삼성전자 D램 선폭축소 특명 '4F스퀘어' 팀 꾸렸다
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- Опубліковано 11 вер 2024
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삼성전자, D램 4F스퀘어 개발팀 구성... "면적 축소 한계 넘자"
(www.thelec.kr/...)
※ 2023년 5월 25일 목요일 방송본입니다.
#삼성전자 #sk하이닉스 #반도체 #d램
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차세대 배터리 열관리 신소재·신기술 콘퍼런스
2023년 5월 31일(수) 14:00 ~ 18:00 포스코타워 역삼 3층 이벤트홀 (역삼역 3번 출구 도보 3분)
*행사 장소가 변경되었습니다.
사전링크 페이지
(yelec.kr/produ...)
[오프라인 행사 개요]
◦ 행 사 명 : 차세대 배터리 열관리 신소재·신기술 콘퍼런스
◦ 주최 및 주관 : 디일렉 / 와이일렉
◦ 일 시 : 2023년 5월 31일 (수) 14:00 ~18:00
◦ 장 소 : 포스코타워 역삼 3층 이벤트홀 (역삼역 3번 출구 도보 3분)
*행사 장소가 변경되었습니다.
◦ 참가비용 : 25만원(부가세 포함)
◦ 행사문의 : 와이일렉 (02)2658-4707 / gnzhyunmin@thelec.kr
[참고 사항]
◦ 콘퍼런스 룸 인원 제한으로 조기 마감될 수 있습니다.
◦ 참석자 분들은 오전 13시 30분부터 사전 입장 가능합니다.
◦ 발표자료는 공개를 허락한 연사에 한하여 제공합니다.
◦ 콘퍼런스 비용 입금시 회사명 또는 등록자명으로 입금하여 주시기 바랍니다.
(우리은행 1005 - 803 - 563727 예금주 디일렉)
*세금계산서 발행은 무통장 입금 결제만 가능합니다.
◦ 참석확인증 - 콘퍼런스 종료 후 신청해 주시기 바랍니다.
◦ 취소안내 - 행사 2일전 14시까지 환불신청 가능. 이후에는 환불 불가합니다.
◦본 콘퍼런스는 주차지원이 불가합니다.
[발표 주제 안내] - *주제 및 연사자는 변경될 수 있습니다.
◦ 배터리 안정성 높일 고성능 방열 소재 - LG화학 박재찬 팀장/엔지니어링소재.개발.e-Mobility소재 프로젝트 리더
◦ 세계 최고 수준의 배터리 PU 방열 소재 - 헨켈 정현준 차장 / 자동차 컴포넌트 사업부
◦ 실리콘계 배터리 방열 소재 양산 - 코모텍 윤재만 대표
◦ 전기차용 방열·방염 솔루션 - 나노팀 유일혁 연구소장
◦ BMS 기능안전 설계 - 미섬시스텍 유한주 상무
◦ 배터리 안전의 최후 보루 버스트 디스크 - 블루캡캔 김상학 대표
◦ 화재 이상 징후 'Off gas' 사전 감지해 막는 센서 '리튬이온 테이머' 티팩토리 이주광 전무
※ 디일렉 멤버십
멤버십 안내 ( • 디일렉 유튜브 멤버십 개설했습니다. )
멤버십 가입 ( / @theelec9812 )
※ 디일렉 멤버십 혜택
[디일렉 영상 하루 빨리 보기]
디일렉 영상은 기본적으로 모두 '무료'이지만, 후원해주시는 분들께는 영상을 하루 빨리 볼 수 있는 혜택을 드립니다.
전자부품 전문 미디어 디일렉
무지한 질문일지 모르겠지만..
Logic 에서는 3나노, 2나노까지 이야기를 하는데, 메모리는 10나노 한계라고 하시는 이유가 있을까요?
아니면, 메모리에도 10나노 이하, 즉 예를들어 3나노가 기술적으로는 가능하지만, 그렇게 못(?)가는 이유가 누차 방송 도중에 말씀하신 것 처럼 가격 경쟁력 때문인가요?
D램에 들어가는 캐패시터가 더 이상 작아지면 메모리를 더 자주 리프레쉬 해야하고, 소비 전력 개선과 메모리 밀도 향상의 이득보단 오히려 소비 전력이 늘어나기 때문이라고 들었는데요, 그렇다면 현재 축전지 기반의 D램은 더이상의 용량 향상은 기대하기 어려울까요?? 항상 있었던 얘기가 이제 이정도 용량이면 메모리는 충분하다 였는데.. 지금까진 계속 기술이 발전하면서 용량이 증대되어 왔지만, 이제 진짜 한계에 봉착한 것은 아닐지 궁금합니다
D램에서 선폭줄이는게 훨 힘들어요
그리고 지금 나노는 마케팅 용어임
@@user-sn9nr3f72a 아... 그럼 DRAM에서는 actual physical dimension 을 반영한 수치라는 거군요..?
감사합니다.
@@blankkickboard 기술적 이유도 있군요...
감사합니다..!
@@ph9304 메모리에서도 선폭 줄이는 건 힘들꺼에요. 미세공정이 칼이 두꺼워서 못 그리는 것 뿐만 아니라 선이 짧아지면 누설전류라든지 악영향이 생기기 때문에 힘든건데, 로직 반도체 보다는 메모리 쪽에 더 치명적일꺼에요.
그래서 GAA 관련 이야기가 나왔을 때 저는 로직 반도체 보다는 메모리 쪽과 관련해서 더 기대를 하고 있습니다.
TSMC 보다 삼성에서 GAA등을 먼저 도입하려고 한 것에는 이런 이유도 있을 것이고요.
EUV 장비의 경우 로직 반도체에서는 7나노 이하에서 필요하지만, 삼성에서는 14나노 메모리에 사용했다고 홍보하기도 했죠.
전직 dram 6F 개발자 관점에서 보면 내용이 거의 없네요. 장단점을 구체적으로비교했으면 좋았을 것 같습니다
면적당 직접도는 계속 개선되어야 후발주자들이 못 따라오는데, 이게 이리 어려우면 결국 후발주자들이 따라올수 밖에 없는 구조네요. 미국이 그나마 2X나노 이하 디램 선단 공정에 들어가는 반도체 장비를 중국이 구입할수 없게 규제해준 덕택에 삼성과 SK하이닉스가 시간을 좀 벌었는데, 앞으로 이렇게 계속 어려운 경쟁이 지속된다면 경쟁 때문에 삼성전자 메모리 사업부 혹은 SK하이닉스가 결국 못 버티고 부분적이나마 합병하는 수순으로 가지 않을까요. 만약 SK하이닉스와 마이크론이 미는 3D디램이 성공하고, 삼전의 4F 스퀘어가 실패한다면, 삼전은 디램 사업부를 분사해서 SK하이닉스에게 넘겨주는 일도 있지 않을까 싶습니다. 반면에 전 인텔의 중국 공장 때문에 곤란한 상황에 놓인 SK하이닉스는 낸드 사업부를 분사해서 삼전에게 넘겨주는 일도 있을 수 있겠죠. 이래나 저래나 둘 다 한국 경제의 기둥인데 참 암울하네요.
소설
이건 말도 안되는 시나리오임..
삼성 계속 기술개발 실패하고 있음 1b 노드 포기했고 1c 한다는데 그게 되나 1b 도 못했는데 1a 노드도 7% 밖에 못씀 마이크론은 47% 인데 마이크론은ㅍ1b 도 일년전에 개발했음 마이크론이 지금 기술 1위임
1등~