Hallo, hast du dich bei 8.26 versprochen und Eingangs- und Ausgangsstrom verwechselt? Oder habe ich ein Verständnisproblem? Danke aber ansonsten für das geduldige und genaue Erklären! Super!
Einfach die 400mA durch 2 zu teilen und dann davon auszugehen das IC und ID jeweils 200mA betragen ist ein Fehler. Da der Widerstand des MOSFET geringer ist, fließt dort ein größerer Strom als beim bipolaren Transistor. Das Verhältnis wird im Bereich 195mA zu 205mA liegen.
Danke, das freut mich sehr. Ich habe es aber auch sehr viel einfacher als die Uni. Bei mir genügt es, wenn ich die wichtigsten Zusammenhänge leicht verständlich darlege. Die Uni muss viel tiefer in die Materie eindringen, da wird es dann sehr schnell wesentlich komplexer.
Und jetzt die Frage, wieso Schaltet mein N-Channel Mosfet, wenn am Gate keine Spannung anliegt. Durchgangsprüfer sagt kein durchgang aber die Spannung liegt voll an.
Kann ich dir auch nicht sagen. Dafür habe ich zu wenig Informationen. Zum Beispiel: zwischen welchen Punkten wurde die Spannung gemessen? Ist der wichtigste Grundsatz bei Messungen erfüllt: alle Eingänge müssen beschaltet sein (eindeutiger Pegel) und alle Ausgänge sollten belastet sein.
@@HobbyelektronikerCh Also. Es handelt sich um diesen Mosi. www.mouser.de/datasheet/2/308/HUF75652G3-1124885.pdf Gemessen wurde von Sorce über Drain. an den ausgängen hing nur das Multimeter drann, da ich erst mal wissen wollte, ob alles hin haut, bevor ich leistung drüber Jage.
@@WoW4332 Du kannst zum Test die Schaltung gemäss Figure 18 im Datenblatt aufbauen. Für RGS und RL kannst du 100K einsetzen, so können keine grossen Ströme fliessen. VDS sollte dann auf +VDD sein. Wenn du VGS mit +VDD verbindest, sollte VDS auf nahezu 0V sinken (FET schaltet durch).
@@HobbyelektronikerCh Ha sich gerade von Selbst erledigt. Ich hab über ein CC-CV Ladegerät die Leistung begrenzt und nen Akku zum Laden (ist ja Rekuperationssteuerung) gehängt. Es liegt nach wie vor Spannung an (was ich mir immer noch nicht erklähren kann) , aber er regelt die Stromtärke ab. Poti 0 ist wirklich 0 und 255 (5v PWM 10mü Geglätet) ist weniger als erwartet. Ohne die Steuerung hab ich 0,68A und mit 0,20A. Keine ahnung, warum er nicht ganz öffnet. Die Symbole von Rgs und Rl kenn ich nicht mal. °'°
Eine toll aufgebaute Erläuterung, so wünscht man sich viel mehr Tutorials! - Eine Frage noch zum Schaltungsaufbau: Wieviel K hat das Poti? Ich habe mit einem 300K-Laborpoti den MOSFET-Teil nachgebaut, dabei spielt dann der 4,7K-Widerstand keine Rolle mehr. Ich nehme an, er dient als Strombegrenzung, wenn das Poti überbrückt wird, richtig?
Das ist richtig. Beim bipolaren Transistor dient er zur Strombegrenzung, beim MOSFET ist er eigentlich überflüssig. Da im Video beide Transistortypen miteinander verglichen werden, habe ich beide Transistoren identisch beschaltet.
Kein Gatestrom. So ganz stimmt es nicht. Man muss auf jeden Fall die Gatekapazität umladen, was bei einer hohen Schaltfrequenz (PWM) schon einen messbaren Strom bedeutet. Die Kapazität muss auch sehr schnell umgeladen werden, dass der FET schnell durchschaltet und schnell sperrt, und nicht lange im linearen Bereich ist. Weil er in dieser kurzen Zeit viel Leistung verbraten muss.
Ja, das ist so. Im Allgemeinen kann man davon ausgehen, dass diese Kapazität bei leistungsstärkeren FET's grösser ist. Daher sollte man nie zu stark überdimensionierte Feldeffekttransistoren verwenden. Insbesondere bei grossen Leistungen ist es wichtig, dass die Umladung sehr schnell geschieht. Aus diesem Grund gibt es spezielle Treiberbausteine, die eine optimale Ansteuerung des Gates erlauben.
MOSFETs können ihre Stärke hauptsächlich bei der Verwendung als Schalttransistoren einsetzen (z. Bsp. in Schaltnetzteilen). In analogen Verstärkerschaltungen, wie sie im Audio-Bereich eingesetzt werden, haben bipolare Transistoren oft Vorteile. Ein weiterer Vorteil des MOSFETs ist der hohe Eingangswiderstand. Bei höheren Frequenzen fallen allerdings die Eingangskapazitäten ins Gewicht, so dass auch dieser Vorteil nicht in jedem Fall erhalten bleibt..
Ich habe es direkt aus Australien: www.eevblog.com/product/bm235-multimeter/ Achtung: Dave Jones hat ein neues Multimeter entwickelt. Es wird aber erst in einigen Monaten erhältlich sein und wesentlich mehr kosten.
Guten Tag , können sie auch ein Video zu einem Bootstrap-Kondensator machen . Man findet nur recht wenig im Internet . Am besten sogar mit Rechenbeispiel. Dankeschön ;)
Tolles Video, sehr gut verständlich! Endlich habe ich Dich nun auch privat abonniert... übrigens: sehr cooles Multimeter ;) Ich freue mich schon auf das nächste Video!
Freut mich, dass du dabei bist. So habe ich entdeckt, dass du auch privat Videos machst. ESP8266 mit MQTT, das ist sehr interessant. Ist also schon abonniert!
Ja Du baust hier beim drehen mit dem Poti einen Kurzschluss in die Schaltung, wenn der Poti nach links gedreht wird.Besser die Mittenanzapfung zum Gate führen.Oben Plus und unten Minus,dann wäre es korrekt !
Ja, da hast Du natürlich recht. Sobald dir Verbindung zwischen Plus und der Mittenanzapfung hergestellt wird, darf das Poti nicht mehr nach links gedreht werden. Mit der Verbindung sollte nur sichergestellt werden, dass an den beiden Eingangswiderständen wirklich 7V anliegen. Besser wäre es gewesen, das Poti für diese Messung aus der Schaltung zu entfernen.
Schöner Kanal, ich sehe mir die Videos sehr gerne an und es stresst mich kein Bißchen. Schön erklärt - ruhig und präzise.
In der Ruhe liegt die Kraft.......
Hallo, hast du dich bei 8.26 versprochen und Eingangs- und Ausgangsstrom verwechselt? Oder habe ich ein Verständnisproblem? Danke aber ansonsten für das geduldige und genaue Erklären! Super!
Ja, da hast du recht! Vielen Dank für den Hinweis.
Gute Hilfe im Studium!
Einfach die 400mA durch 2 zu teilen und dann davon auszugehen das IC und ID jeweils 200mA betragen ist ein Fehler.
Da der Widerstand des MOSFET geringer ist, fließt dort ein größerer Strom als beim bipolaren Transistor. Das Verhältnis wird im Bereich 195mA zu 205mA liegen.
Sehr gut. Danke schön
Alles schön und gut. Aber, wenn du schon einen MOSFET erklärst, dann bitte auch die Steuerspannungen und was am Ausgang zu erwarten ist.
Sehr gut erklärt, hab wichtige Details jetzt endlich besser verstanden. Die Skripte aus den Unis sind meistens so unverständlich.
Danke, das freut mich sehr. Ich habe es aber auch sehr viel einfacher als die Uni. Bei mir genügt es, wenn ich die wichtigsten Zusammenhänge leicht verständlich darlege. Die Uni muss viel tiefer in die Materie eindringen, da wird es dann sehr schnell wesentlich komplexer.
Gute Idee beide Transistoren nebeneinander zu schalten.
Für meine Schüler werde ich die Erläuterungen etwas ausführlicher gestalten,
Und jetzt die Frage, wieso Schaltet mein N-Channel Mosfet, wenn am Gate keine Spannung anliegt. Durchgangsprüfer sagt kein durchgang aber die Spannung liegt voll an.
Kann ich dir auch nicht sagen. Dafür habe ich zu wenig Informationen. Zum Beispiel: zwischen welchen Punkten wurde die Spannung gemessen? Ist der wichtigste Grundsatz bei Messungen erfüllt: alle Eingänge müssen beschaltet sein (eindeutiger Pegel) und alle Ausgänge sollten belastet sein.
@@HobbyelektronikerCh Also. Es handelt sich um diesen Mosi. www.mouser.de/datasheet/2/308/HUF75652G3-1124885.pdf Gemessen wurde von Sorce über Drain. an den ausgängen hing nur das Multimeter drann, da ich erst mal wissen wollte, ob alles hin haut, bevor ich leistung drüber Jage.
@@WoW4332 Du kannst zum Test die Schaltung gemäss Figure 18 im Datenblatt aufbauen. Für RGS und RL kannst du 100K einsetzen, so können keine grossen Ströme fliessen. VDS sollte dann auf +VDD sein. Wenn du VGS mit +VDD verbindest, sollte VDS auf nahezu 0V sinken (FET schaltet durch).
@@HobbyelektronikerCh Ha sich gerade von Selbst erledigt. Ich hab über ein CC-CV Ladegerät die Leistung begrenzt und nen Akku zum Laden (ist ja Rekuperationssteuerung) gehängt. Es liegt nach wie vor Spannung an (was ich mir immer noch nicht erklähren kann) , aber er regelt die Stromtärke ab. Poti 0 ist wirklich 0 und 255 (5v PWM 10mü Geglätet) ist weniger als erwartet. Ohne die Steuerung hab ich 0,68A und mit 0,20A. Keine ahnung, warum er nicht ganz öffnet. Die Symbole von Rgs und Rl kenn ich nicht mal. °'°
Eine toll aufgebaute Erläuterung, so wünscht man sich viel mehr Tutorials! - Eine Frage noch zum Schaltungsaufbau: Wieviel K hat das Poti? Ich habe mit einem 300K-Laborpoti den MOSFET-Teil nachgebaut, dabei spielt dann der 4,7K-Widerstand keine Rolle mehr. Ich nehme an, er dient als Strombegrenzung, wenn das Poti überbrückt wird, richtig?
Das ist richtig. Beim bipolaren Transistor dient er zur Strombegrenzung, beim MOSFET ist er eigentlich überflüssig. Da im Video beide Transistortypen miteinander verglichen werden, habe ich beide Transistoren identisch beschaltet.
Kein Gatestrom. So ganz stimmt es nicht. Man muss auf jeden Fall die Gatekapazität umladen, was bei einer hohen Schaltfrequenz (PWM) schon einen messbaren Strom bedeutet. Die Kapazität muss auch sehr schnell umgeladen werden, dass der FET schnell durchschaltet und schnell sperrt, und nicht lange im linearen Bereich ist. Weil er in dieser kurzen Zeit viel Leistung verbraten muss.
Ja, das ist so. Im Allgemeinen kann man davon ausgehen, dass diese Kapazität bei leistungsstärkeren FET's grösser ist. Daher sollte man nie zu stark überdimensionierte Feldeffekttransistoren verwenden. Insbesondere bei grossen Leistungen ist es wichtig, dass die Umladung sehr schnell geschieht. Aus diesem Grund gibt es spezielle Treiberbausteine, die eine optimale Ansteuerung des Gates erlauben.
Dankesehr. Die Transistorvideos haben mir einige Fragen beantwortet. Serh schöne Videos, Die sie mahen.
Sehr gut erklärt. Wenn ein MOSFET so geringe Verluste hat, wieso werden dann überhaupt "normale" Transistoren benutzt?
MOSFETs können ihre Stärke hauptsächlich bei der Verwendung als Schalttransistoren einsetzen (z. Bsp. in Schaltnetzteilen). In analogen Verstärkerschaltungen, wie sie im Audio-Bereich eingesetzt werden, haben bipolare Transistoren oft Vorteile. Ein weiterer Vorteil des MOSFETs ist der hohe Eingangswiderstand. Bei höheren Frequenzen fallen allerdings die Eingangskapazitäten ins Gewicht, so dass auch dieser Vorteil nicht in jedem Fall erhalten bleibt..
wo bekommt man das blaue Messgerät her? Dort wo EEV Blog steht?
Ich habe es direkt aus Australien: www.eevblog.com/product/bm235-multimeter/
Achtung: Dave Jones hat ein neues Multimeter entwickelt. Es wird aber erst in einigen Monaten erhältlich sein und wesentlich mehr kosten.
danke
Guten Tag ,
können sie auch ein Video zu einem Bootstrap-Kondensator machen . Man findet nur recht wenig im Internet . Am besten sogar mit Rechenbeispiel.
Dankeschön ;)
Ich habe zwar eine ungefähre Ahnung wie das geht. Leider reichen meine Kenntnisse nicht aus um ein vernünftiges Video daraus zu machen.
Es ist immer das gleiche mit dem Zahlengeschmiere bei den Elektroniktutorials.
Tolles Video, sehr gut verständlich! Endlich habe ich Dich nun auch privat abonniert... übrigens: sehr cooles Multimeter ;) Ich freue mich schon auf das nächste Video!
Freut mich, dass du dabei bist. So habe ich entdeckt, dass du auch privat Videos machst. ESP8266 mit MQTT, das ist sehr interessant. Ist also schon abonniert!
Ja Du baust hier beim drehen mit dem Poti einen Kurzschluss in die Schaltung, wenn der Poti nach links gedreht wird.Besser die Mittenanzapfung zum Gate führen.Oben Plus und unten Minus,dann wäre es korrekt !
Ja, da hast Du natürlich recht. Sobald dir Verbindung zwischen Plus und der Mittenanzapfung hergestellt wird, darf das Poti nicht mehr nach links gedreht werden. Mit der Verbindung sollte nur sichergestellt werden, dass an den beiden Eingangswiderständen wirklich 7V anliegen. Besser wäre es gewesen, das Poti für diese Messung aus der Schaltung zu entfernen.
So und was ist nun ein MOSFET?