교수님 이 강의에 내용은 아니지만, 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. MOS amplifier에서 saturation이라고 가정을 한 상태에서 I_d식과 loop방정식을 연립하여 V_GS를 구했을때, 값이 +, - 두 가지가 나왔다면 여기서 어떤 조건에 의해서 선택해야하나요?
교수님의 열정적인 강의에 감사를 드리면서 질문 하나드리겠습니다. Reverse Saturation Current가 BV이전까지는 saturated (constant) 하고 그 이유가 depletion region에서 generation rate은 일정하기 때문이라고 하셨는데요, 이 설명은 100%이해를 합니다만 reverse bias가 증가할 수록 depletion 폭도 커지기 때문에 generation rate이 일정해도 전체 reverse current (leakage current)는 증가하는 것으로 model이 되어야 하는것 아닌가요? 왜 depletion 폭이 커지므로 reverse current도 커지는 것을 고려하지 않는지 궁금합니다.
@@hc8063 엄밀히 말하면 증가합니다. 그러나 증가량이 매우 미미함. 반도체 공학에서 언급하는 내용은 역방향 포화전류에는 3가지 성분이 존재함. 확산전류 드리프트 전류 캐리어 생성에 의한 전류성분. 확산전류는 0이고 드리프트 전류는 일정하고 생성전류는 증가함. 그러나 생성전류의 증가량은 미미함
안녕하십니까. 강의 잘 듣고 있습니다! T-model을 적용한다고 했을 때, 교수님이 하신 것처럼 그라운드 라인을 아래에 잡고 왼쪽에 베이스 오른쪽에 이미터를 둔 다음, B와 E사이 r_e ((1+beta) i_b의 전류가 흐름), C에서 B로 g_m v_pi만큼의 전류가 흐르는 전류원을 넣고 풀어도 될까요? BJT 뿐만 아니라 MOSFET 또한 T모델을 같은 논리로 풀어도 될까요? (G와 S 사이에 1/gm의 저항, D에서 G로 gm vgs전류원)
@@김명식 답변 감사합니다. sedra smith 교재에서 MOSFET에서도 saturation mode일 때 소신호 등가모델 중에 T모델이 있었습니다! BJT의 T모델처럼 G와 S사이에 1/gm이라는 저항이 들어가며 D에서 G로 gm vgs만큼의 전류를 흘려주는 전류원이 들어간 모델이었습니다. 이것을 적용하면 안될까요?
강사들 중에 페이저임피던스라고 말하는 분이 있던데.... 올바른 표현인가요 ? 가능한 표현이라면 마치 임피던스가 페이저양처럼 이해되고, 페이저 전압 처럼 주파수에 의해서 시간영역으로 역변환을 할 수 있다는 말이 되는데 .... 시간영역에서 임피던스 개념이 사용되나요? 임피던스가 큰 회로 혹은 작은 회로라고 말할때 시간영역에서도 통용이 되는 건가요?
안녕하십니까. 교수님! 좋은 강의 잘 듣고있습니다. 궁금한 것이 하나 생겨서 질문드립니다. v_i와 v_π 사이의 관계를 구하실 때, r_π와 R_E 사이의 전압 분배로 구하셨는데요. r_π에 흐르는 전류(i_b)와 R_E에 흐르는 전류(i_e)가 다른데 전압 분배를 통해 구해도 되는 것인가요? 저는 안된다고 생각해서 v_i = v_π + v_E를 통해서 구해봤는데요. 결과적으로 제가 구한 것과 교수님이 구한 것은 분모에 g_m R_E가 더해진 것 만큼 차이가 났습니다. 감사합니다.
안녕하세요 교수님 강의 잘듣고 있습니다!! 하나의 sigle crystal에서 양단을 도핑 시켜 p하고 n으로 만들었다면 처음에는 》방향으로는 양공과 전자의 확산으로 인한 diffusion current만들어지고 그후에《 방향으로는 n타입 반도체의 남은 양의 전하와 p타임 반도체의 남은 음의 전하로 draft current가 만들어져서 일정 시간이 지난후에 내부에서 전류는 0이라고 생각해도 괜찮을까요?
교수님 이 강의에 내용은 아니지만, 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. MOS amplifier에서 saturation이라고 가정을 한 상태에서 I_d식과 loop방정식을 연립하여 V_GS를 구했을때, 값이 +, - 두 가지가 나왔다면 여기서 어떤 조건에 의해서 선택해야하나요?
@@아-p5o6r saturation 조건을 만족하는 값
진짜 너무 잘가르치신다..
강의 감사드립니다.
7:35 교수님 이 부분 질문 있습니다. CS회로에서 VDD만 변화 시키면 DC부하선의 기울기는 그대로 이고 X절편과 Y절편 값이 모두 변할 것 같은데 위 영상에서는 Y절편 값은 0.25로 동일하고 X절편만 바뀌었네요. 제가 뭘 잘못 생각하고 있는지 궁금합니다.
@@dark9459 잘 못 그렸음 y절편도 변해야함
강의 잘 듣고 있습니다. 감사합니다.
강의 감사합니다.
교수님 10:55에 -3db를 지나는 주파수가 왜 -6db를 지나는 주파수의 루트2배인가요??
@@용갓 제곱은 로그로 2배입니다
@김명식 잘 이해가 안되는데 전달함수식에 wc를 넣고 -3db 나오느값을 찾는건가요? 아니면 로그성질상 루트2배가 되는건가용?
@@용갓 제곱은 로그로 2배입니다
@@김명식 이해됐습니다 감사합니다!
안녕하세요 강의 들으면서 항상 드는 의문점이 제곱을 왜 사승(?) 이라고 표현하시는건지 궁금합니다. (예를 들면 05:34 부근)
@@김사부-q5r 사승이 아니고 자승 이라고 발음함
안녕하세요 교수님, Rs effect가 source degeneration인가요 ??
@@user-dc-ee 아닙니다. 저항 Rs에 의해 동작점의 변화에 미치는 영향을 알아봄
2:17
안녕하세요 교수님 편입 준비중으로 교수님 강의를 교재와 함께 듣고 있습니다. 편입을 위해 2학년 수준까지 습득이 필요한데, 몇장 까지 들으면 될까요?
@@단풍비-m5y 회로이론은 2학년 과정이므로 끝까지 들어야 합니다
@@김명식 답글 감사합니다 교수님!! 하나더 여쭤볼게 있어서요 강의 듣고 연습문제를 푸는 중입니다. 답안은 출판사에서 제공되는 것을 구했는데, 풀이가 없어서요... 구할 방법이 있을까요???
@@단풍비-m5y 네 출판사에서 미공개로 결정된 사항이라
안녕하세요 교수님. 전류가 나가는 길이 없으면 언젠간 끊긴다고 하셨는데 들어갔던 길로 다시 나올 수는 없는 건가요?
들어가는 양과 나가는 양이 같을 경우 전류의 값은 0 이 됩니다.
교수님 양질의 강의를 이렇게 올려주셔서 감사합니다 재생목록에 있는 강의들 순서를 여쭤보려고 하는데, 회로이론 1,2 -> 전자회로 1,2,3 -> 반도체공학 이 순서대로 수강하면 될까요?
@@gogigogi5333 네 그렇게 하세요
감사합니다
교수님 2:34에서 1A전류원이 왜 오픈서킷되나요??
@@용갓 전압원에 의한 응답을 구할 경우 나머지 전원의 값을 0으로함 따라서 전압원의 크기가 0이면 단락회로 전류원의 크기가 0이면 개방회로로 처리함
@김명식 중첩원리썻던 거엿군요 답변감사합니다.
교수님 전압법칙에서 올라가고 내려가고가 전위차를 의미하는데 어떨때 올라가고 내려간다는 건지 이해가 안되서 댓글 남깁니다
@@user-jd2vw9bc9y 전압에는 극성이 있습니다. -에서 +로 이동하면 올라가는 것이고 반대는 내려가는 것임
발성 존경합니다..
해외에서 반도체소자 엔지니어로 근무중입니다. 금속전공자로 회로지식이 없었는데 교수님 강의와 책으로 공부하니 도움 많이 되고 있습니다. 감사합니다~
교수님 12:02 에 1/30k 가 아니라 (1+3S)/30k 아닌가요?
@@Kingship0108 계산이 잘못될 수 있습니다.
존경합니다
교재에 예제 6-20이랑 6-21이랑 풀이가 바뀐거같습니다
@@hello-qr4gl 지적해주어 감사합니다
잘 들었습니다. 감사합니다!!
교수님의 열정적인 강의에 감사를 드리면서 질문 하나드리겠습니다. Reverse Saturation Current가 BV이전까지는 saturated (constant) 하고 그 이유가 depletion region에서 generation rate은 일정하기 때문이라고 하셨는데요, 이 설명은 100%이해를 합니다만 reverse bias가 증가할 수록 depletion 폭도 커지기 때문에 generation rate이 일정해도 전체 reverse current (leakage current)는 증가하는 것으로 model이 되어야 하는것 아닌가요? 왜 depletion 폭이 커지므로 reverse current도 커지는 것을 고려하지 않는지 궁금합니다.
@@hc8063 엄밀히 말하면 증가합니다. 그러나 증가량이 매우 미미함. 반도체 공학에서 언급하는 내용은 역방향 포화전류에는 3가지 성분이 존재함. 확산전류 드리프트 전류 캐리어 생성에 의한 전류성분. 확산전류는 0이고 드리프트 전류는 일정하고 생성전류는 증가함. 그러나 생성전류의 증가량은 미미함
@@김명식 교수님, 감사합니다. 그러니까 제 예상이 어느 정도는 맞는 거네요. 그리고 저도 드리프트 전류도 고려가 되어야 한다고 생각을 했었는데 이것도 확인이 되었네요. 궁금증을 해결해주셔서 감사드립니다.
교수님 좋은 강의를 이렇게 무료로 올려주셔서 정말 감사합니다. 전자회로 강의와 반도체공학 강의 중에 어느 걸 먼저 공부하는 게 좋을까요?
@@라면-f3i 순서는 상관없어요
@김명식 감사합니다!
0:21 설명하시는 부분 조금 더 자세하게 여쭈어 볼 수 있을까요? 설명 해주시면 감사하겠습니다 교수님!
@@내아입니다 초기치를 대입하여 미지수를 구할 경우는 인덕터의 경우 전류치를 구하는 경우가 편리함 여기서는 초기치를 대입하는 경우가 없기 때문에 전류늘 구하든 전압을 구하든 어떤 것도 무방함 다만 노드방정식의 경우 전압, 루프해석법은 전류값을 구하는 것이 편리함
@@김명식 이해했습니다 감사합니다 !!
10:05 jsin(wt+~~) 이 부분 앞에 amplitude 부분이 Vm인데 안쓰신거죠??
@@내아입니다 네 맞습니다. 빠뜨렸네요
@@김명식 감사합니다 ! 궁금한점 있으면 더 질문 드릴게요
교수님 D1이 on인 경우 저항에 걸린 전압의 부호가 왜 + 0.7v -가 되는지 알려주실 수 있을까요? 강의 감사합니다
I3 계산실수 하신것 같습니다. I3=2A 가 나옵니다
안녕하세요 교수님, 해당 영상 7분 50초쯤 부터, 쓸모있는 방정식과 아닌 방정식 구분하는것이 헷갈립니다ㅜㅜ 어떻게 이해하면 좋을까요?
교수님! 항상 강의 잘 보고 있습니다. R_o와 R_out의 차이가 뭘까요? 교수님이 구하신 것은 R_o인데 R_out을 구하려면 어떻게 해야할까요!
@@배태경학생전자정보대 표기 차이입니다
3:03
안녕하십니까. 강의 잘 듣고 있습니다! T-model을 적용한다고 했을 때, 교수님이 하신 것처럼 그라운드 라인을 아래에 잡고 왼쪽에 베이스 오른쪽에 이미터를 둔 다음, B와 E사이 r_e ((1+beta) i_b의 전류가 흐름), C에서 B로 g_m v_pi만큼의 전류가 흐르는 전류원을 넣고 풀어도 될까요? BJT 뿐만 아니라 MOSFET 또한 T모델을 같은 논리로 풀어도 될까요? (G와 S 사이에 1/gm의 저항, D에서 G로 gm vgs전류원)
@@배태경학생전자정보대 네 bjt에서는 성립함. Mos에서는 G단자가 개방회로이므로 성립하지 않음
@@김명식 답변 감사합니다. sedra smith 교재에서 MOSFET에서도 saturation mode일 때 소신호 등가모델 중에 T모델이 있었습니다! BJT의 T모델처럼 G와 S사이에 1/gm이라는 저항이 들어가며 D에서 G로 gm vgs만큼의 전류를 흘려주는 전류원이 들어간 모델이었습니다. 이것을 적용하면 안될까요?
@@배태경학생전자정보대 게이트 단자에 흐르는 전류가 0이므로 게이트 단자가 개방회로가 되므로 적용이 가능함. 귿이 그럴 이유가 있을까요.
교수님 안녕하세요 , 멋진 강의를 듣던 중 질문이 생겨 댓글 남깁니다. 8:20의 그림에 새로 소자를 추가하셨을 때 왜 노드가 생기는 것이 아닌가요? 오른쪽 위 모서리에 노드가 새로 생기지 않나요?
원래 있던 노드이므로 노드는 늘지 않음
교수님 강의 감사합니다 :) 혹시 특성식 잡을 때, 5V2=2V1으로 표기해야하는데 잘못 적으신건지 아니면 교수님의 판서가 맞는지 여쭤보고 싶습니다.
2V_1=5V_2 이 맞습니다. 동영상 표헌이 틀림
제가 대학교 다녔을 때, 화학 강사님보다 더 자세히 원자의 구조에 대하여 강의를 잘 하시는 듯 합니다. 좋은 강의 잘 들었습니다. 감사합니다.
전자회로 공부를 함에 있어서 기초가 되는 학문이 화학이었군요. 강의 잘 들었습니다. 감사합니다.
라플라스 변환_적분 엄밀하게 증명
감사합니다. 교수님!!!!
op amp의 특성은 알면서도 막상 문제풀때는 성질을 잘 적용하지 못했는데 교수님 덕분에 제대로 이해하고갑니다 감사합니다!!
좋은데요
교슈님….
강사들 중에 페이저임피던스라고 말하는 분이 있던데.... 올바른 표현인가요 ? 가능한 표현이라면 마치 임피던스가 페이저양처럼 이해되고, 페이저 전압 처럼 주파수에 의해서 시간영역으로 역변환을 할 수 있다는 말이 되는데 .... 시간영역에서 임피던스 개념이 사용되나요? 임피던스가 큰 회로 혹은 작은 회로라고 말할때 시간영역에서도 통용이 되는 건가요?
@@김영만-z6e 시간영역에서는 임피던스라는 말을 하지않고 페이저 영역에서만 표현 가능함 다만 시간영역에서도 주파수를 감안하면 고임피던스 또는 저임피던스 회로로 말할 수 있음
혹시 합성저항 10/7 R 인가요?
교수님 안녕하세요. 마지막 예제문제에서 답이 저항이 0보다 작은 -10/3Ohm인데요, 실제로 이런 마이너스 저항이 있나요?
@@임마루-j6m 실제는 없음 그러나 등가적으로는 존재함
@@임마루-j6m 등가적인 저항이고 실제로는 없음
교수님! 강의 잘 보고 있습니다. 10분 즈음에 교수님이 구하신 방법과 다르게 v_i = - v_π로 전압이득을 구하면 안되는 것인가요? 그렇게 구하면 A_v' = v_o / v_i = g_m (R_C || R_L)이고 A_v = v_o / v_s = {g_m (R_C || R_L) R_i} / (R_s + R_i)가 나옵니다. 여기서 R_i = R_E || R_e R_e = r_π / 1 + β로 나왔습니다.
그렇게 했을 경우, 제가 구한 식에서 조금 정리하여 비교했을 때 R_i가 1 / g_m이면 된다는 결과가 나왔습니다. (근데 수업중에 R_e가 결국 1/g_m에 가까워진다고 하셨으니 다르진 않은 것 같습니다.) 저 방법을 통해서 설명하신 특별한 이유가 있으신가요?
@@배태경학생전자정보대저항의 직병렬관계로 구하는 방법임
교수님, 감사합니다!!!!
안녕하십니까. 교수님! 좋은 강의 잘 듣고있습니다. 궁금한 것이 하나 생겨서 질문드립니다. v_i와 v_π 사이의 관계를 구하실 때, r_π와 R_E 사이의 전압 분배로 구하셨는데요. r_π에 흐르는 전류(i_b)와 R_E에 흐르는 전류(i_e)가 다른데 전압 분배를 통해 구해도 되는 것인가요? 저는 안된다고 생각해서 v_i = v_π + v_E를 통해서 구해봤는데요. 결과적으로 제가 구한 것과 교수님이 구한 것은 분모에 g_m R_E가 더해진 것 만큼 차이가 났습니다. 감사합니다.
@@배태경학생전자정보대 v_i와 v_pi 의 비는 r_pi와 RE가 아니고 r_pi 와 (1+beta)R_E입니다. 동영상에 그렇게 표현 되어있습니다
@@김명식 아 그러네요! 감사합니다.
교수님 교재명과 저자가어떻게 되나요?
@@doge8977 한빛아카데미, 김명식, 예제로 배우는 회로이론
@@김명식 교수님 답글 감사합니다
교수님 y형 회로에서 델타형 회로로 변환 할때 쇼트에 병렬이기때문에 병렬인 저항은 의미없다고 하셨는데 병렬로 연결되어 있어 전위차가 같고 그러니깐 쇼트된 부분이 V=0이니 병렬인 저항값이 의미없다라고 이해해도 되나요..?
@@구그을-l8v 네 맞습니다
안녕하세요 교수님 강의 잘듣고 있습니다!! 하나의 sigle crystal에서 양단을 도핑 시켜 p하고 n으로 만들었다면 처음에는 》방향으로는 양공과 전자의 확산으로 인한 diffusion current만들어지고 그후에《 방향으로는 n타입 반도체의 남은 양의 전하와 p타임 반도체의 남은 음의 전하로 draft current가 만들어져서 일정 시간이 지난후에 내부에서 전류는 0이라고 생각해도 괜찮을까요?
@@김경원-h3t 네