아래 칩쟁이님이 답글 달아주셨지만 조금 보완설명해보고자 해요. 본 영상에서도 Cap이 그려져있는데, 결국 Voltage Coupling으로 보면되지 않을까 싶어요. Cap1 Cap2가 있을 때, 그 비율이 큰 쪽의 전압 변동이 그대로 전달되는거죠. Delta V = C1/(C1+C2) * Vswing이라고 해보면 C1>>C2의 상황에서는 Delta V가 거의 Vswing과 같겠지만 C1과 C2가 유사할때는 Delta V가 Vswing의 절반수준밖에 되지 않는거죠. (Vswing이 Gate voltage를 예로 든 것이고 Delta V가 effective Gate voltage라고 보면될듯해요)
우와 기다렸습니다 감사합니다
설명 진짜 잘하시네요 저희과 교수님 설명보다 이해하기 쉽습니다
너무 깔끔하게 정리되네요 큰 도움 되었습니다 감사합니다~~
비전공자인데 대략 이해했어요 감사합니다
좋아요 박습니다.
현업 공정 엔지니언데, 소자이해에 많은도움되어, 정말 감사합니다~~
😅
와.....이해가 속속
와 dibl 지리네요 ㅋㅋ
-😊ahi😂
칩쟁이 그는 신인가? 칩쟁이 그는 신인가?칩쟁이 그는 신인가?칩쟁이 그는 신인가?칩쟁이 그는 신인가?칩쟁이 그는 신인가?
보통 어느 책 보시나요?? 혹시 추천해주실만한 책 있으신가요??
좀 쉬운 책은
chenming hu 책을 번역한
"현대 반도체 소자 공학"
좀 자세히 설명된 책은
s o kasap의
principles of electronic materials and devices
괜찮은것 같네요
18:41 shallow implantation을 LDD구조형성이라 봐도 무방할까요?
안녕하세요 punch through 현상에서 깊은 채널은 왜 전압이 낮은건가요?? 전압을 결정하는 요인이 궁금합니다
mosfet 내부도 결국 다 저항으로 이루어진 voltage divider 에요.
전압이 높은 게이트에서 멀고 전압이 낮은 바디 컨택이 가까워질수록 전압이 낮아집니다
아래 칩쟁이님이 답글 달아주셨지만 조금 보완설명해보고자 해요. 본 영상에서도 Cap이 그려져있는데, 결국 Voltage Coupling으로 보면되지 않을까 싶어요. Cap1 Cap2가 있을 때, 그 비율이 큰 쪽의 전압 변동이 그대로 전달되는거죠. Delta V = C1/(C1+C2) * Vswing이라고 해보면 C1>>C2의 상황에서는 Delta V가 거의 Vswing과 같겠지만 C1과 C2가 유사할때는 Delta V가 Vswing의 절반수준밖에 되지 않는거죠. (Vswing이 Gate voltage를 예로 든 것이고 Delta V가 effective Gate voltage라고 보면될듯해요)
Dibl일어나면 id vg 특성이 shift되고 추가로 ss 특성도 나빠지지 않나요?
DIBL이 일어나면 Vt가 감소하고 off current leakage current가 증가하여 결과적으로 나빠지긴 해요 Id(on)은 커지면 커지지 작아지지는 않죠