Відео

Cual es la diferencia Master??

Más precisamente : I[D] = (V[f]/a)*(1+1/(V[GS]-V[TH]+1)*W(-(V[GS]-V[TH]+1)*exp(-V[GS]+V[TH]-1))) donde "a" tiene unidades de resistencia. También se puede escribir: I[D] = I[D,max]*(1+1/(V[GS]-V[TH]+1)*W(-(V[GS]-V[TH]+1)*exp(-V[GS]+V[TH]-1))) Y para el caso experimental mostrado en el video I[D] = (3.3+3.3/(V[GS]-1.1)*W(-(V[GS]-1.1)*exp(-V[GS]+1.1)))/a.

Muy buenas tardes, realice las conexiones tal cual como estan en el video y me sucede algo similar se enciende el led y cuado inyecto corriente negativa se apaga pero cuando quito la corriente negativa se vuelve a encender y no guarda el estado bajo, quisiera saber si ya encontro la solucion al problema? le agradezco cualquier respuesta..

El símbolo es el correcto, la flecha va hacia afuera en el NMOS si se pone en la terminal de Source o fuente como indica el video. Otra manera tambien correcta es si se pone hacia adentro pero en lo que representa el substrato o cuerpo del transistor, terminal que internamente esta conectado al source en los transistores discretos pero no necesariamente en los transistores de circuito integrado. Referencias como Microelectronics Circuit de Sedra o Design of Analog CMOS Integrated Circuits de Razavi usa la simbologia aquí expuesta.

Misma pregunta me hice yo. Pero me autorespondi que simplemente se ha equivocado en el dibujo y ha dibujado la flecha para fuera en vez de para dentro. Ya que el 2N7000, como bien dice usted, no es canal P, sino N. Digamos que ha sido un despiste.

El símbolo es el correcto, la flecha va hacia afuera en el NMOS si se pone en la terminal de Source o fuente como indica el video. Otra manera tambien correcta es si se pone hacia adentro pero en lo que representa el substrato o cuerpo del transistor, terminal que internamente esta conectado al source en los transistores discretos pero no necesariamente en los transistores de circuito integrado. Referencias como Microelectronics Circuit de Sedra o Design of Analog CMOS Integrated Circuits de Razavi usa la simbologia aquí expuesta.

Hola Electronic Ing Diaz, que bueno que te haya parecido muy buena la explicación. La referencia del mosfet es el 2N7000. Saludos!

@@eengine7270 Excelente. Muchísimas gracias. Saludos desde Quibdo - Colombia.

@@ElectronicIngDiaz0786 Olvidé mencionar, pero en la descripción hay un enlace con el esquemático completo y allí también está la Ref. Saludos.

@@eengine7270 Muchas gracias.

@@eengine7270 buenas noches..2N7000 es el código Del transistor que utilizan en el video

con un cable a tierra?

@@medicosporlaverdad3891 siempre se hace corto circuito a los pines

@@krizzrojas5037 yo vivo en nivel del mar y aca no hay estatica me comenta un amigo que eso pasa en lugares altos con respecto al nivel del mar por ejemplo estabamos en el hipodromo de las americas y si tocabas la estructura metalica te daba toques

@@medicosporlaverdad3891 Amigo yo estudie electrónica en el año 2000 , ya tengo tiempo en esto de electrónica, Y electricidad estática hay en todas partes, estés en donde estés. hasta en tu cama puedes cargarte eléctricamente sin que te des cuenta.

@@medicosporlaverdad3891 Yo a parte de "reparar" equipos medicos, como rayos x, esterilizadoras, etc, tambien "fabrico" y diseño circuitos electronicos, lo cual me obliga a tener conocimiento de las carateristicas al detalle de los dispotivos para que no fallle por diferentes aspectos, como el medio ambiente que lo rodea, etc.

Hola Miguel. En este ejemplo, el Gate del mosfet queda conectada a tierra a través de la resistencia RG, es decir, con el pulsador abierto no hay corriente en RG y su tensión es de 0V. Por tanto la compuerta está a esa tensión de 0V en ese momento. Por otra parte, en el vídeo de la memoria, la compuerta (Gate) NO está conectada a nada, es decir, cuando se retira la alimentación, la compuerta "guarda" el dato porque está en circuito abierto, no hay RG ni ningún camino que permite imponer una tensión en el gate una vez se retira el cable que lo programa.

Hola Juan Pablo, tal vez. Gracias por la idea. Saludos

Hola @DAVID ANGARITA, para ser más precisos, no es porque el cuerpo se conecte a GND que el VTH deba aumentar. En realidad, asumiendo que a lo que quiere referirse es al efecto cuerpo, VTH aumenta en un transistor NMOS si el potencial de surtidor (VS) es más positivo con respecto al cuerpo (VB); en otras palabras si VSB > 0 en el NMOS; esto suele ocurrir cuando el cuerpo de conecta a tierra y hay por ejemplo una carga en el surtidor que hace que VS sea positivo con respecto al cuerpo. Una explicación simplificada pero satisfactoria de la compleja física que describe el fenómeno del cambio en VTH (conocido como efecto cuerpo) es la siguiente: 1. Para que el NMOS se "encienda", VGS debe ser lo suficientemente alto para generar una inversión de canal que conecte las difusiones n+ del surtidor y drenador. 2) Antes de que ocurra la inversión del canal, aparece una región de agotamiento en la región del sustrato justo debajo del óxido ya que los huecos son repelidos alejándose de esta zona debido a la tensión más positiva en compuerta. Esta región de agotamiento llega a fusionarse con la región de agotamiento de las uniones PN de las difusiones surtidor y drenador y su profundidad está determinada por la tensión de reversa de estas uniones. 3) La profundidad de la región de agotamiento determina la cantidad de carga presente en dicha zona y por tanto la cantidad de carga que la tensión en compuerta debe balancear para que "se pueda pensar en una inversión de canal" (generación del canal). En otras palabras, el VGS que se requiere depende en parte de la carga en la región de agotamiento (llámese Qd). 4) Si Qd aumenta por algún mecanismo, entonces VTH aumentará. 4) Una tensión VSB > 0 es justamente este mecanismo, ya que polariza en reversa la unión PN surtidor-cuerpo y del estudio del diodo se sabe que esto hace que la región de agotamiento aumente en comparación del caso VSB = 0. 6) Por lo tanto el VGS mínimo para apreciar inversión de canal aumenta (balancear el nuevo Qd es más difícil), es decir, el VTH aumenta.

Muy buena pregunta Rcadena - Tech Tech. Asumiendo que se quiere seguir operando al NMOS como switch, si la carga estuviera conectada en el surtidor, se debe tener la precaución de que la tensión que se aplique en la compuerta (en el experimento mostrado es VDD) debe ser lo suficientemente alta para garantizar/proveer: 1) el VGS del MOSFET que permita que este sea un camino de baja impedancia, y 2) la caída de potencial que aparecerá en dicha carga debido a la corriente que estaría circulando.

​@David Alejandro Reyes Gonzalez Buen punto estimado David, la configuración del transistor en conexión "diodo" como menciona implica asumir que no hay nada o no queda nada conectado en el drenador. Sin embargo, existen aplicaciones donde nos interesa controlar una "carga" en surtidor y aún así tenemos algo conectado en drenador, por ejemplo podríamos tener un circuito de fuente de corriente en el drenador que queremos habilitar o no para nuestra carga. La selección del tipo de MOSFET (PMOS o NMOS) va a depender de qué transistor quede "mejor" encendido en el diseño particular; los switches NMOS generalmente estarán localizados de tal manera que su tensión de surtidor esté más cerca a las tensiones más bajas del circuito (esto permitirá VGS más altos) y los switches PMOS se favorecerán si sus surtidores están a las tensiones más altas del circuito lo que permitirá tensiones VSG más elevadas. Para regiones intermedias, se suele usar un paralelo de ambos transistores. Finamente, el término "surtidor común degenerado" lo dejaremos para el caso en que se opere el transistor como circuito activo amplificador, tema de mucho interés y que se tratará más adelante en esta serie de videos. :)

Como dice @EEngine, hay aplicaciones donde se requiere esa configuración, por ejemplo, los sistemas de alta potencia para control de motores BLDC en vehículos eléctricos, en inversores de sistemas solares fotovoltaicos conectados a la red y controladores de régimen en aerogeneradores, entre muchas mas, en donde un PMOS no tiene x su construcción la capacidad de potencia necesaria contra su par equivalente en NMOS. Gracias por las respuestas, de esta manera se construye conocimiento. Excelentes aportes. 👏