600V e possui características de proteção avançadas.
Sim, o IR2110 pode ser considerado um exagero se você está apenas tentando acionar um único MOSFET. Existem alternativas mais simples e compactas para essa aplicação. Os TC4420/TC4429 são drivers de gate simples que podem acionar MOSFETs de canal N. Eles são capazes de fornecer correntes de pico altas para carregar e descarregar rapidamente a capacitância de gate dos MOSFETs. Ou o IRF5305 que é um MOSFET de canal P que pode ser acionado diretamente por níveis lógicos, o que pode simplificar o circuito em algumas aplicações.
Eloy, me tira uma duvida, vc fala logo no inicio do video que o mosfet canal P é acionado por um pulso negativo, eu entendo negativo como algo abaixo do 0V é isso mesmo ou é nível baixo ?
14:54 Não entendi esse Resistor de pull-up na base do BC547. Esse circuito não está sendo controlado pelo microcontrolador (geralmente 5V)? Pois bem, o tal "sinal negativo" que foi citado é o '0V' que o microcontrolador consegue enviar, correto? Dessa forma, como você ligou o pull-up após o Resistor de base do transistor, o caminho mais atrativo para a corrente vinda desse pull-up é passar pelo emissor do transistor e chegar até o GND (é bem mais fácil do que encarar o Resistor de 1kΩ, para só então entrar pelo pino do microcontrolador e assim zerar a corrente na base do transistor). Resultado: o transistor BC547 nunca seria cortado com este pull-up aí.
Tem razão, o pullup é antes do resistor da base, ou ainda sem ele, um ou outro. Não ficou claro isso, pois desenhei o pullup como opção para garantir a condução. Jogando GND direto na base eu corto o transistor.
Desculpe, Rodrigo. Não concordo com seu comentário. Com o circuito desenhado pelo Eloy, o BC547 será cortado, de fato, com o zero V do microcontrolador. Calcule as tensões com calma. São 2 resistências em série, a saber, 100K e 1K. Com 5 V na saída do micro, a tensão da junção , com a base fora do circuito, será de 5,069v , suficiente para fazer o BC 547 conduzir, se ligada à base do BC547.. Com a tensão de 0V na saída do micro, a tensão da junção será de apenas 0,11V, que, se ligado à base do 547, não o fará conduzir. Portanto, diferentemente de seu comentário, o BC 547 será, sim, cortado pela saída de 0V do micro.
@@heitorlima4127 desenhei agora no simulador e de fato o transistor consegue cortar com o 0V do microcontrolador, mesmo com este pull-up de 100k. Mas veja que este pull-up não faz sentido, pois a corrente que passa por ele é 35x menor que a corrente que sai da porta do microcontrolador (ou seja, este pull-up está aí só de enfeite). Se você tentar diminuir o valor deste pull-up (para tentar aumentar a corrente nele e assim poder diminuir a fornecida pelo microcontrolador), aí sim o transistor nunca será cortado.
Olá Rodrigo. Concordo com você. O pull-up nesse circuito não faz o menor sentido, sendo, portanto, desnecessário. Mas não impede que o BC547 seja cortado pelo micro. Abraço. O canal é muito bom!@@Rodrigo_RDA
Ve se consegue me dar uma luz pfv, estou tentando a meses tentando ativar uma carga 24V com alta frequência utilizando um high side driver especifico(AS20161) porem, nunca consegui fazer uma ligaçao bootstrap q funcionasse, no caso usando o seu de exemplo: ligando Vb no nó entre capacitor e diodo, ligando Vs ao source do mosfet, ligando HO no gate ele acaba queimando o high side driver.(obs: alimentacao do ci em 5V, e pelo q vi no datasheet a diferença de potencial entre vs e vb nao pode ser maior que 20)
Olá Igor! De acordo com o datasheet do AS20161, a diferença de potencial entre Vb e Vs não pode exceder 20V. Isso significa que, se o Vs estiver próximo de 24V, a tensão entre Vb e Vs deve ser limitada para não ultrapassar esse valor. Vb deve ser conectado ao nó entre o capacitor de bootstrap e o diodo. O capacitor de bootstrap é carregado através desse diodo, que precisa ser um um diodo rápido (tipo Schottky) para garantir uma rápida recarga. Vs é conectado ao source do MOSFET de alta (high-side). HO é conectado ao gate do MOSFET de alta, controlando o chaveamento do MOSFET. Se o capacitor de bootstrap estiver mal dimensionado, ele não fornecerá carga suficiente para manter o MOSFET de alta ativado. Tente usar um capacitor de bootstrap de pelo menos 100nF a 1µF. O driver queimando pode ser um indicativo de que a tensão entre Vb e Vs está ultrapassando o limite de 20V. O AS20161 é alimentado por 5V, e essa tensão pode não ser suficiente para gerar a tensão de gate correta para o MOSFET (dependendo de qual MOSFET você está usando). Garanta que o MOSFET seja adequado para operar com uma tensão de gate baixa (logic-level MOSFETs) ou aumente a tensão de alimentação do driver.
Parabéns pelo vídeo, Eloy! Há tempos, buscava uma explicação para essa configuração do N-Channel! Falando sobre P-Channel, pergunto: Para você, neste vídeo, o que seria carga alta x carga baixa para o P-Channel? Acima de quantos amperes, seria considerada a carga alta? Ou... Até quantos amperes, seria considerada a carga baixa?
Querido professor Eloy, pelo que eu entendi, quando o BC547 está saturado, o mosfet está cortado e o capacitor carrega seu lado positivo pela fonte de 12V através do diodo e seu lado negativo através da carga. Se for isso, eu imagino que a resistência da carga precisa ser necessariamente baixa. Estou correto?
Nesta semana do 11.11 não deixem de conferir também as melhores oportunidades e preços do ano em instrumentos e ferramentas para eletrônica nos sites abaixo:
- Aliexpress: s.click.aliexpress.com/e/_Ddj... (R$20 off a cada R$100)
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Tô aprendendo muito com esse canal muito profissional muito simples suas explicações e ótimas matérias obrigado e que Deus te abençoe sempre pra continuar nos ensinando
Muito obrigado Julinho. Seja sempre bem-vindo ao canal!
meus parabens pela explicação meu querido! top! top! top! top!. isso mostra o quanto você entende👏👏👏👏👏👏
Obrigado!!
Extraordinário Mestre Eloy valiosas informações obrigado pela grande aula forte abraço
Obrigado Paulo! Abcs!
E aí meu amigo Eloi tudo bem com você ...uma aula ótima,emm parabéns pela aula,de hoje tbm ...um abração um ótimo final de semana tbm ..... é nois .....
Olá Reinaldo, obrigado! Para você também, abcs!
Caraca como sempre uma aula Top. O nivel desse canal em didatica é bizarro de grande, comparado a outros. Parabeens Electrolab. 10% dos seus conhecimentos eu seria feliz demais heehe
Valeu Pixell!!
Fantástico, o Mosfet é mesmo incrível e o amigo sabe tudo de Mosfet. Muito obrigado.
Obrigado Evandro!!
camba que aula incrível, explica muito bem
Obrigado!
parabéns pelo ensinamento com seu vídeo consegui compreender o funcionamento do mosfet melhor, e com isso fazer a aplicação correta em uma adaptação que estava precisando fazer e resolver meu problema. Deus abençoe
Obrigado Gabriel! Que bom que ajudou!
Mais didático que isso impossível.
Like!
Obrigado!!
Que bacana Eloy! Ótima explicação!
Um abraço!
Obrigado Orlando Abcs!
Top demais ! Procurei por essa explicação a muito tempo.
Obrigado Thiago!
Show de aula. Montei um circuito pwm com 555 alimentado com 12v acionado um mos fet canal n e nem me atentei para estes parâmetros e funcionou ok
Valeu Warley! Dependendo dos níveis usados e do tipo do transistor, pode funcionar sem bootstrap.
Obg pelo vídeo, bem legal, acho que para muita gente seria mais fácil utilizar um duplicador de tensão daqueles com 2 caps e 2 diodos, fácil de utilizar com mcus e permitem a condução always-on. De quebra pode até dispensar um dos caps se a mcu fizer saída open collector no lugar de push-pull.
NOTA: Esse seria o caso para "drivear" um transistor de alta corrente em 5+5v, e não um transistor de 12v em 5, o que dá margem para outro vídeo mostrando o duplicador de tensão em cascata.
Valeu Carlos!
Top ver um circuito que é muito usado em fontes DC-DC de forma simplificada, a eletrônica é fantástica e facinante demais.
Obrigado Samuel!
Acho incrível como você explica e eu consigo entender com a maior facilidade. Você é ou já foi professor em alguma instituição ? Tem curso de didática ou isso nasceu com você ?! De qualquer forma parabéns por tanto conhecimento e pela facilidade em ensinar👏
Obrigado Tobias! Que bom que está gostando dos vídeos! Não atuo no magistério, creio que a prática profissional ajude bastante nesse caso.
É chover no molhado...vídeo muito bom. Abçs.
Obrigado Álvaro! Abcs!!
Agora eu entendi a importância do circuito bootstrap em modulos de potência classe D na etapa do amplificador em sistemas half bridge, boa aula professor parabéns.
Obrigado Juliano!
Ótima aula, Eloy! Espero que aqui no Porto eu consiga encontrar um curso com esse nível de qualidade!!
Obrigado Lourival! Com certeza há de ter bons cursos na região!
Boa noite. Excelente explicação. Uma sugestão : Vamos tentar explicitar a relação entre a frequência de chaveamento de um Mosfet canal N e o circuito RC do bootstrap ? No exemplo, o capacitor de 2,2uF e o resistor de 10K formam uma constante de tempo de 22ms. . É um tempo muito grande para um chaveamento de, por exemplo, 50KHz.
Vamos tentar discutir sobre frequência de operação de um PWM e a rede do bootstrap, para usarmos um mosfet de canal N, em circuito de potência?
Para tensões maiores de alimentação, não seria necessário usar 1 zener entre gate e source no mosfet, para limitar a tensão entre gate e source.?
Fica a sugestão.
Obrigado Heitor, sugestões anotadas!
Sou eletromecanico, boas explicacoes, parabens...
Obrigado Odair!
Gosto muito de aulas sobre MOSFET 👍👍👍🏆🏆🏆
Valeu TA!
Grato !
Excelente aula, explanação!
Ótima noite!
Abraços!
Obrigado Mario Sergio! Abcs!
@@Electrolab-Eletronica
Eu que agradeço!
Saudações e ótimo fim de semana!
Bacana sempre quis entender o funcionamento desse componente estou aprendendo pelo seu canal
Valeu Lima! Seja sempre bem-vindo ao canal!
Ótimo vídeo, obrigado pela aula. Há tempo eu queria entender o bootstrap e esse vídeo me esclareceu muito bem.
Obrigado Philip!
Esse vidro explicou os problemas wue tive em pontes H com 4 mosfets
Valeu Lucena! Sim, é bem comum essa questão de acionamento do gate.
Excelente aula, parabéns!
Obrigado Odair!
voce é sensacional
Obrigado!
Sempre admiro o seu trabalho, meu amigo
Obrigado Claudio!
Top essa aula.
Obrigado!
Importantíssima essa informação, agente usa esse circuito ou usa um IR2110 e não percebe que se trata de um dobrador de tensão. Parabéns professor.
Obrigado Antonio!
Ajudou me demais!!!!
Obrigado!
Para acionar equipamentos de 24v a configuração low side já resolve(ON / OFF)? Utilizando um circuito driver com TBJ. A ideia é utilizar um ESP32 para realizar o acionamento, claro que utilizando acoplador ótico.
Usar um MOSFET como chave para acionar equipamentos de 24V é uma solução eficiente e comum, especialmente em configurações low-side, onde o MOSFET está conectado ao lado negativo (terra) do circuito. Isso significa que o dispositivo é conectado entre a fonte de alimentação e o dreno do MOSFET, enquanto o source do MOSFET é conectada ao terra. Pode ser necessário um resistor de pull-down no gate do MOSFET para garantir que ele permaneça desligado quando não está sendo acionado.
Eu gostei muito do circuito, e me ajudou a entender mais sobre chaveamento de mosfet, gostaria de ver um circuito com o mosfet trabalhando na região linear, como se faz por exemplo em carga ativa.
Obrigado! Sugestão anotada!
gracias!!
Saludos Nico!
Professor, fiquei com uma dúvida. Na elevação de tensão com um inversor dc// com um driver push pull chaveado os canais n com uma frequência +/- 40 kHz seria necessário esse circuito? 24 dc no coletor e 12 no gate? Eu entendi que ele seria para canal p.
Olá Rodrigo, depende da ligação da carga, o bootstrap só é usado quando a carga está em highside no canal N. Em lowside não precisa.
Perfeita aula.
Que frequência posso usar no Pwm?
Obrigado! Em geral frequências na casa das dezenas de KHz, algo entre 40 e 100KHz são as mais usadas.
Parabéns, vídeo sensacional.
Obrigado Thiago!
Eu vi um circuito parecido desses com 13007 e igbt pra gerar 60hz 220vac com 380vdc.
Ele funciona, porém o turn on do mosfet é lento. Existe alguma maneira de aumentar a velocidade de comutação ?
A melhor prática é sempre escolher um MOSFET com baixa capacitância da saída (Coss), não sendo possível alterar o circuito essa é a melhor alternativa de ter uma comutação mais rápida.
E existe solução para utilizarmos um Mosfet canal N interrompendo o VCC da Carga em situações de liga/desliga (ao invés de chaveamentos rápidos)? Por exemplo: o Mosfet seria usado para funcionar como uma chave liga/desliga para alguma etapa do circuito (para alimentar uma fita LED, por exemplo).
Para cargas não dependentes de estarem permanentemente aterradas, o ideal é chavear o GND no canal N. Se colocar do outro lado, dependendo das tensões e do MOSFET, pode não ser possível acionar o gate, salvo com técnicas como a comentada neste vídeo.
Como ficam as impedâncias capacitivas?
Há certa influência, por isso comentei que o bootstrap não é uma solução se alta frequência de chaveamento for uma condição essencial, já que o Mosfet ficaria mais lento.
agradeço a atenção.
Entendi a idéia do bootstrap.
Más, se levarmos em consideração que esse mesmo Mosfet vai trabalhar no amplificador de RF de um radio PX, por exemplo.
lá tem um bootstrap projetado para RF ou é do mesmo que você demonstrou ?
A aplicação é diferente, aqui a aplicação é para chaveamento, por exemplo PWM em fontes, inversores, etc. No modo amplificador o uso é diferente.
Caro amigo vc ainda tem disponível aquela PCB do miliohimetro para venda ...?... abraços
Olá Wladymir! Não tenho, na verdade nenhuma foi colocada à venda, mas foram usadas. Obrigado.
Olá, seria possível usar um Mosfet como um contato NF?
Isto é, quando sem alimentação no gate ele fica conduzindo entre dreno e source ?
Olá, sim é possível se usar os raros MOSFETs de depleção. Os MOSFETs comuns (de intensificação) não serviriam, salvo se você adicionar um circuito externo que mantenha o gate em um estado tal que o MOSFET conduza até que seja alimentado para "desligar" a condução.
Excelente Eloy.A explicação do circuito bootstrap foi muito boa.Pelo que entendi a topologia lowside só é usada no caso da comutação única(canal n e alta corrente).Certo?
Obrigado Américo! Geralmente sim!
Bom dia legal a explicação;mas eu preciso falar; de um incoveniente e as letras que fica na frente da imagem;não dá pra ver o esquema
Olá José, se são as legendas, você pode desligar, clicando em CC aí na configuração do seu UA-cam. Elas são sempre opcionais.
Super aula meu amigo, já deixando o like merecido de nº 280
Obrigado Michel!
Amigo como descubro a frequência máxima que uma mosfet trabalha exemplo irf740 coloquei 70kh e ele começou aquecer.. abaixei para 25 aí foi de boa
Os FETs geralmente não têm uma frequência máxima de comutação definida. O mais próximo disso são os tempos de subida e descida da comutação, que são fornecidos no datasheet. O IRF740 apresenta tempos de comutação de 10ns. Então pode se estimar que uma operação até 500KHz poderia ser viável, mas a potência usada, o tipo de carga e outros fatores podem influenciar também reduzindoesse máximo. Você deve escolher uma frequência para que as perdas gerais sejam baixas e os benefícios superem os problemas. Precisa ter em mente a carga e a corrente do gate necessárias para acioná-lo na frequência escolhida.
Amigo posso ligar o capacitor direto no GND no seu esquema ta ligado depois da carga isso interfere
Não pode.
Por favor, gostaria de mais uma informação sua: preciso alimentar um circuito indutivo com uma bateria de 12v 60a, qual desses dois mosfet seria o mais indicado.
IRFP260
Dissipação máxima de corrente 300w
Drenagem máxima de corrente 50A
Tensão máxima da fonte de Drenagem 200 V. Ou
IRFB3306
Dissipação máxima de corrente 230w
Drenagem máxima de corrente 160A
Tensão máxima da fonte de drenagem 60 V
Os outros parâmetros são bem parecidos.
O circuito consome 35 A de corrente .
Agradeço desde já sua atenção.
Se o seu circuito é bem controlado e não há picos inesperados de corrente ou tensão, o IRFB3306 é a escolha ideal devido à sua maior capacidade de corrente, mesmo que tenha uma tensão de dreno-fonte mais baixa. Além disso, ele oferece uma margem de segurança em termos de capacidade de corrente. Se há a possibilidade de picos de tensão, especialmente devido à natureza indutiva do circuito, o IRFP260 seria uma escolha mais segura por sua maior tensão de dreno-fonte.
@@Electrolab-Eletronica Essa não foi a primeira vez que pude contar com você sanando dúvidas, com essa explicação fiz a escolha do mosfet. Muitíssimo obrigado, não só pela orientação, mas, também pela atenção dispensada.
Nesse caso você está ultrapassando a tensão máxima de Gate desse MOSFET que é 20 volts não vai danificar o componente ❓
Não por conta do resistor de gate.
Olá, amigo. Fiquei com uma dúvida em relação ao sistema bootstrap. Ele poderia interferir no controle PWM? Por exemplo, se eu tentar controlar o PWM de um motor e variar a sua velocidade, esse sistema faria com que o MOSFET permanecesse sempre em saturação, comprometendo o controle de velocidade?
O sistema bootstrap não deveria impedir o controle PWM adequado se projetado corretamente. O problema surge se o capacitor bootstrap não puder ser recarregado adequadamente, o que pode resultar em falhas no chaveamento do MOSFET e, portanto, comprometer o controle de velocidade do motor. Para evitar isso, é importante escolher corretamente a frequência PWM, o ciclo de trabalho e os componentes do circuito bootstrap.
@@Electrolab-Eletronica ok, obrigado!
Top. Qual ci posso usar para Bootstrap
Existem vários circuitos integrados (ICs) projetados especificamente para implementar um circuito de bootstrap, especialmente em aplicações de drivers de MOSFETs de alta e baixa tensão:
IR2110: Um dos drivers de MOSFET mais comuns que suporta topologias half-bridge e full-bridge. Ele pode operar até 500V e tem capacidade de corrente de saída de até 2A.
IRS2186: Um driver half-bridge com um intervalo de tensão de até 600V. É similar ao IR2110, mas com algumas diferenças em características específicas, como proteção contra curto-circuito.
IR2184: Um driver half-bridge com um intervalo de tensão de até 600V e uma configuração de pulso de largura modulada (PWM).
L6385E: Um driver half-bridge de alta tensão que pode operar até 600V e possui características de proteção avançadas.
@@Electrolab-Eletronica no meu caso e só para acionar apenas um Mosfet acho o ir2110 muito exagerado sete q existe outro
Sim, o IR2110 pode ser considerado um exagero se você está apenas tentando acionar um único MOSFET. Existem alternativas mais simples e compactas para essa aplicação. Os TC4420/TC4429 são drivers de gate simples que podem acionar MOSFETs de canal N. Eles são capazes de fornecer correntes de pico altas para carregar e descarregar rapidamente a capacitância de gate dos MOSFETs. Ou o IRF5305 que é um MOSFET de canal P que pode ser acionado diretamente por níveis lógicos, o que pode simplificar o circuito em algumas aplicações.
@@Electrolab-Eletronica valeu amigo
Eloy, me tira uma duvida, vc fala logo no inicio do video que o mosfet canal P é acionado por um pulso negativo, eu entendo negativo como algo abaixo do 0V é isso mesmo ou é nível baixo ?
É nível negativo mesmo em relação ao GND. Veja no próprio datasheet que a tensão de VGS aparece com sinal negativo, como -10V, por exemplo
@@Electrolab-Eletronica ah ta... beleza... valeu msm
14:54 Não entendi esse Resistor de pull-up na base do BC547. Esse circuito não está sendo controlado pelo microcontrolador (geralmente 5V)? Pois bem, o tal "sinal negativo" que foi citado é o '0V' que o microcontrolador consegue enviar, correto? Dessa forma, como você ligou o pull-up após o Resistor de base do transistor, o caminho mais atrativo para a corrente vinda desse pull-up é passar pelo emissor do transistor e chegar até o GND (é bem mais fácil do que encarar o Resistor de 1kΩ, para só então entrar pelo pino do microcontrolador e assim zerar a corrente na base do transistor). Resultado: o transistor BC547 nunca seria cortado com este pull-up aí.
Tem razão, o pullup é antes do resistor da base, ou ainda sem ele, um ou outro. Não ficou claro isso, pois desenhei o pullup como opção para garantir a condução. Jogando GND direto na base eu corto o transistor.
Desculpe, Rodrigo. Não concordo com seu comentário. Com o circuito desenhado pelo Eloy, o BC547 será cortado, de fato, com o zero V do microcontrolador.
Calcule as tensões com calma. São 2 resistências em série, a saber, 100K e 1K. Com 5 V na saída do micro, a tensão da junção , com a base fora do circuito, será de 5,069v , suficiente para fazer o BC 547 conduzir, se ligada à base do BC547..
Com a tensão de 0V na saída do micro, a tensão da junção será de apenas 0,11V, que, se ligado à base do 547, não o fará conduzir.
Portanto, diferentemente de seu comentário, o BC 547 será, sim, cortado pela saída de 0V do micro.
@@heitorlima4127 desenhei agora no simulador e de fato o transistor consegue cortar com o 0V do microcontrolador, mesmo com este pull-up de 100k. Mas veja que este pull-up não faz sentido, pois a corrente que passa por ele é 35x menor que a corrente que sai da porta do microcontrolador (ou seja, este pull-up está aí só de enfeite). Se você tentar diminuir o valor deste pull-up (para tentar aumentar a corrente nele e assim poder diminuir a fornecida pelo microcontrolador), aí sim o transistor nunca será cortado.
Olá Rodrigo. Concordo com você. O pull-up nesse circuito não faz o menor sentido, sendo, portanto, desnecessário. Mas não impede que o BC547 seja cortado pelo micro. Abraço. O canal é muito bom!@@Rodrigo_RDA
Merci 👍👋
Merci!
Ve se consegue me dar uma luz pfv, estou tentando a meses tentando ativar uma carga 24V com alta frequência utilizando um high side driver especifico(AS20161) porem, nunca consegui fazer uma ligaçao bootstrap q funcionasse, no caso usando o seu de exemplo: ligando Vb no nó entre capacitor e diodo, ligando Vs ao source do mosfet, ligando HO no gate ele acaba queimando o high side driver.(obs: alimentacao do ci em 5V, e pelo q vi no datasheet a diferença de potencial entre vs e vb nao pode ser maior que 20)
Olá Igor! De acordo com o datasheet do AS20161, a diferença de potencial entre Vb e Vs não pode exceder 20V. Isso significa que, se o Vs estiver próximo de 24V, a tensão entre Vb e Vs deve ser limitada para não ultrapassar esse valor. Vb deve ser conectado ao nó entre o capacitor de bootstrap e o diodo. O capacitor de bootstrap é carregado através desse diodo, que precisa ser um um diodo rápido (tipo Schottky) para garantir uma rápida recarga. Vs é conectado ao source do MOSFET de alta (high-side). HO é conectado ao gate do MOSFET de alta, controlando o chaveamento do MOSFET. Se o capacitor de bootstrap estiver mal dimensionado, ele não fornecerá carga suficiente para manter o MOSFET de alta ativado. Tente usar um capacitor de bootstrap de pelo menos 100nF a 1µF. O driver queimando pode ser um indicativo de que a tensão entre Vb e Vs está ultrapassando o limite de 20V. O AS20161 é alimentado por 5V, e essa tensão pode não ser suficiente para gerar a tensão de gate correta para o MOSFET (dependendo de qual MOSFET você está usando). Garanta que o MOSFET seja adequado para operar com uma tensão de gate baixa (logic-level MOSFETs) ou aumente a tensão de alimentação do driver.
@@Electrolab-Eletronica showww vou tentar isso aq
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Obrigado Daniel!
Parabéns pelo vídeo, Eloy!
Há tempos, buscava uma explicação para essa configuração do N-Channel!
Falando sobre P-Channel, pergunto:
Para você, neste vídeo, o que seria carga alta x carga baixa para o P-Channel?
Acima de quantos amperes, seria considerada a carga alta?
Ou...
Até quantos amperes, seria considerada a carga baixa?
Obrigado! Depende muito do modelo, mas quase sempre menor que 10A (em média mais comum é até 5A) , quando os similares tipo N vão a 30 ou 40A ou mais.
Querido professor Eloy, pelo que eu entendi, quando o BC547 está saturado, o mosfet está cortado e o capacitor carrega seu lado positivo pela fonte de 12V através do diodo e seu lado negativo através da carga. Se for isso, eu imagino que a resistência da carga precisa ser necessariamente baixa. Estou correto?
Olá Marcelo! As cargas acionadas por Mosfets em geral têm baixa impedância e alta potência, portanto esse não chega a ser um problema.