Вспомнилось как впервые увидел igbt модул)))мы решили тогда что это тиристорная сборка и заменили его советскими транзисторами)) был хороший фейерверк))
Спасибо тебе большое! Очень очень прям очень интересно было смотреть и слушать!!! Правда я редко пишу коменты и выражаю свое мнение, но это очень полезно. Я думаю многие тебе благодарны и как минимум я буду очень рад если ты и дальше будешь продолжать снимать подобные обучающие видео. Это правда очень полезно. Очень приятно понимать что есть ещё люди которые готовы рассказывать о таком а не просто плясать и страдать сами знаете чем. Спасибо тебе большое человек с большой буквы)
Отличное видео!!! Очень много полезной информации нашел для себя! Очень даже интересны подобные обучающие видео, ведь по сути без всех этих знаний в дальнейшем будет невозможно создание каких либо самоделок и устройств. Невозможно что то хорошо собрать, если не знаешь принцип работы.
Очень радует что ты умеешь так просто и сжато давать инфу по радиодеталям. Плиз - расскажи о импортных диодах - с малым временем восстановления, сверхбыстрых и подобных что стоят в импульсных и вч схемах.
Посмотрел сотни видео про транзисторы, и только сейчас понял как работает коэффициент усиление и в чем главная разница между полевыми и биполярными транзисторами. Еще бы видео про способы включения (мостовой, эмиттерный повторитель и т.д.). Спасибо!!!
Могу скинуть лекции по радиоэлектронике. Там описаны способы включения транзисторов, и всё предельно понятно расписано :) Напишите мне свою почту, может чего полезного сможете вычитать)
Отличное видео я впервые увидел такое четкое и понятное объяснение по IGBT. У меня у самого профильное образование по обслуживанию электроустановок и я написал несколько дипломов на эту тему и занимался ремонтом электроприводов, хотя сам работаю последнее время в IT. Вообщем этот одно из лучших объяснений этой темы вам в преподы нужно.
Тема полностью не раскрыта, прчём важные аспекты как наличие динамических емкостей затвор - эмиттер, затвор коллектор и наличие смертоносного паразитного транзистора в структуте IGBT - кристала.
Огромное спасибо такое обширное и понятное видео, всё же есть в этом мире люди, которые делают полезные видео ради помощи людям, а не только из-за просмотров!
Обучающие ролики очень нужны, особенно в таком развернутом виде. Иногда в какие-то нюансы очень не просто вникнуть, и такую, разложенную по полочкам информацию, днём с огнём иногда не найдешь. Спасибо. На такой контент всегда найдется своя аудитория.
Очень толково объяснил.Молодец! От себя хотел бы заметить что впервые пришлось поработать с такими транзисторами еще до производства их кампанией IRF Назывались те транзисторы КП926.. Экспериментальная серия их была выпущена в городе Омске. Помнится автор их разработки жаловался мне что уже лет десять бегал по московским кабинетам с опытными образцами,пытаясь внедрить их в производство. Вот и думаю теперь: то ли у него приоритет,то ли его обокрали московские проходимцы и продали,то ли IRF придумала их независимо...
Спасибо за видео ! Никогда не интересовался такими из за отсутствия их в моей жизни , даже частотник в гараже для гриндера на 1500ватт на полевиках сделан )
Шикарное видео. Было интересно послушать того кто применяет такие приборы на практике. Работаю на предприятии, которое производит IGBT как в виде силовых модулей, так и в дискретных корпусах. Интересно было бы ещё узнать о нюансах применения, т.к. у тебя большой опыт именно с готовыми схемами, чтобы понять на что больше обращать внимание. Сами модули испытать та ещё задачка, но это все равно остается идеальным испытанием в вакууме, за исключением разве что устойчивости к импульсу двойного переключения, обычно все замечания уже получаем от людей, которые применяет наши модули в готовых схемах.
Хорошая подача материала. Единственная странность - в изображении входной емкости полевого транзистора. Входная емкость существует между истоком и затвором. Стало быть относительно управления она прикладывается в параллель, но никак не последовательно.
@@nat87serg Дыыы что вы говорите? Емкость присутствующая между истоком и затвором (входная) оказывается последовательной относительно затвора... Это судя по сюжету. Ну ни фига себе - нет ошибки. Если уж быть дотошными, то заряд емкости происходит последовательно (как и любого конденсатора), но разряд осуществляется между двумя выводами емкости. То есть - затвор тупо соединяется с истоком. И никак последовательным такое воздействие быть не может. Емкость исток-затвор не перезаряжается, а закорачивается. А если учитывать более низкую скорость закрывания описанного транзистора, то быстрый разряд очень важен. В биполярных транзисторах именно такое свойство отчетливо наблюдается. И это свойство наиболее сильно проявилось из-за присутствия в данном гибриде именно биполярника.
@@nat87serg Да и забыл. В моем начальном утверждении написано, что входная емкость прикладывается к выходной цепи в параллель. Если выходом считать точку связи с затвором и точку связи с истоком, то именно так и выходит.
Спасибо за подробный ликбез! Чем-то советские обучалки-документалки подачей напомнило). Много сталкиваюсь с ПЧ, и каждый раз "интересно, что за транзисторы, надо почитать!", но всё никак. А тут прямо в тему)))
Ну скажем не только про полочку не рассказали! А об уникальности данного шедевра к защёлкиванию благодаря паразитному транзистору в структуре кристала. А так же по уникальность всё той же ёмкости Миллера. И то что все паразитные ёмкости с динамической ёмкостью. Это уникальный полупровдниковый элемент способный к возбуждению на частотах порядка 15 мГц. в силовых модулях порядка 450 Ампер в параллельном включении в опредёлённых условиях!
Лайк за кадры транзистора: то в травке, то на дереве) А если срьезно, то видео отличное, обучающие самые ценные, но видимо массы любят "хлеб и зрелище". Большое спасибо и будь здоров!
Шикарные ролики, много полезной информации. Но в данном видео есть неточности, о которых просто нельзя не упомянуть. Это касается сравнения статических потерь на MOSFET и на IGBT. Мощность выделяемая на MOSFET: P=i2*R - протекающий ток в квадрате надо умножить на сопротивление открытого канала. Мощность, выделяемая на IGBT: P=U*I - напряжение насыщения коллектор-эмитер умноженное на ток коллектора. Так вот, это может показаться неочевидным, но если посчитать мощность для типичных представителей этих транзисторов примерно одного класса по формулам, то получится, что в режиме больших (или номинальных) токов на IGBT падает меньшая мощность. Отсюда и основное достоинство IGBT - способность работать на ощутимо больших токах, чем MOSFET. Это определяется именно меньшими потерями в открытом состоянии ключа. Так же это можно объяснить тем, что MOSFET - униполярный прибор - проводимость канала обеспечивается электронами, а IGBT биполярный прибор - в проводимости участвуют как электроны, так и дырки (тоже электроны, но в валентной зоне). MOSFET превосходит IGBT практически во всём, кроме больших токов и способности выдерживать большое напряжение. IGBT медленнее и имеют бОльшие потери на переключение, поэтому на слишком высоких частотах не используются.
В радиоэлектронике не последний человек, но про данные транзисторы не слышал(не сталкивался потому что,наверное). Всё понял,в ячейке памяти отложилось. Спасибо!
IGBT ключи в мощных приложениях с напряжениями от 300В имеют преимущество над полевиками. Первое - область безопасной работы IGBT шире MOS-фетов, Второе - если пересчитать падение на MOS-FET ключе при токе например 20 А с рабочим напряжением например 500В, то окажется что IGBT ключ будет иметь меньшее падение. И последнее - у IGBT не наблюдается Миллеровская полка по затвору - меньше звона. Единственный недостаток IGBT - очень быстрые сильно дороже, да и за встроенные диоды надо доплачивать.
Это если сравнивать с кремниевыми мосфетами. Если отбросить фактор стоимости, то в сегменте 500V-20A SiC-мосфеты превосходят IGBT на голову. Еще есть GaN-мосфеты
Дядька самое важное забыл рассказать про транзисторы. Это емкость между К-Э. У полевых она значительно выше (И-С). Если использовать полевики в схеме полумост в импульсном блоке питания, то без радиатора даже в холостом режиме они могут сгореть, так как пока один транзистор закрыт в нем остается заряд, и когда открывается другой транзистор, он начинает работать на эту емкость, и кратковременно импульсный ток достигает огромных значений.
Такой ток может быть и не от этой емкости, а от качества обратных диодов. Они должны иметь минимальное время "рассасывания", а это сложная задача. Кроме того, ток "рассасывания" для диода ограничен и превышение его черевато пробоем. Поэтому затворный резистор выбирают из компромиса - избегаем слишком быстрого включения полевика для избежания большого тока "рассасывания" в оппозитном ключе / потери на коммутацию. Этот компромис имеет экстремум минимальной мощности потерь при определенном значении затворного резистора. Все мною сказанное характерно для индуктивной нагрузки, когда обратные диоды активно используются.
Салют :) Тут можно добавить что при включении мосфетов паралельно, падение напряжения открытого канала будет уменьшатся. У IGBT транзисторов, сколькобы в паралель не подключай, падение напряжения будет всегда одним и темже. Это к тому чтобы допустим уменьшить нагрев ключей, чтобы не использовать здаровых радиаторов мы можем запаралелить мосфеты, а вот с IGBT такая схема не прокатит.
Отлично изложено! Лет десять назад, такой видосик сэкономил бы мне много сил и времени. Но вот разобранного модуля в кадре не хватает. Компаунд очень часто прозрачный (непрозрачный вообще видел пару раз всего), так что было бы неплохо заглянуть. Кристаллики выглядят прикольно и ниточки, которыми кристалл соединен с шинами - тоже. Смотришь на такое и удивляешься, как оно все не выгорает на таких токах)
Автору спасибо за интересный ролик!!! Люди, может кто расскажет, что за транзистор 313, производства СССР 1959 года? Сегодня, роясь в ящике с деталями, обнаружил пару таких транзисторов. Они похожи на П202, но верх крышки плоский, как у П4БЭ. И никакой буквы "П" у него нет. Кто знает, пожалуйста, расскажите, может это не только мне будет интересно. Гугл про него ничего не смог рассказать...
Емкость затвора изображена неверно Емкость должна изображаться параллельно переходу затвор-исток. В Вашем случае емкость ведет себя как диф. цепочка, а должна быть интегрирующая.
Емкостей в полевом на самом деле много, не только затвор исток, но и затвор сток, есть и собственная емкость затвора, для упрощения часто все это называют затворной емкостью
Спасибо! Хорошо разжёвано, сохраню себе. А можно такое же видео про JFET (почему у него затвор изображён в виде истока, со стрелочкой) и чем они отличаются от тех же MOSFET-ов?
Отличное видео, многим, я думаю, будет полезно видео про операционный усилитель, так как это не менее распространенный элемент в схемотехнике, чем транзистор
Хочу видеть про операционные усилители с цифровым управлением, внутренними опорными источниками и гальванически развязаным внутренним питанием( с их помощью отслеживают падение на токовом резисторе IGBT ключей).
@@valentinsavchuk7807 по моему для таких целей как измерение падения напряжения обычный гальванически развязанный операционник подойдёт, типа ACPL-7800, ACPL-C79, что-то от TI и прочие
Сделайте обзор на разобранный модуль IGBT. Там много интересного - что за гель-наполнитель внутри, из чего сделаны тончайшие проводники, что выдерживают огромные токи. Да и сам миниатюрный кристаллик IGBT интересен там.
Блин, а у меня таких 4 шт. валяется. Вот только даже внимания не обращал, а выкинуть жалко было. Спасибо автору ! Теперь буду знать, что точно пригодятся
Лет 15 назад работал с частотниками. Многих производителей (называть не буду - реклама или антиреклама). Тогда это были пионеры в нашей промышленности. Так что нам не нравилось - силовые модули были выполнены в едином блоке - входной мост (1-но или 3-х фазный, в зависимости от исполнения), выходные силовые ключи с оптодрайверами. Совершенно не ремонтопригодно! Иногда ремонт бывал удачным, если в платах управления были проблемы :smd предохранители, транзисторы, операционники и т. п.
Да вот и знакомый полевик увидел rfp50n06, пару раз менял в авто усилителях мощности такой. И в умной зарядке пропавшей под дождь. Ну там не только им ограничился ремонт.
Не всем дано так излагать технологии! Класс. Спасибо за труды.
Вспомнилось как впервые увидел igbt модул)))мы решили тогда что это тиристорная сборка и заменили его советскими транзисторами)) был хороший фейерверк))
Не люблю букву з
Нет Z-нацизму!
@@AlexXoxol333Это пишет тот, в чьей стране стоят памятники Бандере?
@@StalkerFromSouth ахах, так Бандера молодец, он сражался с двумя усатыми фашистами - коричневым гитлером и красным сталиным!
@@StalkerFromSouth нацик руzzкий, Бандера борец с гитлеровским и сталинским фашизмом!
Моё почтение) Очень хорошо объяснили то что многие не могут и за 5 лет) Про тайминги и ёмкости и к чему ведут различные их значения-просто и понятно.
Спасибо тебе большое! Очень очень прям очень интересно было смотреть и слушать!!! Правда я редко пишу коменты и выражаю свое мнение, но это очень полезно. Я думаю многие тебе благодарны и как минимум я буду очень рад если ты и дальше будешь продолжать снимать подобные обучающие видео. Это правда очень полезно. Очень приятно понимать что есть ещё люди которые готовы рассказывать о таком а не просто плясать и страдать сами знаете чем. Спасибо тебе большое человек с большой буквы)
Отличное видео!!! Очень много полезной информации нашел для себя! Очень даже интересны подобные обучающие видео, ведь по сути без всех этих знаний в дальнейшем будет невозможно создание каких либо самоделок и устройств. Невозможно что то хорошо собрать, если не знаешь принцип работы.
Вы правы
Про новые сверхмощные GAN транзисторы и блоки питания на их основе тоже интересно
Старая технология на новом типе полупроводника
В них тоже косяков не мало особенно на управление 💁 очень прожорливый
Очень радует что ты умеешь так просто и сжато давать инфу по радиодеталям. Плиз - расскажи о импортных диодах - с малым временем восстановления, сверхбыстрых и подобных что стоят в импульсных и вч схемах.
Подобные видео по обучению очень, очень нужны.
Огромное спасибо за такой ликбез!
Посмотрел сотни видео про транзисторы, и только сейчас понял как работает коэффициент усиление и в чем главная разница между полевыми и биполярными транзисторами. Еще бы видео про способы включения (мостовой, эмиттерный повторитель и т.д.). Спасибо!!!
Могу скинуть лекции по радиоэлектронике. Там описаны способы включения транзисторов, и всё предельно понятно расписано :) Напишите мне свою почту, может чего полезного сможете вычитать)
@@spuffik9235сможешь скинуть, пожалуйста?
Отличное видео я впервые увидел такое четкое и понятное объяснение по IGBT. У меня у самого профильное образование по обслуживанию электроустановок и я написал несколько дипломов на эту тему и занимался ремонтом электроприводов, хотя сам работаю последнее время в IT. Вообщем этот одно из лучших объяснений этой темы вам в преподы нужно.
Тема полностью не раскрыта, прчём важные аспекты как наличие
динамических емкостей затвор - эмиттер, затвор коллектор и наличие
смертоносного паразитного транзистора в структуте IGBT - кристала.
Отличное видео, как и все остальные. Держи планку по выпуску видео в том же режиме, даже в такое нелёгкое время. Удачи.
тфу мля! и тут гейпропоганда!
сейчас сообщу, пусть арестуют
@@Rin__Okumura путю арештуй..)))))
Четкое видео! Редко лайки тыкаю, но тут полностью заслуженно!
Огромное спасибо такое обширное и понятное видео, всё же есть в этом мире люди, которые делают полезные видео ради помощи людям, а не только из-за просмотров!
Обучающие ролики очень нужны, особенно в таком развернутом виде. Иногда в какие-то нюансы очень не просто вникнуть, и такую, разложенную по полочкам информацию, днём с огнём иногда не найдешь. Спасибо. На такой контент всегда найдется своя аудитория.
Как же вовремя вышло это видео, как раз собрал БП на igbt
Оно как хрестоматия или ежедневная молитва электронщика, всегда уместно к повтору познания😉
Очень толково объяснил.Молодец! От себя хотел бы заметить что впервые пришлось поработать с такими транзисторами еще до производства их кампанией IRF Назывались те транзисторы КП926.. Экспериментальная серия их была выпущена в городе Омске. Помнится автор их разработки жаловался мне что уже лет десять бегал по московским кабинетам с опытными образцами,пытаясь внедрить их в производство. Вот и думаю теперь: то ли у него приоритет,то ли его обокрали московские проходимцы и продали,то ли IRF придумала их независимо...
Да уж... по части отфутболивания наши руководители всегда были впереди планеты всей. Не смешно
Отличнейший урок... Превосходная,бесценная мысль пришла вам в голову о видео!!!!! Огромное спасибо вам за труды
Вам спасибо за отзыв, рад, что понравилось.
Автору огромнейшее спасибо !!!
Видео супер. Все хотел узнать о igbt транзисторах подробнее. Объясняешь все четко и понятно, нет "воды". Спасибо большое за контент
Прекрасное видео, вот так сразу рассказать про два типа транзисторов....Спасибо
Все очень понятно и максимально информативно. Спасибо вам огромное 👍
ОГРОМНОЕ СПАСИБО! Всё разложили по полочкам в моей голове.
Добрый день. Подача материала высокопрофессиональна. Трудно найти сегодня что то подобное. Спасибо. Автору успехов
Спасибо вам большое, оч приятно
Спасибо вам большое, оч приятно
Хорошо рассказанно, надо было дополнить в конце как отличить подделку плохого качества IGBT от оригинала . А так молодец.
Каналу нельзя отказываться от образовательной составляющей, мне кажется. Так что спасибо и успехов!
Как всегда просто и понятно! Супер! )))
Ну где и на каком канале вы ещё услышите такую информацию? Разжевано
настолько грамотн0!!!.
Спасибо за видео !
Никогда не интересовался такими из за отсутствия их в моей жизни , даже частотник в гараже для гриндера на 1500ватт на полевиках сделан )
Обучающие видео это вообще лучшее что есть на Ютуб.
Очень качественный контент! Без электронов, а главное без дырок, и прочнц лишнец музыки. Благодаргость за труд, и комментариц в поддержку канала 👍
Очень полезное видео, спасибо большое Вам!!! Легко и доступно рассказал, молодец!!!
Шикарное видео. Было интересно послушать того кто применяет такие приборы на практике. Работаю на предприятии, которое производит IGBT как в виде силовых модулей, так и в дискретных корпусах. Интересно было бы ещё узнать о нюансах применения, т.к. у тебя большой опыт именно с готовыми схемами, чтобы понять на что больше обращать внимание. Сами модули испытать та ещё задачка, но это все равно остается идеальным испытанием в вакууме, за исключением разве что устойчивости к импульсу двойного переключения, обычно все замечания уже получаем от людей, которые применяет наши модули в готовых схемах.
Где бы их только увидеть в продаже, ваши транзисторы .... хоть по какой-нибудь цене, не говорю про вменяемую
Хорошая подача материала. Единственная странность - в изображении входной емкости полевого транзистора. Входная емкость существует между истоком и затвором. Стало быть относительно управления она прикладывается в параллель, но никак не последовательно.
Для источника зарядовой цепи управления (драйвера) она последовательно вкючена. Так что ошибки нет.
@@nat87serg Дыыы что вы говорите? Емкость присутствующая между истоком и затвором (входная) оказывается последовательной относительно затвора... Это судя по сюжету. Ну ни фига себе - нет ошибки. Если уж быть дотошными, то заряд емкости происходит последовательно (как и любого конденсатора), но разряд осуществляется между двумя выводами емкости. То есть - затвор тупо соединяется с истоком. И никак последовательным такое воздействие быть не может. Емкость исток-затвор не перезаряжается, а закорачивается. А если учитывать более низкую скорость закрывания описанного транзистора, то быстрый разряд очень важен. В биполярных транзисторах именно такое свойство отчетливо наблюдается. И это свойство наиболее сильно проявилось из-за присутствия в данном гибриде именно биполярника.
@@nat87serg Да и забыл. В моем начальном утверждении написано, что входная емкость прикладывается к выходной цепи в параллель. Если выходом считать точку связи с затвором и точку связи с истоком, то именно так и выходит.
Спасибо за подробный ликбез! Чем-то советские обучалки-документалки подачей напомнило). Много сталкиваюсь с ПЧ, и каждый раз "интересно, что за транзисторы, надо почитать!", но всё никак. А тут прямо в тему)))
Очень хорошее видео. Полезно для начинающих электронщиков.
Очень полезный материал. Много нового узнал! Спасибо, Касьян! Сотри Вас уже несколько лет
Не пишу коменты,не ставлю лайки. Смотрю давно Вас! И обучающие ролики самые лучшие,работаю автоэлектриком. Много чего нового черпнул!!!
спасибо
Снимаю шляпу !!!! Так разбираться в транзисторах не каждому академику под силу !!! Респект !!!👍👍👍
Ну скажем не только про полочку не рассказали! А об уникальности данного шедевра
к защёлкиванию благодаря паразитному транзистору в структуре
кристала. А так же по уникальность всё той же ёмкости Миллера.
И то что все паразитные ёмкости с динамической ёмкостью.
Это уникальный полупровдниковый элемент способный к
возбуждению на частотах порядка 15 мГц. в силовых модулях
порядка 450 Ампер в параллельном включении в опредёлённых условиях!
Лайк за кадры транзистора: то в травке, то на дереве)
А если срьезно, то видео отличное, обучающие самые ценные, но видимо массы любят "хлеб и зрелище".
Большое спасибо и будь здоров!
В очередной раз познавательная лекция. Благодарность автору!
Развёрнуто, детально и не скучно. Молодец!
Классное видео! Сразу понял то, чему учили несколько лет в колледже :-)
Шикарные ролики, много полезной информации. Но в данном видео есть неточности, о которых просто нельзя не упомянуть. Это касается сравнения статических потерь на MOSFET и на IGBT. Мощность выделяемая на MOSFET: P=i2*R - протекающий ток в квадрате надо умножить на сопротивление открытого канала. Мощность, выделяемая на IGBT: P=U*I - напряжение насыщения коллектор-эмитер умноженное на ток коллектора. Так вот, это может показаться неочевидным, но если посчитать мощность для типичных представителей этих транзисторов примерно одного класса по формулам, то получится, что в режиме больших (или номинальных) токов на IGBT падает меньшая мощность. Отсюда и основное достоинство IGBT - способность работать на ощутимо больших токах, чем MOSFET. Это определяется именно меньшими потерями в открытом состоянии ключа. Так же это можно объяснить тем, что MOSFET - униполярный прибор - проводимость канала обеспечивается электронами, а IGBT биполярный прибор - в проводимости участвуют как электроны, так и дырки (тоже электроны, но в валентной зоне). MOSFET превосходит IGBT практически во всём, кроме больших токов и способности выдерживать большое напряжение. IGBT медленнее и имеют бОльшие потери на переключение, поэтому на слишком высоких частотах не используются.
Очень интересно и, даже, понятно, теперь бы по ШИМ также, и я имею в виду принцип работы микросхем, а не в общем.
Спасибо. Как всегда в топе просветительской деятельности в сети. Один из наиболее полных роликов по теме, браво.
Спасибо, я для себя нашла очень много полезной, а главное, понятной информации.
Умеете вы понятно объяснять.
Спасибо большое, особенно приятно, когда женщина увлекается таким с первого взгляда не женским делом.
Спасибо что делитесь такой информацией, не бросайте обучающие видео, они очень нужны!
Спасибо за доходчивое объяснение материала. Так держать!
Большое спасибо. Предельно информативно и без лишней "воды".
Супер интересный и познавательный ролик, перечинил кучу техники включая сварочники но таких подробностей не знал.👍👍👍
В радиоэлектронике не последний человек, но про данные транзисторы не слышал(не сталкивался потому что,наверное). Всё понял,в ячейке памяти отложилось. Спасибо!
самое доступное объяснение об особенностях разных типов транзисторов! спасибо большое!
Спасибо! Мне интересно всегда смотреть и слушать и для меня большая часть сложного много но интересного. Всех благ!
Просто уши отдыхают от знакомых слов и терминов из далекого детствв и юности😊
Отличное видео и объяснение.
Знаю это всё, но слушал с удовольствием.
Не знаю как другие, а мне нравится. Повторение мать учения..
IGBT ключи в мощных приложениях с напряжениями от 300В имеют преимущество над полевиками. Первое - область безопасной работы IGBT шире MOS-фетов, Второе - если пересчитать падение на MOS-FET ключе при токе например 20 А с рабочим напряжением например 500В, то окажется что IGBT ключ будет иметь меньшее падение. И последнее - у IGBT не наблюдается Миллеровская полка по затвору - меньше звона. Единственный недостаток IGBT - очень быстрые сильно дороже, да и за встроенные диоды надо доплачивать.
При больших напряжениях даже пассивное выпрямление на диодах становится эффективнее синхронного на полевых транзисторах.
Там тоже есть "Миллеровская полка". Размер может отличаться. Опять же из-за пониженных характеристи переключения.
Это если сравнивать с кремниевыми мосфетами. Если отбросить фактор стоимости, то в сегменте 500V-20A SiC-мосфеты превосходят IGBT на голову. Еще есть GaN-мосфеты
Классное видео. Можно даже сделать отдельную рубрику с периодическими обучалками.
Класс! Отличный учебный материал! Великолепная работа! 👍
Спасибо вам за ваш труд! Это видео ваш шедевр! Всё чётко без лишней воды.
Спасибо за познавательное видео. Давно искал что-то про IGBT, а тут новое видео
Дядька самое важное забыл рассказать про транзисторы. Это емкость между К-Э. У полевых она значительно выше (И-С). Если использовать полевики в схеме полумост в импульсном блоке питания, то без радиатора даже в холостом режиме они могут сгореть, так как пока один транзистор закрыт в нем остается заряд, и когда открывается другой транзистор, он начинает работать на эту емкость, и кратковременно импульсный ток достигает огромных значений.
Такой ток может быть и не от этой емкости, а от качества обратных диодов. Они должны иметь минимальное время "рассасывания", а это сложная задача. Кроме того, ток "рассасывания" для диода ограничен и превышение его черевато пробоем. Поэтому затворный резистор выбирают из компромиса - избегаем слишком быстрого включения полевика для избежания большого тока "рассасывания" в оппозитном ключе / потери на коммутацию. Этот компромис имеет экстремум минимальной мощности потерь при определенном значении затворного резистора.
Все мною сказанное характерно для индуктивной нагрузки, когда обратные диоды активно используются.
Молодчаги спасибо🙏💕🙏💕 за информацию👏👏👏👏👏
Спасибо за понятное объяснение
От души всей спасибо за труды!!!
👍🤝🤝🤝
Здравствуйте. Предложение для следующего цикла. Самоделки на основе сварочных инверторов (мощный регулируемый БП, индукционный нагреватель и т.д.)
Салют :) Тут можно добавить что при включении мосфетов паралельно, падение напряжения открытого канала будет уменьшатся. У IGBT транзисторов, сколькобы в паралель не подключай, падение напряжения будет всегда одним и темже. Это к тому чтобы допустим уменьшить нагрев ключей, чтобы не использовать здаровых радиаторов мы можем запаралелить мосфеты, а вот с IGBT такая схема не прокатит.
Потому его и называют "биполярный".
Благодарю за данное видео лично я ищу как раз образовательные видео, по этому помогу чем смогу!!!
Отлично изложено! Лет десять назад, такой видосик сэкономил бы мне много сил и времени.
Но вот разобранного модуля в кадре не хватает. Компаунд очень часто прозрачный (непрозрачный вообще видел пару раз всего), так что было бы неплохо заглянуть. Кристаллики выглядят прикольно и ниточки, которыми кристалл соединен с шинами - тоже. Смотришь на такое и удивляешься, как оно все не выгорает на таких токах)
Еще как выгорает. "ниточки" - алюминиевые.
Давеча распотрошил три штуки таких транзисторных сборок, мертвых, естественно. Горят, и ещё как. Один из трех транзисторов обязательно прям в угли.
Транзюки, это всегда важно! Всё на этих трудягах сейчас работает.
Автору спасибо за интересный ролик!!! Люди, может кто расскажет, что за транзистор 313, производства СССР 1959 года? Сегодня, роясь в ящике с деталями, обнаружил пару таких транзисторов. Они похожи на П202, но верх крышки плоский, как у П4БЭ. И никакой буквы "П" у него нет. Кто знает, пожалуйста, расскажите, может это не только мне будет интересно. Гугл про него ничего не смог рассказать...
Потрясающее видео! Огромное человеческое спасибо!
Отличное видео, только ёмкость затвора на схеме следовало изобразить не как последовательный с источником конденсатор, а как параллельный затвору.
Хотелось бы увидеть какую-то самоделки на основе IGBT
Емкость затвора изображена неверно
Емкость должна изображаться параллельно переходу затвор-исток. В Вашем случае емкость ведет себя как диф. цепочка, а должна быть интегрирующая.
Емкостей в полевом на самом деле много, не только затвор исток, но и затвор сток, есть и собственная емкость затвора, для упрощения часто все это называют затворной емкостью
Спасибо! Хорошо разжёвано, сохраню себе. А можно такое же видео про JFET (почему у него затвор изображён в виде истока, со стрелочкой) и чем они отличаются от тех же MOSFET-ов?
Jfet раньше применялись в аналоговых схемах, сейчас не встречаются. Там канал изолируется не оксидом, а обратно смещённым (закрытым) pn-переходом.
Отличное видео, многим, я думаю, будет полезно видео про операционный усилитель, так как это не менее распространенный элемент в схемотехнике, чем транзистор
Хочу видеть про операционные усилители с цифровым управлением, внутренними опорными источниками и гальванически развязаным внутренним питанием( с их помощью отслеживают падение на токовом резисторе IGBT ключей).
@@valentinsavchuk7807 по моему для таких целей как измерение падения напряжения обычный гальванически развязанный операционник подойдёт, типа ACPL-7800, ACPL-C79, что-то от TI и прочие
@@micromaster4405, для измерения падения напряжения на шунте есть специализированные ацп для шунтов, с встроенным операционником и шлю
@@krypton1886 возможно, однако и цена у них наверняка соответствующая, и вряд-ли меньше обычного ACPL-C79 или ему подобных
@@micromaster4405, скорее всего в этом вы таки правы
Очень мощная подача материала
Спасибо за ваши труды!
Спасибо за Ваши труд. Всегда полезная информация.
Сделайте обзор на разобранный модуль IGBT. Там много интересного - что за гель-наполнитель внутри, из чего сделаны тончайшие проводники, что выдерживают огромные токи. Да и сам миниатюрный кристаллик IGBT интересен там.
Отличное видео и считаю во многом познавательное, ведь подобных обзоров практически нигде нет, так держать дальше!!!
Повторение мать учения! ☝️
Спасибо друже 🤝
Блин, а у меня таких 4 шт. валяется. Вот только даже внимания не обращал, а выкинуть жалко было. Спасибо автору ! Теперь буду знать, что точно пригодятся
Шикарный ролик, очень познавательно! Много нового узнал и главное, доступным языком.
Ожидаем концовку по шкафу!
Жду тоже этот шефанер 😂
Как всегда все интересно. Удачи в делах
Лет 15 назад работал с частотниками. Многих производителей (называть не буду - реклама или антиреклама). Тогда это были пионеры в нашей промышленности. Так что нам не нравилось - силовые модули были выполнены в едином блоке - входной мост (1-но или 3-х фазный, в зависимости от исполнения), выходные силовые ключи с оптодрайверами. Совершенно не ремонтопригодно! Иногда ремонт бывал удачным, если в платах управления были проблемы :smd предохранители, транзисторы, операционники и т. п.
Так что, не ремонтировали?
Да не отличное видео, а просто офигенное! Да сразу по всем видам транзисторов. Не хватило мне чуть чуть теории по переходам, Вики помогла;)
Карбид кремния еще может при более высоких температурах работать, по памяти где то при 600 градусах цельсия
Спасибо. Хотелось бы еще пару минут про драйвера для них, которые вы упоминали.
Отличное объяснение! Было-бы интересно посмотреть твоё видео как можно управлять igbt.
Да вот и знакомый полевик увидел rfp50n06, пару раз менял в авто усилителях мощности такой. И в умной зарядке пропавшей под дождь. Ну там не только им ограничился ремонт.
Очень познавательно и доходчиво! Спасибо огромное!
А можно IJBT модуль открыть плавно?
Очень полезное видео. Большое спасибо.
Лайк, комментарий. Делиться к сожалению не с кем
Я рад что подписался, много интересного, пытаюсь повторять схемы и изучать, правда не всегда работают с 1 раза 😁
спасибо, информация явно будет познавательная для начинающих и незнающих, особенно с таким объяснением, я же в свою очередь, лишний раз освежил память
Класс!!! Всё здорово рассказал👍, теперь точно свой сварочник доделаю.
( Если блок управления одолею...😆)
Не не. Надо еще почитать AN на транзисторы и силовые схемы.
Может это и не выгодно, но очень познавательно. Продолжайте. Смотрю все видео.
Из этого ролика я узнал больше отличий биполярных и полевых транзисторов, чем из всех остальных вместе взятых.