Rafael meus parabéns. Vídeo inédito aqui no Brasil. Show, uma forma boa para testar também se o mosfet é original ou não. Levando em consideração que os teste foi feito a 14,4Volts, mas que o mesmo suporta até 200volts entre Dreno e Source. Com sua autorização vou fazer uma fonte variável com tensões Hi-Volt para testar alguns mosfets ou IGBTs. Meu parabéns. Os créditos a você.
Rafael, leste a pagina inicial do datasheet e esqueceste de ler as paginas finais, onde tem as curvas. Esse Rds_on é o máximo para 25ºC. Nas curvas que não analisou tem a variação do Rds em função da temperatura. Na leitura em que o case estava a 99ºC, o junção já devia estar nos 110ºC ou mais. Nessa faixa de temperatura o Rds pode chegar a 2,5 vezes o nominal. Em condições de altas correntes (e 40A não ér pouco) o IGBT costuma ser o mais eficaz, já que o Vce-sat não varia tanto assim com a temperatura ou corrente.
vejo que vc faz fonte chaveada queria ver se vc teria como montar um projeto pra min seria 12v dc na entrada 200v dc na saida para alimentar baterias em serie para amplificador alta voltagem seria tipo um inversor de 12v para 220v?
Então, transistor bjt é diferente e a modelagem estática é outro parâmetro. Mosfet é diferente do Bjt. O que mostro é o fator 'coeficiente Rds on positivo por temperatura' no qual quanto maior a temperatura de junção maior a resistencia interna. O bjt já é negativo, quando maior a temperatura menor o Vbe, salvo Igbts que é positivo tbm o coeficiente.
Boa noite amigo, aprendiz no ramo de eletrônica, na verdade por hooby, estou tentando fazer um inversor, qual seria a tensão ideal de gate pra se conseguir uma corrente alta no mosfet ou igbt
@@RafaelLuizDoAmaral Obrigado amigo, ajudou muito, só uma coisa mais por gentileza, esses volts é de pico a pico, é isso mesmo que eu entendi, ou é o volts rms que salvo melhor juízo é o que se lê no voltímetro ?
@@eziquiell Volt pico. Entre 0v e o ponto maximo da onda quadrada pwm. Com o.multimetro se estiver com o duty cicle em 50% vai marcar aproximadamente metade do vp de chaveamento. Ex marca 6vdc enquanto o vp é de 12v. A forma correta seria com osciloscopio digital ou retificar e filtrar o sinal de gate pra saber a tensao real de chaveamento
@@RafaelLuizDoAmaral Obrigado mais uma vez, sucesso no seu canal, eletrônica é um mundo fascinante, tenho muita coisa pra aprender, tinha esta dúvida porque quando a gente mede a saída do oscilador aqui está com 5v, comprei recente um osciloscópio simples, mas da pra ver o vpp, por volta de 10 a 11v, estava pensando em aumentar, alguns data sheet diz que suporta até 20 ou 30v a depender do mosfet, só que eu não sabia de era rms ou vpp, obrigado amigo mais uma vez, outra coisa, tenho muita dores de cabeça com componentes falsificados, original é difícil e caro, rsrsrsrs
os 90n20d seria para colocar no lugar do irfp4768 por diferencia de preço pq sao muitos e para uma taranps 10900wrms a freguencia dela de 48khz 90n20d daria?
Ah sim, 48KHZ, é que a medida KLR não existe KKK.. Dá sim, o 90n20 segura ate 400khz sem problema, so exige muito do driver que controla ele acima de 150khz por tem um gate pesado para chavear. Então na sua taramps ai, dará certinho.
![How to calculate a MOSFET RDS(ON) resistance [Power Losses]](http://i.ytimg.com/vi/aBmiLXjRdc0/mqdefault.jpg)
![How to calculate a MOSFET RDS(ON) resistance [Power Losses]](/img/tr.png)
Rafael meus parabéns. Vídeo inédito aqui no Brasil. Show, uma forma boa para testar também se o mosfet é original ou não. Levando em consideração que os teste foi feito a 14,4Volts, mas que o mesmo suporta até 200volts entre Dreno e Source. Com sua autorização vou fazer uma fonte variável com tensões Hi-Volt para testar alguns mosfets ou IGBTs.
Meu parabéns. Os créditos a você.
Rafael, leste a pagina inicial do datasheet e esqueceste de ler as paginas finais, onde tem as curvas. Esse Rds_on é o máximo para 25ºC. Nas curvas que não analisou tem a variação do Rds em função da temperatura. Na leitura em que o case estava a 99ºC, o junção já devia estar nos 110ºC ou mais. Nessa faixa de temperatura o Rds pode chegar a 2,5 vezes o nominal.
Em condições de altas correntes (e 40A não ér pouco) o IGBT costuma ser o mais eficaz, já que o Vce-sat não varia tanto assim com a temperatura ou corrente.
obrigado amigo
Meu amigo que show gostei...queria vê como vc ligou direitinho na fonte para testar tudo direitinho
ua-cam.com/video/pQ0tPngcP00/v-deo.html
Tche, parabens pelo video. Excelente!
vejo que vc faz fonte chaveada queria ver se vc teria como montar um projeto pra min seria 12v dc na entrada 200v dc na saida para alimentar baterias em serie para amplificador alta voltagem seria tipo um inversor de 12v para 220v?
Isso ai testando e aprendendo!!!
ola como estao a atualizacoes do amplificador? o q tem de novo?
OLÁ, você sabe se isso é a modelagem estática do transistor ? Ou modelagem estática é outra coisa ?
Então, transistor bjt é diferente e a modelagem estática é outro parâmetro. Mosfet é diferente do Bjt. O que mostro é o fator 'coeficiente Rds on positivo por temperatura' no qual quanto maior a temperatura de junção maior a resistencia interna. O bjt já é negativo, quando maior a temperatura menor o Vbe, salvo Igbts que é positivo tbm o coeficiente.
Cara seu vídeo me parece único em língua portuguesa, se possível depois mostre sobre esta fonte e essa sua carga. Novo inscrito
ua-cam.com/video/pQ0tPngcP00/v-deo.html
Boa noite amigo, aprendiz no ramo de eletrônica, na verdade por hooby, estou tentando fazer um inversor, qual seria a tensão ideal de gate pra se conseguir uma corrente alta no mosfet ou igbt
opa, então mosfet acima de 10vgs vp do duty cicle já conduz sua maxima corrente, igbt é 15vge para a maxima corrente.
@@RafaelLuizDoAmaral Obrigado amigo, ajudou muito, só uma coisa mais por gentileza, esses volts é de pico a pico, é isso mesmo que eu entendi, ou é o volts rms que salvo melhor juízo é o que se lê no voltímetro ?
@@eziquiell Volt pico. Entre 0v e o ponto maximo da onda quadrada pwm. Com o.multimetro se estiver com o duty cicle em 50% vai marcar aproximadamente metade do vp de chaveamento. Ex marca 6vdc enquanto o vp é de 12v. A forma correta seria com osciloscopio digital ou retificar e filtrar o sinal de gate pra saber a tensao real de chaveamento
@@RafaelLuizDoAmaral Obrigado mais uma vez, sucesso no seu canal, eletrônica é um mundo fascinante, tenho muita coisa pra aprender, tinha esta dúvida porque quando a gente mede a saída do oscilador aqui está com 5v, comprei recente um osciloscópio simples, mas da pra ver o vpp, por volta de 10 a 11v, estava pensando em aumentar, alguns data sheet diz que suporta até 20 ou 30v a depender do mosfet, só que eu não sabia de era rms ou vpp, obrigado amigo mais uma vez, outra coisa, tenho muita dores de cabeça com componentes falsificados, original é difícil e caro, rsrsrsrs
Onde você acha componentes originais para fazer suas experiências?
Gosto tbm de monta fonte chaveada e infelizmente só tou achando Mosfet falsificado
ua-cam.com/video/pQ0tPngcP00/v-deo.html
parabens meu amigo, sabe muito abraçao
ua-cam.com/video/pQ0tPngcP00/v-deo.html
seria 48khz para saida de um amplificador classd...
quando eu for procurar algum equivalente o Rds tem q ser igual ou pode ser diferente do transistor original??
Lucas Fernandes Tem q ser igual. No minimo. Ou ate menor. Nunca rds maior
Muito obrigado q Deus te abençoe
ola amigo este 90n20d aguenta 48klr?
klr? oq é isso?
48klr de freguencia de chaveamento? e para a saida de amplificador classd...
os 90n20d seria para colocar no lugar do irfp4768 por diferencia de preço pq sao muitos e para uma taranps 10900wrms a freguencia dela de 48khz 90n20d daria?
Ah sim, 48KHZ, é que a medida KLR não existe KKK.. Dá sim, o 90n20 segura ate 400khz sem problema, so exige muito do driver que controla ele acima de 150khz por tem um gate pesado para chavear. Então na sua taramps ai, dará certinho.
obrigado ai pela dica...